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[发明专利]一种Ni/rGO复合结构纳米线及其应用-CN201810812490.3在审
发明人：杨雷;张甲甲;汪玉娟;代盼盼 -专利权人：皖西学院
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01M2/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种Ni/rGO复合结构纳米线，所述一维复合结构纳米线具有由镍/还原氧化石墨烯(Ni/rGO)表示的化学组成。本发明还提供了上述一维Ni/rGO复合结构纳米线的制备方法，以乙酸镍、N‑N二甲基甲酰胺、聚丙烯腈和氧化石墨烯(GO)为前驱体，通过简单的静电纺丝的方法，在铝箔上合成许多一维的复合纳米线。然后经过非平衡态的煅烧、还原过程，成功制备一维Ni/rGO复合结构纳米线。一维Ni/rGO复合结构纳米线作为涂层材料涂覆在锂离子电池软包负极铜极耳上，改善了铜极耳暴露在空气中稳定性的同时，相比于镀镍铜极耳，电池欧姆内阻值降低了10～24％，减小了电池长循环过程中的极化产热，提高了电池的安全稳定性
复合结构纳米线电池铜极耳制备还原氧化石墨烯二甲基甲酰胺安全稳定性复合纳米线氧化石墨烯锂离子电池非平衡态化学组成还原过程静电纺丝聚丙烯腈涂层材料负极铝箔极化长循环镀镍铜前驱体乙酸镍产热极耳减小软包涂覆煅烧合成暴露应用成功

[发明专利]光纤复合模式高灵敏度丙酮传感器及其制备方法-CN202010164902.4有效
发明人：倪海彬;平安;曹瑷琛;周盈;葛璐;成建新;张璐 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G01N21/25 文献下载
摘要：本发明公开了光纤复合模式高灵敏度丙酮传感器及其制备方法，所述传感器由光纤、位于光纤上方的氧化铝薄膜以及填充在氧化铝薄膜中的镍纳米线组成，所述的氧化铝薄膜在光纤表面形成周期性图案的纳米线阵列；其中，所述的氧化铝薄膜是由镀覆在光纤表面的铝膜通过阳极氧化所制备得到；所述的镍纳米线是通过电沉积法在氧化铝薄膜形成的孔洞中沉积镍所得到；所述周期性图案的纳米线阵列是采用转移薄膜法制备PS微球膜，作为氧化铝薄膜表面的刻蚀掩膜，再利用离子刻蚀法去除未被PS微球覆盖的氧化铝薄膜和镍纳米线
光纤复合模式灵敏度丙酮传感器及其制备方法

[发明专利]一种镍/钛/钒纳米线合金透氢膜、制备方法及应用-CN201910667511.1在审
发明人：史晓斌;陈健;武逸群;李亚华;李永涛 -专利权人：安徽工业大学
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍/钛/钒纳米线合金透氢膜、制备方法及应用，包括如下步骤：分别取镍、钛、钒颗粒，混合均匀后得到混合金属粉；将所述的混合金属粉放入熔炼装置中进行熔炼，得到镍/钛/钒合金铸锭；将所述的镍/钛/钒合金铸锭在900℃下保温30min，然后随炉冷却至室温，完成退火；将退火后的镍/钛/钒合金铸锭进行锻造，锻造温度750～850℃，开锻温度780℃，得到棒状镍/钛/钒合金；对所述的棒状镍/钛/钒合金在450～550℃下进行拉拔，得到丝状镍/钛/钒纳米线合金透氢膜。本发明制备的镍/钛/钒纳米线合金透氢膜具有较高的氢渗透率、塑韧性和更低的氢脆敏感性。
钒合金合金透氢膜纳米线铸锭制备退火混合金属粉棒状锻造氢脆敏感性熔炼装置随炉冷却熔炼氢渗透丝状镍放入拉拔保温应用

[发明专利]一种钛酸钠纳米线-泡沫镍复合材料及其制备方法和应用-CN202010180476.3有效
发明人：戚红红;肖启振;李朝晖;雷钢铁 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明属于电极材料技术领域，特别涉及一种钛酸钠纳米线‑泡沫镍复合材料及其制备方法和应用。本发明提供的钛酸钠纳米线‑泡沫镍复合材料的制备方法，包括以下步骤：将二氧化钛、氢氧化钠、表面活性剂和水混合，得到混合液；将泡沫镍置于所述混合液中，进行水热反应，得到初级复合材料；将所述初级复合材料依次进行清洗、干燥和煅烧，得到钛酸钠纳米线‑泡沫镍复合材料。实施例测试结果表明，使用本发明提供的制备方法得到的钛酸钠纳米线‑泡沫镍复合材料具有良好的循环性能，2～4圈放电曲线重合度高且有明显的充放电平台，比容量损失小，电化学性能优异。
一种钛酸钠纳米泡沫复合材料及其制备方法应用

[发明专利]纳米线电极的制备方法-CN201310223575.5无效
发明人：赖晓芳 -专利权人：苏州诺信创新能源有限公司
申请日： 2013-06-07 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01M4/88 文献下载
摘要：本发明提供了一种获得的纳米线电极还原双氧水具有较高的活性和稳定性的制备方法，包括：1）准备原料Co(NO3)2·6H2O、Ni(NO3)2和NH4NO3，摩尔比关系为Co(NO3)2·6H2O∶Ni(NO3)2∶NH4NO3=3∶2∶2.5；2）将上述加入适量水中，在室温下搅拌10分钟形成混合形成溶液；3）在混合溶液中放入泡沫镍载体，加入催化剂，并在55-72℃下加热15h；4）将泡沫镍载体进行焙烧3h，焙烧温度为190℃，得到泡沫镍载NiCO2O4纳米线电极粗品；5）将泡沫镍载NiCO2O4纳米线电极粗品进行表面打磨，得到泡沫镍载NiCO2O4纳米线电极成品。
纳米电极制备方法

[发明专利]一种中空分级结构的纳米线敏感材料及其制备方法、及氨气传感器-CN202310824990.X在审
发明人：林海钦;殷玲;阴翔宇;侯琳熙;张举斌 -专利权人：福建久策气体股份有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种中空分级结构的纳米线敏感材料及其制备方法、及氨气传感器，制备方法包括以下步骤：（1）将中空碳纳米纤维加入到乙醇和水的混合液中混合均匀，然后再依次加入镍盐和尿素，并在70‑90℃的条件下进行反应，将生成的沉淀物洗净干燥，然后在300‑400℃的条件下煅烧，得到氧化镍纳米线；（2）将上述步骤中得到的氧化镍纳米线加入到水中并分散均匀，然后依次加入苯胺、质子酸和引发剂，并于0‑4℃反应，将生成的沉淀洗净干燥，得到所述中空分级结构的纳米线敏感材料。
一种中空分级结构纳米敏感材料及其制备方法氨气传感器

[发明专利]一种介孔铂@铂镍核-壳框架纳米线及其制备方法-CN202211102333.6在审
发明人：刘勇;靳辉;许哲玮 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01M4/88 文献下载
摘要：本发明涉及一种介孔铂@铂镍核‑壳框架纳米线及其制备方法，包括以下步骤：(1)取铂前驱体、镍前驱体、结构导向剂以及还原剂与第一溶剂混合均匀，进行水热反应，得到Pt@Pt‑Ni核‑壳纳米线；(2)将Pt@Pt‑Ni核‑壳纳米线与第二溶剂以及醋酸混合均匀，进行刻蚀反应，得到刻蚀后介孔铂@铂镍核‑壳框架纳米线。
一种介孔铂铂镍核框架纳米及其制备方法

[发明专利]一种钼酸镍纳米管/纳米线共存结构的制备方法-CN201110347464.6有效
发明人：孙嬿;李春生;王莉娜;王耀祖;马雪刚;张志佳;马培娟 -专利权人：河北联合大学
申请日： 2011-11-07 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种钼酸镍纳米管/纳米线共存结构的制备方法，其以钼酸铵和氯化镍为反应原料，以蒸馏水为反应溶剂，借助步微波辐射技术来制备钼酸镍一维管状和线状纳米结构。其中，钼酸镍纳米管/纳米线共存结构中纳米管外径为50～100纳米，单侧壁厚10～20纳米；纳米线材料直径为15～25纳米、长度可达0.5～2.0微米。采用本发明制备的纳米材料具有比表面积大、化学活性高等特点，有望作为具有优异性能的催化剂、电极材料或润滑剂添加剂材料。
一种钼酸纳米共存结构制备方法

[发明专利]一种二氧化钼/钴酸镍分级杂化纳米结构阵列及其制备方法-CN201610566399.9有效
发明人：张勇;汤凯;田茶;彭昊;崔接武;舒霞;郑红梅;王岩;吴玉程 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用水热法在二氧化钼纳米线、纳米片基底上复合钴酸镍纳米片阵列从而获得二氧化钼/钴酸镍分级杂化纳米结构阵列及其制备方法。具体的步骤是：(1)用化学气相沉积的方法在喷钼碳纸上制备二氧化钼纳米线或二氧化钼纳米片阵列；(2)将上述制备的纳米线、纳米片阵列置于含有硝酸钴、硝酸镍、氟化铵和尿素的混合溶液中，在不同的温度、不同时间、不同浓度前驱体溶液下采用水热反应法进行反应制备复合前驱体；(3)将上述制备的前驱体放置在管式炉中，并在空气中对其退火处理，从而获得二氧化钼/钴酸镍分级杂化纳米结构阵列。其中钴酸镍纳米片的厚度是10‑20nm。
一种氧化钼钴酸镍分级纳米结构阵列及其制备方法

[发明专利]一种电解水析氧阳极及其制备方法-CN202210084759.7在审
发明人：李涛;高利敏;谢海泉;吴俊豪;卢鑫慧;刘文沛;常冉;张正辉 -专利权人：南阳师范学院
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C25D1/04 文献下载
摘要：一种电解水析氧阳极及其制备方法，涉及水分解电极技术领域，电解水析氧阳极包括多孔导电基底、纳米线阵列层、析氧催化剂层，纳米线阵列层为钴基纳米线阵列，析氧催化剂层为铁钴铬镍高熵合金催化剂。本发明在多孔导电基底上生长钴基纳米线阵列，可以增大电极材料的比表面积，电解水效率高，能够有效降低能耗；且本发明采用物理溅射方法在钴基纳米线阵列表面沉积铁钴铬镍高熵合金催化剂，活化处理后作为碱液电解水析氧的阳极，物理溅射法制备铁钴铬镍高熵合金薄膜催化剂，使催化剂层覆盖均匀，厚度可控，且与基底结合牢固，便于大规模工业化生产。
一种电解水阳极及其制备方法

[发明专利]一种金属纳米线阵列的电化学制备方法-CN202011534077.9在审
发明人：王牧;彭茹雯;陈飞 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C25D21/12 文献下载
摘要：本发明提出一种金属纳米线阵列的结构设计和电化学制备方法，通过在绝缘表面的电解液中施加周期电源信号进行电化学沉积，制备具有脊线结构的金属薄膜材料，具体可通过周期电源信号的大小、频率、振幅等参数实时、有效地调节沉积的金属薄膜的厚度和表面结构结合表面刻蚀，获得纳米线阵列。纳米线的线宽、高度、纳米线之间的间距均可以灵活改变。本发明提出的电化学制备方法成本低廉、操作简单、效率高，且易于调控，可以用于制备钴、铜、铁、镍、银、金、镍铁合金、钴镍合金、钴铜合金等金属纳米线阵列。
一种金属纳米阵列电化学制备方法

[发明专利]一种具有核壳结构的铂镍纳米线有序阵列的制备方法-CN201310728532.2在审
发明人：汪洪;金峰;李伟;李艳波 -专利权人：深圳市华测检测技术股份有限公司
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： C25D11/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有核壳结构的铂镍纳米线有序阵列的制备方法。本方法先用二次阳极氧化法制备出高度有序的氧化铝模板，将其装配在钛片表面，再用电沉积的方法制备镍纳米线阵列，以碱溶液溶解氧化铝模板，再在铂电镀液中置换5至30秒，制备成以镍纳米线为核，铂为壳的复合纳米材料所制备的铂镍直径统一，排列高度有序，并且长度由电沉积时间和电压控制，很容易达到生产需求。本发明制备方法简单，无需常规的磁控溅射工艺，整个制备流程时间短，合成条件在常态下即可实现，因此成本低廉。
一种具有结构纳米有序阵列制备方法

[发明专利]一种TiO2-CN201810225043.8有效
发明人：卢小泉;高瑞琴;张彩中;武亚丽;喜俊花;张震;陕多亮;陈晶 -专利权人：西北师范大学
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种TiO2纳米线/NiO纳米片/卟啉复合材料的制备方法，包括：(1)采用溶剂热法在TiO2纳米线上生长NiO晶种：将乙酸镍、乙醇和正丁醇混合溶解，然后依次加入氨水和TiO2纳米线，加热反应；(2)采用水热法生长NiO纳米片：将乙酸镍和过二硫酸钾溶于水，然后依次加入氨水和TiO2纳米线，加热反应；(3)对步骤(2)得到的TiO2纳米线/NiO纳米片进行退火处理；(4)退火后用卟啉溶液浸渍，即得到TiO2纳米线/NiO纳米片/卟啉复合材料。本发明通过TiO2纳米线和NiO纳米片构建p‑n异制结结构以及卟啉敏化大大增加了TiO2载流子的分离效率且拓宽了光吸收范围
一种 tio base sub

[发明专利]高弹性高活性位点的镍纳米线气凝胶的磁控制备方法-CN202310404883.1在审
发明人：赵丽君;丁珊珊;潘新博 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种高弹性高活性位点的镍纳米线气凝胶的磁控制备方法，属于超级电容器电极材料、电催化材料技术领域。创新性地提出了磁控微观结构成型方法；创新性地提出了磁控成型与恒压成型结合的镍纳米线气凝胶制备方法；制备的镍纳米线气凝胶材料内部显微结构呈现1D线性同轴分布特征，相同条件下该材料提供了比2D、3D显微结构更多的活性位点，定向线性排布的镍纳米粒子使得该材料具备低阻抗和高导电性，同时这种微观结构赋予了该材料更强的纳米线轴向拉伸力学性能，更优良的抗压缩性能。该制备方法利用均匀磁场控制线性纳米结构形态，利用恒定压强控制着床位点微观形貌，使得该气凝胶制备方法无需复杂的干燥条件，同时简化了制备流程。
弹性活性纳米凝胶控制方法

[发明专利]新晶体结构酞菁镍（ω‑NiPc）纳米线及其制备方法-CN201510033840.2有效
发明人：王晓燕;王海;杨海;鞠海东;纪小林;邹涛隅;杨镒吉;乔振芳 -专利权人：昆明学院
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： C07D487/22 文献下载
摘要：一种ω‑酞菁镍纳米线，所述ω‑酞菁镍纳米线的X‑射线衍射谱在下列的2θ处具有特征峰6.621°、7.261°、15.760°、24.823°和26.222°；而相应的半峰宽分别为0.663、0.513、制备方法包括下列步骤a)放入酞菁镍原料至炉中的加热区域；b)在载气氛围下，加热酞菁镍原料至410‑500℃，使酞菁镍升华；c)通过该载气，引导该升华的酞菁镍离开该加热区域，至生长区域，所述生长区域的温度低于所述加热区域的温度；d)在生长区域，得到ω‑酞菁镍纳米线。
晶体结构酞菁镍 nipc 纳米及其制备方法