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[发明专利]一种镍-铜-三氧化二铝催化分离复合膜及其制备方法和应用-CN201210453244.6有效
发明人：刘小珍;陈捷 -专利权人：上海应用技术学院
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C25D3/56 文献下载
摘要：本发明公开一种镍-铜-三氧化二铝催化分离复合膜及其制备方法和应用，即采用电镀法在多孔通孔阳极氧化铝膜的表面镀上一层镍-铜膜，且制备过程中贴在阴极上的这一面镀上的镍-铜膜的结构致密、厚度为0.1～0.5μm，最终形成一表面是多纳米孔，另一表面是致密的镍-铜-三氧化二铝催化分离复合膜。本发明的一种镍-铜-三氧化二铝催化分离复合膜应用于催化甲烷水蒸气重整制氢和混合气中氢气的分离，最终甲烷催化转化率为100%，透氢率为5.17～5.98×10-6mol·m-2·s-1Pa-1，对催化甲烷水蒸气重整制氢后所产生的氢气的分离系数(H2/CH4)为880～891，对混合气中氢气的分离系数为886～893。
一种氧化催化分离复合及其制备方法应用

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN01139471.4无效
发明人：中嶋节男;山崎舜平;楠本直人;寺本聪 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1995-09-16 - 公布日： 2003-02-05 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：在制造一种薄膜晶体管中，在一个衬底上形成一个非晶硅膜之后，通过利用含有作为促进硅结晶的金属元素的镍的溶液(乙酸镍溶液)的旋涂和通过热处理来形成一个硅化镍层。该硅化镍层选择地被构图以便形成岛状硅化镍层。非晶硅膜被构图。在移动激光器时辐照激光，以致于从硅化镍层被形成的区域产生晶体生长，和获得一个等效于单晶(单域区)的区域。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN95118410.5无效
发明人：中嶋节男;山崎舜平;楠本直人;寺本聪 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1995-09-16 - 公布日： 2002-02-27 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：在制造一种薄膜晶体管中，在一个衬底上形成一个非晶硅膜之后，通过利用含有作为促进硅结晶的金属元素的镍的溶液（乙酸镍溶液）的旋涂和通过热处理来形成一个硅化镍层。该硅化镍层选择地被构图以便形成岛状硅化镍层。非晶硅膜被构图。在移动激光器时辐照激光，以致于从硅化镍层被形成的区域产生晶体生长，和获得一个等效于单晶（单域区）的区域。$#!
用于制造半导体器件方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN200510005697.2无效
发明人：中岛节男;山崎舜平;楠本直人;寺本聪 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1995-09-16 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：在制造一种薄膜晶体管中，在一个衬底上形成一个非晶硅膜之后，通过利用含有作为促进硅结晶的金属元素的镍的溶液(乙酸镍溶液)的旋涂和通过热处理来形成一个硅化镍层。该硅化镍层选择地被构图以便形成岛状硅化镍层。非晶硅膜被构图。在移动激光器时辐照激光，以致于从硅化镍层被形成的区域产生晶体生长，和获得一个等效于单晶(单域区)的区域。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]一种单晶电池正极材料及其制备方法-CN202110727979.2有效
发明人：李晓祥;裴晓东;骆艳华;田然;鲍维东;韩虎 -专利权人：中钢天源股份有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01M4/1391 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶正极材料及其制备方法，该方法包括以下步骤：(1)用化学共沉淀法分别合成高镍镍钴锰三元前驱体和镍钴锰铝钛五元高熵正极材料前驱体；(2)采用一次烧结将高镍镍钴锰前驱体焙烧成较小颗粒单晶材料；(3)在较小颗粒单晶材料基础上加上粘结剂和高熵五元前驱体粉进行二次烧结，使高熵五元前驱体在镍钴锰单晶表面继续长大，得到产品内层为高镍镍钴锰三元单晶，外层为高熵镍钴锰铝钛五元单晶材料。本发明外层采用高熵材料包裹有效提高了高镍三元单晶充放电时锂离子扩散速率，进而提升了单晶材料的容量及倍率性，且外层为高熵材料也进一步提高其高温热稳定性和循环性。
一种电池正极材料及其制备方法

[发明专利]一种单晶叶片热障涂层修复方法-CN202211567023.1在审
发明人：景理;乔振华;赵耀伟;马峰;杜智博;谈洁心;蒋南京;杨鹏 -专利权人：中国航发动力股份有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶叶片热障涂层修复方法，对出现受损单晶叶片进行高压碱煮去除YSZ陶瓷面层，采用自动化吹干砂去除渗铝层，得到表面干净的单晶叶片；对表面干净的单晶叶片表面依次进行渗铝和渗铝扩散，并进行湿吹砂处理，清洗后采用电子束气相沉积法涂YSZ陶瓷面层，完成修复，本申请操作步骤简单，修复效率高效果好，对修复后的单晶导叶进行检测，导叶的壁厚、喉道面积、气膜孔影响很小，补渗铝后深度、浓度均满足设计要求，重新进行陶瓷面层涂覆后的涂层结合力满足设计要求，能够极大的降低单晶叶片损坏后的维修成本。
一种叶片热障涂层修复方法

[发明专利]锂二次电池-CN202110474275.9在审
发明人：林建;占孝云;安伟峰;吕游;肖斌;辜悦 -专利权人：深圳市比克动力电池有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01M10/052 文献下载
摘要：本申请涉及电池技术领域，提供了一种锂二次电池，包括正极、负极、隔膜和电解液，其中，正极包括高镍单晶正极材料和导电剂，所述高镍单晶正极材料的结构通式为LiaNi_{O2，其中，0.8≤a≤1.1，0.8≤b1，M选自Co、Mn、Al、Mg、Nb、Ti、Zn、Zr、Cr中的至少一种；所述导电剂选自碳纳米管、石墨烯、气相生长碳纤维中的至少一种组装得到的锂二次电池在高电压下具有热稳定性好、产气低、循环性能优异，比相同镍含量的常规高镍二次球具有明显的性能优势，可以通过热失稳测试，实现电池高容量化，高安全化，长寿命化。}
二次电池

[发明专利]高铬K4648镍基铸造合金返回料的熔炼方法-CN201110296306.2有效
发明人：满延林;王宇飞;倪伟;于海涛;王鸿光 -专利权人：沈阳黎明航空发动机（集团）有限责任公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：一种高铬K4648镍基铸造合金返回料的熔炼方法，属于冶金技术领域，按以下步骤进行：（1）返回料表面处理；（2）第一次精炼后降温至表面结膜，再冲膜浇注；（3）当成分符合要求时，与K4648镍基铸造合金混合进行第二次精炼，降温至表面结膜，冲膜后浇注；当成分超出要求时，将一次料锭和K4648镍基铸造合金混合进行第二次精炼，降温至表面结膜，冲膜并加入调节成分用料，降温至再次结膜，再次冲膜后浇注。本发明制备的K4648镍基铸造合金在机械性能、持久寿命方面均达到原始的K4648镍基铸造合金水平，能够降低铸件生产成本。
k4648 铸造合金返回熔炼方法

[其他]减少各向异性的单晶制品-CN87102590无效
发明人：迪利普·马尼拉尔·沙;戴维·诺埃尔·杜尔 -专利权人：联合工艺公司
申请日： 1987-04-03 - 公布日： 1987-10-14 - 主分类号： C22C19/05 文献下载
摘要：一般观察到的单晶镍基超级合金的各向异性，可通过有意地向合金组合物以单独或混合的方式加进一定的碳，硼，锆或铪来减少。
减少各向异性制品

[发明专利]超高镍低钴单晶正极材料及其制备方法-CN202210536898.9在审
发明人：李红磊;陈志宇;吉长印;吕菲;徐宁 -专利权人：天津巴莫科技有限责任公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高镍低钴单晶正极材料及其制备方法，超高镍低钴单晶正极材料包括超高镍无钴单晶内核和富钴壳层，通过复合锂盐固相法梯次煅烧实现了富钴壳层均匀包覆在超高镍低钴单晶内核的表面，采用复合锂盐作为熔融盐，相较单一锂盐具有更低的熔融温度，从而可以在相对较低温度下实现单晶颗粒的形核和快速生长，避免了过高的煅烧温度和大量熔剂的使用，解决了超高镍低钴单晶材料Li+/Ni2+阳离子混排严重的问题；提高了超高镍低钴单晶正极材料的长循环稳定性，制备工艺简单，且与现有产线设备完全兼容，可有效实现市场高镍单晶产品的降本迭代。
超高镍低钴单晶正极材料及其制备方法

[发明专利]一种表面全包覆的高镍单晶三元材料的制备方法及应用-CN202111594410.X有效
发明人：王红强;杨广场;杨生龙;彭凡;张晓辉;赖飞燕;李庆余 -专利权人：广西师范大学
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面全包覆的高镍单晶三元材料的制备方法及应用，所述方法为：将高镍三元前驱体和锂源按比例混合均匀，得到混合物，将混合物在氧气气氛中进行煅烧，得到高镍单晶三元材料基体颗粒，将高镍单晶三元材料基体颗粒破碎、过筛得到高镍单晶三元材料单晶颗粒；将单晶颗粒经含还原性硼氢化合物溶液吸附、过滤、干燥、煅烧，得到表面全包覆的高镍单晶三元材料。这种方法工艺简单可靠、成本低廉，能改善材料循环性能、能改善材料的内阻，所制备的高镍单晶三元材料电化学性能好，在动力电池领域尤其是电池正极材料的应用中具有良好的发展前景。
一种表面全包覆高镍单晶三元材料制备方法应用

[发明专利]一种镍基沉淀硬化型单晶高温合金的激光冲击强化方法-CN202111429333.2在审
发明人：赵吉宾;陆莹;乔红超;孙博宇;胡宪亮 -专利权人：中国科学院沈阳自动化研究所
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C21D1/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍基沉淀硬化型单晶高温合金的激光冲击强化方法，属于单晶高温合金技术领域。本发明方法处理的镍基沉淀硬化型单晶高温合金试样表面形成圆形凹坑，冲击区域的显微硬度HV从基体的398最高可增加到510，表面残余压应力从基体的497MPa最高可增加到942MPa，产生的表面强化效果，可显著抑制疲劳裂纹的萌生和扩展
一种沉淀硬化型单晶高温合金激光冲击强化方法

[发明专利]一种低铼单晶铸件的组织及性能优化新工艺-CN201710523008.X有效
发明人：赵玉涛;梁向锋;朱宵旭;孟祥锋;矫日伟 -专利权人：江苏大学
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： C22F1/10 文献下载
摘要：本发明属于镍基高温合金领域，涉及一种低铼镍基单晶合金的组织及性能优化新工艺。本发明采用计算机模拟软件结合差热分析的实验手段，更加准确的确定热处理工艺制度；同时，本发明利用热等静压技术与热处理技术相结合，在有效消除单晶铸件中的显微疏松和缩孔等铸造缺陷的同时，通过优势互补避免了现有方法存在的铸件表面再结晶问题，提高了单晶铸件的强度和持久性能；此外，本发明通过阶梯式升温方法避免了传统热处理工艺容易造成的铸件内部出现初熔现象并通过三次时效处理，相对于传统的时效处理获得了更多数量的γ’强化相析出，并且强化相分布均匀
一种低铼单晶铸件组织性能优化新工艺

[发明专利]一种快速测定镍基单晶高温合金内应力的方法-CN201910226815.4有效
发明人：裴延玲;段浩东 -专利权人：成都航大新材料有限公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速测定镍基单晶高温合金内应力的方法，属于材料性能测试技术领域。记录此晶面族所有发生衍射的位置及所对应的晶面的密勒指数；对极图上每一衍射位置的周围进行θ‑2θ扫描，记录每一衍射位置衍射强度最强峰所对应的位置并标定出所对应的晶面的密勒指数以及其对应的θ‑2θ衍射峰；运用布拉格定律求得此时的晶面间距；进行数据处理得到镍基单晶高温合金内应力的大小和方向本发明适用于任何取向的试样，实现了单晶体晶体取向测定与应力测定一体化；自动化的操作流程以及程序化的数据处理过程提高了工作效率。
一种快速测定镍基单晶高温合金内应力方法

[发明专利]用于TLP焊接DD6镍基单晶高温合金的中间层合金及制备方法-CN201110186965.0无效
发明人：徐锦锋;翟秋亚;陆天宇 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2011-07-06 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C22C19/05 文献下载
摘要：本发明公开一种用于TLP方法焊接DD6镍基单晶高温合金的中间层合金，按原子百分比由以下组分组成：总的百分比为100％，总的百分比为100％，其中：B为3％-3.6％、Co为3％-4.5％、Cr为1％-2本发明的中间层合金柔韧性能好，便于加工和装配；在焊接时与DD6镍基单晶高温合金匹配性好、钎缝呈单晶形貌组织；该种中间层合金箔材的制备方法，工艺简单，制作成本低。
用于 tlp 焊接 dd6 镍基单晶高温合金中间层制备方法