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- [发明专利]一种溅镀方法及溅镀设备-CN200810097817.X无效
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范继良;杨明生;谢金桥;刘涛;王勇
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东莞宏威数码机械有限公司
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2008-05-15
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2008-09-10
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C23C14/34
- 本发明提出一种溅镀方法及溅镀设备。包括:取来待溅镀的盘片并将其抽真空至预真空后,将所述盘片旋转传输到第一溅镀腔。通过第一溅镀腔在磁场的作用下进行溅镀,在达到预定设置的膜厚A时停止溅镀,并将已溅镀的盘片旋转传输到第二溅镀腔,在所述第一溅镀腔和第二溅镀腔内盘片被抽真空至高真空。由所述第二溅镀腔在磁场的作用下将所述已溅镀的膜厚继续溅镀到膜厚B,所述膜厚B为预定设置的要溅镀的总膜厚,膜厚B≥膜厚A,且均为常数。本发明可以使溅镀后的光盘膜层厚度均匀,同时可以在较低功率、较短时间下溅镀薄膜,避免了盘片升温而变形,也降低了光盘生产周期。
- 一种方法设备
- [发明专利]一种银膜制备方法和具有银膜的基板-CN202111545334.3在审
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胡天佐;宫向宇;王哲;吕亮;单明星
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长春博信光电子有限公司
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2021-12-16
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2022-03-15
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C03C17/36
- 本申请公开了一种银膜制备方法和具有银膜的基板,包括:当离子源的能量满足预设稳定条件时,在离子源产生的离子束流作用下,在基板的表面蒸镀第一过渡层;当银加热至蒸发点,在离子束流的作用下在第一过渡层的表面蒸镀第一银薄膜;关闭离子源,并在第一银薄膜的表面蒸镀第二银薄膜,得到银膜。基板表面的第一过渡层在离子源产生的离子束流的作用下蒸镀形成,第一过渡层表面的第一银薄膜在离子源产生的离子束流的作用下蒸镀形成,增强第一过渡层与基板之间、第一银薄膜与第一过渡层之间的结合力,由于材料相同,第二银薄膜与第一银薄膜之间结合牢固,提升银膜与基板结合牢固性,且蒸镀第二银薄膜时关闭离子源,可以防止热辐射过大对银膜造成影响。
- 一种制备方法具有
- [发明专利]密集孔局部镀厚铜工艺-CN201110355703.2有效
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辜义成;曾志军;曾红
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东莞生益电子有限公司
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2011-11-10
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2012-04-25
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H05K3/22
- 本发明提供一种密集孔局部镀厚铜工艺,包括如下步骤:步骤1、提供基板,对基板进行开料、内层图形制作、棕化、层压处理及X-RAY打孔;步骤2、在基板上钻镀厚铜区域孔;步骤3、镀厚铜,其中镀厚铜区域孔的孔壁铜厚镀至75μm及以上;步骤4、贴干膜盖住镀厚铜区域孔,对基板的面铜进行减铜处理;步骤5、在基板上钻非镀厚铜区域孔;步骤6、对非镀厚铜区域孔及镀厚铜区域孔进行镀铜。本发明采用二次钻孔+二次沉铜工艺,改变传统PCB制作中的一次钻孔+沉铜工艺,通过在PCB位置设计局部镀厚铜,将元器件工作时产生的高热量,利用铜良好的导热系数,将热量有效传导散发出去,满足未来高端电子产品对局部区域要求散热性能较高的需求
- 密集局部镀厚铜工艺
- [发明专利]一种退镀液可再生循环的银镀件退镀方法-CN202011026270.1在审
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张少强
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张少强
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2020-09-25
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2021-01-01
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C23F1/30
- 本发明公开了一种退镀液可再生循环的银镀件退镀方法,包括如下步骤:A、退镀件的清洗前处理;B、退镀件的退镀处理:将前处理过后的退镀件,放入退镀池中;所述退镀池中盛装有退镀液,其包括去离子水、硝酸、氢氟酸、硫酸;C、退镀液的再生:将退镀液沉银处理后通过萃取剂萃取处理,然后电解回收完成退镀液的再生。该方法通过退镀件的预清洗,避免了有机物对退镀液循环过程的干扰;利用盐酸代替氯化钠沉银,多余氯离子采用溶剂萃取方法进行脱除,提高了银回收率,并且提高了退镀液的酸度;利用电解方法回收铜,因而不会带入新的污染,还实现了退镀液的循环使用,没有难以处理的硝酸根等污染物的外排。
- 一种退镀液可再生循环银镀件退镀方法
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