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[发明专利]一种基于氧化镓单晶的辐射探测器及其制备方法-CN201710080008.7有效
发明人：夏晓川;梁红伟 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件制备技术领域，涉及一种基于氧化镓单晶材料的辐射探测器及其制备方法。该辐射探测器以高阻氧化镓单晶为基体，其上下表面和侧面为SiO₂保护层；在氧化镓单晶的SiO₂保护层下表面形成的掩膜图形中依次为锡原子扩散形成的锡掺杂氧化镓层、钛层和金层；在氧化镓单晶的SiO₂保护层上表面形成的掩膜图形中依次为镍层、钛层和金层，各层与上表面存留的SiO₂保护层存在重叠区域。本发明提出了一种有效而简便的工艺制造技术，解决了高性能氧化镓辐射探测器的制备难题，实现新型氧化镓基辐射探测器的研制。
一种基于氧化镓单晶辐射探测器及其制备方法

[发明专利]在图形化氮化镓单晶衬底上制备氮化镓发光二极管的方法-CN201610631795.5有效
发明人：贾传宇 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种在图形化氮化镓单晶衬底上制备氮化镓发光二极管的方法，在氮化镓单晶衬底上沉积厚度为98‑102nm的SiO2或SiN作为掩膜图形层，再把该掩膜图形层制备为具有周期性结构的圆型孔状掩膜图形层，该圆型孔状掩膜图形层的圆型孔直径为0.8‑1.0微米，该圆型孔状掩膜图形层的图形周期为1.4‑1.6微米，再将氮化镓单晶衬底清洗干净后放入MOCVD反应室进行二次生长，通过采用降低MOCVD反应室压力，提高V/III比的方式，控制氮化镓外延层的生长模式，外延层会在接续垂直生长的同时在掩膜图形层上侧向外延生长，制备出高亮度氮化镓基发光二极管。本发明制备的氮化镓基发光二极管散热性好。 1
掩膜图形制备氮化镓单晶圆型孔衬底氮化镓基发光二极管氮化镓发光二极管图形化侧向外延生长氮化镓外延层周期性结构衬底清洗垂直生长二次生长散热性好图形周期外延层放入沉积接续生长

[发明专利]一种确定镍基单晶高温合金残余偏析的方法-CN201610143674.6在审
发明人：刘林;张琰斌;黄太文;张军;苏海军;郭敏;杨文超 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：一种确定镍基单晶高温合金残余偏析的方法，通过制作的金相试样测量镍基单晶高温合金的一次枝晶间距，并用点阵法在制作的金相试样上测量镍基单晶高温合金各点上各元素质量分数分布。
一种确定镍基单晶高温合金残余偏析方法

[发明专利]一种镍基单晶高温合金的瞬间液相连接方法-CN201710798607.2在审
发明人：刘纪德;孙元;李博;侯星宇;金涛;周亦胄;李金国;孙晓峰 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍基单晶高温合金的瞬间液相连接方法，属于高温合金焊接技术领域。本发明焊接工艺为将待焊表面处理干净，将中间层合金放置与待焊样品间隙中，采用点焊定位固定住待焊样品并在样品外表面焊缝附近涂阻流剂；焊接时采用高温真空焊接炉，零件随炉升温至镍基单晶高温合金固溶热处理温度，升温速率不低于本发明能够实现镍基单晶高温合金的高质量焊接，焊后接头的微观组织与母材一致，各元素在接头内分布均匀，实现合金的均匀强化，且焊后合金的晶体学取向保持一致。
一种镍基单晶高温合金瞬间相连方法

[发明专利]镍基单晶合金微观组织演化相场模型的有限元法-CN202111464488.X在审
发明人：王心美;李磊;岳珠峰;惠煜中;余志远 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明提供了一种镍基单晶合金微观组织演化相场模型的有限元法，包括：通过有限元分析软件建立相场模型，获取输出模型文件；根据相场模型模拟需求对输出模型文件进行修改，获取模型修改文件；建立有限元分析软件的用户定义单元子程序和自定义输出变量子程序本发明提供的镍基单晶合金微观组织演化相场模型的有限元法，很大程度上减少了镍基单晶合金微观组织演化相场模拟中程序的编写和调试工作，提高了科研效率。
镍基单晶合金微观组织演化模型有限元

[发明专利]镍基定向凝固柱晶、单晶高温合金母合金的纯净化熔炼方法-CN201810810928.4有效
发明人：孙岳来;邓军;马步洋;刘海艳 -专利权人：江苏美特林科特殊合金股份有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明属于高温合金制备技术领域，具体涉及一种镍基定向凝固柱晶、单晶高温合金母合金的纯净化熔炼方法。本发明可实现将镍基定向凝固柱晶、单晶高温合金母合金中O、N、S杂质元素总量控制在5ppm以内，同时As、Bi、Pb、Sn、Sb等痕量杂质元素总量控制在5ppm以内，极大的改善了镍基定向凝固柱晶、单晶高温合金的纯净度
单晶高温合金定向凝固熔炼镍基杂质元素纯净化母合金合金总量控制纯净度痕量杂质元素制备技术领域高温合金过程控制合金化期综合控制坩埚材质脱硫剂脱氧坩埚精炼

[发明专利]一种无铼镍基单晶高温合金及其制备方法-CN201310343196.X有效
发明人：陈光;周雪峰;郑功;严世坦 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2013-08-08 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C22C19/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种无铼镍基单晶高温合金及其制备方法。本发明无铼镍基单晶高温合金成分按质量百分比表示为7.25-7.75%的Cr、4.8-5.2%的Co、1.8-2.2%的Mo、7.8-8.2%的W、6.3-6.7%的Ta、6.0-6.2%的Al，0.12制备上述无铼镍基单晶高温合金，包括以下步骤：采用真空感应炉熔炼母合金，通过重力铸造制备母合金铸棒；采用籽晶法通过Bridgeman定向凝固技术在温度梯度为150-250K/cm，抽拉速率为5-100μm/s范围内制备单晶试棒；单晶高温合金在1295-1305℃范围内进行2-4小时的固溶处理，随后进行空冷，接着在1090-1310℃范围内进行2-4小时的高温时效处理，随后进行空冷；然后在850-890℃
一种无铼镍基单晶高温合金及其制备方法

[发明专利]一种高强抗热腐蚀低偏析镍基单晶高温合金-CN201610080109.X在审
发明人：宁礼奎;郑志;刘恩泽;佟健 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2016-02-04 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： C22C19/05 文献下载
摘要：一种高强抗热腐蚀低偏析镍基单晶高温合金。本发明属于镍基单晶高温合金领域，具体为一种含铼第二代镍基高温合金。该合金既具有较高的高温力学性能，又兼备良好的抗热腐蚀性能。
一种高强抗热腐蚀偏析镍基单晶高温合金

[发明专利]镍基超级合金及其单晶工业燃气轮机热级元件-CN91107971.8无效
发明人： L·G·彼得逊;I·P·瓦沙蒂斯 -专利权人：通用电气公司
申请日： 1991-12-14 - 公布日： 1992-07-01 - 主分类号： F01D5/28 文献下载
摘要：一种镍基超级合金制的工业燃气轮机引擎单晶叶片，所说的合金含1—3％镍，在引擎通常操作温度范围内(1600-1800)具有优良的机械性能。
超级合金及其工业燃气轮机元件

[发明专利]一种高蠕变抗力抗氧化单晶镍基合金及其制备工艺-CN200410021584.7无效
发明人：田素贵;尚丽娟;于兴福;金涛;赵乃仁;王志辉 -专利权人：沈阳工业大学;中国科学院金属研究所
申请日： 2004-07-30 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： C22C19/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种镍基超合金，该合金特别适于制造航空发动机、燃气轮机的单晶部件。该合金主要以下列元素组成(以重量百分含量计)：5.6－6.4％Al，6.6－7.4％Ta，6.1－6.8％Cr，5.0－6.0％Mo，3.8－4.4％Co，3.8－4.4％W，其余为镍和杂质。上述成分单晶镍基超合金规则立方体γ′相的体积分数约80％。本发明的目的在于提高单晶部件的蠕变抗力和纵向、横向疲劳强度，同时得到良好的抗氧化能力。
一种高蠕变抗力氧化单晶镍基合金及其制备工艺

[发明专利]一种镍铜（111）合金单晶薄膜的制备方法以及由此得到的镍铜（111）合金单晶薄膜-CN201810669531.8在审
发明人：张学富;王浩敏;吴天如;谢晓明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C30B29/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种镍铜（111）合金单晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1，提供蓝宝石基片；S2，在蓝宝石基片的晶面Al₂O₃(0001)上沉积50‑5000nm厚的金属薄膜，得到沉积有镍铜合金的蓝宝石衬底，其中，该金属薄膜为镍原子占原子总数的1‑40％的由镍原子和铜原子组成的合金薄膜；S3，将蓝宝石衬底放入化学气相沉积炉中，在氩气和氢气的气体氛围中进行退火处理，得到(111)晶向的单晶薄膜。本发明还涉及一种根据上述的制备方法得到的镍铜(111)合金单晶薄膜。根据本发明的制备方法获得的镍铜(111)合金单晶薄膜，极大地提高石墨烯的性能，为下一步石墨烯在微电子领域中的应用奠定基础。
合金单晶镍铜薄膜制备蓝宝石基片蓝宝石金属薄膜镍原子石墨烯衬底沉积化学气相沉积炉微电子领域氩气单晶薄膜合金薄膜镍铜合金气体氛围退火处理氢气铜原子放入晶面晶向应用

[发明专利]一种低铼抗热腐蚀长寿命高强度第二代镍基单晶高温合金及其热处理工艺-CN201710463755.9在审
发明人：姜祥伟;楼琅洪;王栋;常剑秀;董加胜 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C22C19/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种低铼抗热腐蚀长寿命高强度第二代镍基单晶高温合金及其热处理工艺，属于抗热腐蚀镍基单晶高温合金技术领域。该合金具备与典型第二代高强单晶合金相当的高温力学性能，并且具有良好的抗热腐蚀性能和长期组织稳定性。
镍基单晶高温合金热处理工艺长寿命腐蚀高温力学性能抗热腐蚀性能单晶合金合金化学合金

[发明专利]一种无铼低密度高性能镍基单晶高温合金及其热处理工艺-CN201410231844.7有效
发明人：张少华;王莉;张功;谢光;张健;楼琅洪 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： C30B29/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种无铼低密度高性能镍基单晶高温合金及其热处理工艺，属于镍基单晶高温合金领域。％Re的第二代单晶高温合金CMSX‑4相当，不含贵重元素Re，合金成本降低70％以上，合金密度降低3％左右。
镍基单晶高温合金热处理工艺合金单晶高温合金抗氧化性能低周疲劳贵重元素合金成本合金化学密度降低

[发明专利]一种单晶高镍三元正极材料的制备方法-CN202210710204.9在审
发明人：赵尹;王帆;施利毅;袁帅;金枫 -专利权人：上海大学
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01M4/525 文献下载
摘要：本发明涉及电极材料技术领域，尤其涉及单晶高镍三元正极前驱体的制备方法，本发明采用的颗粒尺寸小(20～80nm)且粒径分布均一单晶高镍三元正极前驱体与锂源进行锂化(煅烧)，保证了锂化过程的均一性，获得的单晶高镍三元正极材料具有颗粒尺寸均一、且制备得到的单晶高镍三元正极材料不会留下晶间空隙和晶内纳米孔优势，对提高单晶高镍三元正极材料的结构稳定性和电化学性能的提升具有重要作用。而且，由于本发明提供的单晶高镍三元正极前驱体的颗粒尺寸小，所以其表面积较大，在锂化过程中，可以更加充分地与锂源结合，进一步提高了单晶高镍三元正极材料的结构稳定性和电化学性能。
一种单晶高镍三元正极材料制备方法

[发明专利]一种高导热石墨纸的制备方法-CN201310628887.4有效
发明人：张燕萍;赵志国;栾华诚;贺祖章;曹德明 -专利权人：上海利物盛企业集团有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：种高导热石墨纸的制备方法，采用磁控溅射系统先在厚度0.2～1mm的石墨片上制备镍催化剂层，镍膜厚度为10～500nm；对制备所得的镍催化层进行高温退火处理，形成直径为0.5～15μm镍单晶颗粒；然后采用化学气相沉积法在镀有镍催化层的石墨片上制备石墨烯；再将覆有石墨烯薄膜的石墨片浸润于催化剂溶液硝酸铁或氯化铁或醋酸铁水溶液中10min～2hrs，取出于120℃下烘干后，放入化学气相沉积系统生长碳纳米管；最后采用液压机压制，得到高导热石墨纸。
一种导热石墨制备方法

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