专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种弹性可拉伸透明导电薄膜及制备方法-CN202211453700.7在审
  • 甘李;王帅;周明;杨建文 - 重庆烯宇新材料科技有限公司
  • 2022-11-21 - 2023-02-24 - H01B13/00
  • 本发明涉及柔性透明导电薄膜制备技术领域,且公开了一种弹性可拉伸透明导电薄膜及制备方法,利用晶种诱导在铜纳米线的表面二次生长铜纳米线,得到可以提高铜线交叉点之间互焊与互联能力的树枝状铜纳米线,以其为导电材料制备电极,在树枝状铜纳米线电极上电镀一层金属,得到弹性可拉伸透明导电薄膜。其中,树枝状铜纳米线之间被层完全填充,没有空隙,近乎消除了铜线之间的接触电阻,且层改变了树枝状铜纳米线与柔性基底之间的简单沉积,树枝状铜纳米线层紧紧地包住并覆盖在基底材料上,不仅显著地改善了树枝状铜纳米线之间的接触电阻,而且提高了树枝状铜纳米线的抗氧化能力、增强了铜电极与柔性基体之间的附着性能。
  • 一种弹性拉伸透明导电薄膜制备方法
  • [发明专利]铋杂化纳米线及其制备方法-CN200910237149.0无效
  • 杨大驰;智林杰 - 国家纳米科学中心
  • 2009-11-06 - 2011-05-11 - B82B1/00
  • 本发明提供一种和铋杂化纳米线及其制备方法。本发明所述的杂化纳米线和铋组成,直径为75nm,长度不大于100μm。本发明所述的方法包括以下步骤:将经氧化的铝片,制成孔径为15-200nm的氧化铝模板;对具有通孔氧化铝模板的底面蒸镀金膜,得到蒸镀金膜的氧化铝模板;将蒸镀金膜的氧化铝模板置于和铋的混合电镀液中,进行电位沉积,得到生成于氧化铝模板通孔中的由和铋组成的杂化纳米线;将通孔中置有杂化纳米线的氧化铝模板,置于强碱溶液中腐蚀掉氧化铝模板,得到由和铋组成的纳米线。本发明得到的磁性金属和半金属铋两种材料所组成的功能杂化纳米线。该纳米线在磁性调控的光电合热电纳米器件有巨大的潜在应用。
  • 镍铋杂化纳米及其制备方法
  • [发明专利]一种紫外光电探测器及其制备方法-CN201910588485.3有效
  • 宋波;刘梦婷;王先杰;姚泰;韩杰才 - 哈尔滨工业大学
  • 2019-07-01 - 2021-04-02 - H01L31/0352
  • 本发明提供了一种紫外光电探测器,包括衬底、设置在所述衬底上的源电极和漏电极,还包括设置在所述衬底上的量子点修饰的纳米线,所述量子点修饰的纳米线的两端分别与所述源电极和所述漏电极连接;所述量子点修饰的纳米线包括氮化铝纳米线和氧化量子点,所述氧化量子点附着在所述氮化铝纳米线表面且与所述氮化铝纳米线之间形成p‑n结。本发明提供的紫外光电探测器,利用氮化铝纳米线和氧化量子点之间形成的p‑n结,有效提高氮化铝纳米线载流子的浓度,从而提高紫外光电探测器的光电导增益,实现紫外光电探测器对VUV紫外线的探测。
  • 一种紫外光电探测器及其制备方法
  • [发明专利]一种磁性可循环表面增强拉曼基底及其制备方法-CN202010840133.5有效
  • 王著元;姜国华;宗慎飞;崔一平 - 东南大学
  • 2020-08-19 - 2023-04-07 - G01N21/65
  • 本发明涉及一种磁性可循环表面增强拉曼基底及其制备方法,该基底以刺状纳米线作为负载基质,在刺状纳米线表面依次修饰类过氧化物酶活性MOF层与银纳米粒子。其制备方法包括如下步骤:步骤一,采用层层组装法在刺状纳米线表面修饰类过氧化物酶活性MOF层;步骤二,在MOF层修饰的刺状纳米线表面原位还原沉积银纳米粒子。该基底既利用刺状纳米线表面丰富的活性位点提高了MOF材料修饰效率,又发挥了类过氧化物酶活性MOF层优良的催化降解性能,可实现多次循环检测,且循环操作简单高效,无需特殊仪器设备,能显著降低检测成本。
  • 一种磁性循环表面增强基底及其制备方法
  • [发明专利]一种在硅纳米线上进行无磷无电镀的方法-CN200810037942.1无效
  • 陶佰睿;苗凤娟;李辉麟;万丽娟;张健 - 华东师范大学
  • 2008-05-23 - 2008-10-08 - C23C18/34
  • 本发明公开了一种在硅纳米线上进行无磷无电镀的方法,主要采用化学湿法刻蚀技术在硅衬底上制作出硅纳米线阵列,然后应用无磷镀液在其上进行无电薄膜的沉积,最后通过RTA强化-硅纳米线结构的稳定性。该发明有如下特点:1.与集成电路工艺兼容,采用化学湿法刻蚀,技术简单易行,成本低廉,成功率高;制作出的纳米线尺度较均匀,平均高度30μm,直径约60nm。2.采用无磷无电镀的化学方法对硅纳米线的表面进行金属沉积,克服了传统的无电镀技术中磷合金的产生,从而提高了该Ni/Si纳米线结构的电学、磁学、传感器的敏感等性能。
  • 一种纳米线上进行无磷无电镀方法
  • [发明专利]三元金属杂化PtNiTe多孔磁性纳米线及制备、应用-CN201710894371.2有效
  • 万丽娟 - 合肥师范学院
  • 2017-09-28 - 2021-01-29 - C01B19/04
  • 本发明公开了一种磁性碲化纳米线的制备方法,包括以下步骤:将亚碲酸或亚碲酸盐加入盐水溶液中,搅拌得到浑浊溶液;向浑浊溶液中滴加水合肼溶液,搅拌至溶液为棕褐色或褐色得到混合溶液;将混合溶液进行水热反应,水热反应温度为100~140℃,水热反应时间为4~12h,洗涤,干燥得到磁性碲化纳米线。本发明还公开了上述磁性碲化纳米线。本发明还公开了一种三元金属杂化PtNiTe多孔磁性纳米线。本发明还公开了上述三元金属杂化PtNiTe多孔磁性纳米线的制备方法。本发明还公开了上述三元金属杂化PtNiTe多孔磁性纳米线的应用。
  • 三元金属ptnite多孔磁性纳米制备应用

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