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[发明专利]一种新型防焊前处理方法-CN202211549981.6在审
发明人：王金德 -专利权人：欣强电子（清远）有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H05K3/38 文献下载
摘要：本发明属于电子通讯器材生产技术领域，尤其为一种新型防焊前处理方法，首先，利用FL180酸性清洁剂对板材表面进行初步清理，随后清洗板材并对板材铜面进行喷砂超粗化处理，接着冲洗干净板材，利用FL220铜面键结剂对板材磨砂处理的铜面进行处理，在超粗化处理的铜面形成一活化基，最后进行冲洗、干燥以及烘干后，包装存放即可。本发明，在防焊前处理使用铜面键结剂搭配喷砂作为防焊前的铜面清洁处理药水，以取代现用的超粗化前处理方式，使用铜面键合剂可活化铜表面，形成一活化基，并对光阻面以化学键结连接，确保防焊油墨与铜面的结合力，此方式不减损铜厚
一种新型防焊前处理方法

[发明专利]铜面键结剂-CN202011567981.X在审
发明人：徐荣 -专利权人：苏州圣天迈电子科技有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： C23C22/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜面键结剂，该铜面键结剂包括以下各组分，且各组分重量百分含量为：双氧水10‑20％、硼酸10‑20％、络合剂2‑5％、三氯化铁溶液5‑15％、二甲苯4‑8％、表面活性剂0.5‑2.5％、本发明中，络合剂与铜反应生成一价铜离子络合物，在氧的作用下又转化成二价铜，形成的二价铜离子络合物对铜面有较强的吸附性，这种特性使蚀铜朝着纵深方向进行，从而形成致密的凹凸粗化面，石笋状的突枝具有很强的锚嵌作用，液态油墨流进这些凹坑中，固化后产生较强的结合力，以此便于增强铜面与干膜、湿膜以及防焊油墨的结合力，提高稳定性。
铜面键结剂

[发明专利]简化铜-铜键结-CN201080029761.X有效
发明人：李·迪乔吉欧;皮艾瑞克·葛广;莫瑞斯·利佛依 -专利权人：法国原子能与替代能委员会
申请日： 2010-07-01 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用以键结第一铜元素于第二铜元素上的方法，包含一步骤，其透过元素的接触形成富含氧的一结晶铜层在每一第一元素与一第二元素的每一表面上，所有层的总厚度小于6nm，所述步骤包含：a)至少一步骤，用以抛光表面以得到均方根粗糙度小于1nm及亲水性表面，b)至少一步骤，为了抑制因抛光的存在粒子与腐蚀抑制剂的主要部分而清洁所述表面，c)至少一步骤，用以放置所有富含氧的结晶铜层以彼此接触。
简化铜键结

[实用新型]一种纳米铜电极全铜键合的倒装UV-LED封装结构-CN202122887428.0有效
发明人：柳星星;彭洋;王志涛 -专利权人：武汉高星紫外光电科技有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种纳米铜电极全铜键合的倒装UV‑LED封装结构。封装结构包括倒装UV‑LED芯片、纳米铜电极、透明光窗、三维陶瓷电路板、密封粘接层；所述纳米铜电极位于所述倒装UV‑LED芯片的电极上，用于连接所述倒装UV‑LED芯片和陶瓷电路板，形成出全铜键合结构；所述纳米铜电极全铜键合结构，增强了封装散热能力，降低UV‑LED结温并延长UV‑LED寿命；此外，所述形成的全铜键合结构可降低热膨胀系数失配风险，提高UV‑LED封装可靠性和使用寿命。
一种纳米电极全铜键合倒装 uv led 封装结构

[发明专利]键结铜和树脂的方法-CN91104179.6无效
发明人：陈忠诘 -专利权人：华通电脑股份有限公司
申请日： 1991-06-27 - 公布日： 1998-07-08 - 主分类号： B32B15/08 文献下载
摘要：一种用以键结铜和树脂的方法，包括下列步骤$（ａ）藉由铜的氧化作用在铜表面形成一层氧化铜,$(ｂ)藉由特定的还原剂及硷性溶液和安定剂的加入,在适当的温度下和适当的时间内将铜板表面所形成的氧化铜还原为金属铜,$(ｃ)经由设定的烘烤,使金属铜氧化为氧化铜,$(ｄ)采用热压方式把氧化铜和树脂键结在一起。
键结铜树脂方法

[发明专利]被覆有无晶钻石膜的电极-CN03130999.2有效
发明人：宋健民 -专利权人：宋健民
申请日： 2003-05-12 - 公布日： 2004-11-24 - 主分类号： C25B11/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种被覆有无晶钻石膜的电极，其电极的本体表面含有变形的四面体键结(Distorted TetrahedralBonding)，甚至石墨键结(sp²)的无晶钻石，所以可以导电，另外，其几乎可以涂布于所有材质上，如金属(钢、铜等)、陶瓷(玻璃、石墨等)及塑料(AB、PVC等)等，因此甚易镀在所有电极的表面，使此种被覆有无晶钻石膜的电极不会被酸碱侵蚀，所以可用价廉的材料代替(如以铜代替白金
被覆有无钻石电极

[发明专利]巯基苯功能化石墨烯/铜复合导热镀层及制备方法-CN202111363887.7在审
发明人：李小芳;郑青 -专利权人：邵阳学院
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C25D5/18 文献下载
摘要：巯基苯功能化石墨烯/铜复合导热镀层及制备方法，合成通式为TP‑Gr‑Cu，是由功能化石墨烯TP‑Gr和纳米铜通过巯基苯分子结化学连接，巯基苯分子结中的硫原子与纳米铜通过电子隧穿形成强的S‑Cu共价键，构建电子隧穿热传导路径制备方法是先制备巯基苯功能化石墨烯，再在金属铜基体上通过脉冲电化学共沉积法，制备出巯基苯功能化石墨烯/铜复合导热镀层。本发明构建了一种新型的石墨烯/金属复合导热镀层电子隧穿热传导途径，成功地建立了石墨烯和纳米铜通过巯基苯分子结化学连接，沉积的巯基苯功能化石墨烯致密附着在铜基体上，起到分子风扇辐射散热的作用。这种石墨烯/铜复合材料具有高导热系数，导热能力强；较π电子参与传热的复合材料导热系数值更高。
巯基功能化石复合导热镀层制备方法

[发明专利]制作散热型集成电路芯片塑料封装的安装散热片方法-CN01134450.4无效
发明人：董一中;许诗滨 -专利权人：全懋精密科技股份有限公司
申请日： 2001-11-02 - 公布日： 2002-05-01 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：首先,提供一可键结电路板与散热片之键结薄片(bondingsheet),该键结薄片为单层或多层黏着层的叠合(astackingofseveraladhesivelayers)。所述电路板上形成有一开口可供芯片设置,而所述的散热片可为厚度大于0.254mm之铜薄板,或厚度大于0.1mm之铜合金(copperbasealloy)薄板。
制作散热集成电路芯片塑料封装安装散热片方法

[发明专利]一种键结处理剂、该处理剂的制备方法以及使用方法-CN201811084490.2有效
发明人：唐红艳 -专利权人：宏维科技（深圳）有限公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H05K3/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种键结处理剂、该处理剂的制备方法以及使用方法。该键结处理剂由以下重量百分含量的原料配制而成：单乙醇胺5％‑15％，二乙二醇丁醚5％‑15％，浓度为50％的硫酸30％‑38％，抗氧化剂0.5％‑1.5％，其余为水。本产品的产生主要是因应未来制品要求趋势，无须咬蚀粗化铜面，利用化学键结的方式来帮助干膜及防焊的结合，管理操作简单，无须每日作咬蚀速率监控(节省人力管理及测试铜片成本)，不攻击铜面(废液无重金属，废液无须特别处理
一种处理制备方法以及使用方法

[发明专利]一种基于拉曼光谱的金属离子动态检测和调控方法-CN201910875022.5在审
发明人：梁峰 -专利权人：深圳市新零壹科技有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于拉曼光谱的金属离子动态检测和调控方法，涉及动态拉曼光谱测量学方法，具体步骤如下：在金电极尖端和纳米颗粒表面修饰有拉曼信号的对羧基苯硫酚分子；建立单分子拉曼信号检测体系；当激发光照射样品后会产生拉曼信号，向体系中加入铜离子，通过动态检测拉曼光谱的变化，检测铜离子螯合键的形成和消失。调节金电极上的偏压，检测对羧基苯硫酚拉曼特征峰的强度的变化，从而研究分子结中各个键的振动情况。本发明能够通过螯合作用检测铜离子等多种金属离子；能够通过电压调节，研究螯合键作用的强弱，使用范围广，功能化强，数据直观，操作简单。
一种基于光谱金属离子动态检测调控方法

[发明专利]具有结合线的半导体元件的制备方法-CN202210362736.8在审
发明人：李维中;施懿庭;王建忠;丘世仰 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：该制备方法还包括对结合垫的顶部进行蚀刻以形成凹槽，并将结合线键结到结合垫的凹槽中，其中结合线包括铜(Cu)。
具有结合半导体元件制备方法

[实用新型]具有三维多孔隙结构的铜基散热器-CN202222930440.X有效
发明人：陈振贤 -专利权人：广州力及热管理科技有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有三维多孔隙结构的铜基散热器，包含散热器以及三维多孔隙铜结构层，该散热器包含铜基板以及设置于铜基板上的多个铜基散热片，并且铜基板以及多个铜基散热片形成散热表面，三维多孔隙铜结构层直接金属键结于散热器的散热表面上；由此，本实用新型的三维多孔隙铜结构层可透过浆料烧结并直接形成于散热器的表面，以增加散热器与外界空气的接触面积，进而提高散热效果。
具有三维多孔结构散热器

[发明专利]具铜导线结构的薄膜晶体管及其制造方法-CN200610092278.1无效
发明人：吴健为;梁硕玮;陈琬琪;杨承慈;刘思呈;王敏全;官永佳 -专利权人：台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;广辉电子股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院;统宝光电股份有限公司
申请日： 2006-06-16 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种具铜导线结构的薄膜晶体管及其制造方法，利用至少一铜合金层及一铜金属层来组成多层金属结构的栅极，在热处理后，可以改善晶格接口间的原子排列，及原子间的键结(即提升附着度)，并降低阻值，抑制铜离子扩散，使薄膜晶体管电性传导效率更好此外，将多层金属薄层图形化时，仅需要单层铜蚀刻液，以简化导线的图形化工艺，且在结构上仅使用铜合金的薄层，更可降低制作薄膜晶体管的成本。
导线结构薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]层叠散热基板以及使用此层叠散热基板的电子组装结构-CN201110126956.2有效
发明人：李弘荣 -专利权人：佳胜科技股份有限公司
申请日： 2011-05-17 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：层叠散热基板包含基板、层叠键结层、绝缘层以及导电层。层叠键结层设置于基板上，至少包含第一键结层以及第二键结层。第一键结层设置于基板上。第二键结层设置于第一键结层上。绝缘层设置于层叠键结层上。其中，绝缘层及导电层进一步于层叠键结层上围出容置空间，容置空间暴露层叠键结层。电子组件设置于容置空间内及层叠键结层上，且与导电层电连接。电子组件较佳是发光二极管。
层叠散热以及使用电子组装结构

[实用新型]一种可控硅模块结构-CN202020787528.9有效
发明人：臧天程;杨叶林;姜维宾 -专利权人：烟台台芯电子科技有限公司
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可控硅模块结构，引入DBC板、铜基板设计，在DBC板上设置可控硅芯片，再把DBC板设置在铜基板上，基于铝丝键合工艺，将可控硅芯片的阴极、阳极及控制极通过铝丝引导到控制端子上引出；可控硅芯片并联布局，提高模块单位体积的功率密度；铝丝键合工艺成熟，生产效率高，可控硅模块的结壳热阻小，模块工作时产生的热量能快速散出，热疲劳稳定性提高，提高模块的使用寿命；DBC板上可设置多个可控硅芯片，提高模块单位体积功率密度，降低终端客户使用成本；通过铝丝键合，提高生产效率，降低生产成本。
一种可控硅模块结构

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