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[发明专利]一种LED芯片的转移方法-CN202010434398.5有效
发明人：赵斌;曲晓东;杨克伟;林志伟;陈凯轩 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片的转移方法，在芯片制备或晶圆级封装过程中，通过在目标基板设定若干个键合单元；各所述键合单元以单个LED芯粒的P型电极垫和N型电极垫的位置关系作为基准，分别形成第一键合区和第二键合区，并在所述第二键合区周边预留一备用区域。并通过定位所述晶圆上的LED芯粒的转移起点和所述目标基板上的键合单元起始点，确定预转移芯粒和预键合单元；所述预转移芯粒的P型电极垫和N型电极垫可分别与所述预键合单元的第一键合区和第二键合区对位重合；在所有预转移芯粒的P型电极垫和N型电极垫，或在所有预键合单元的第一键合区和第二键合区，形成金属键合层；然后，通过转移工艺对位键合实现所有LED芯粒的转移。
一种 led 芯片转移方法

[发明专利]一种低温键合光电探测器及其制备方法-CN201811143999.X在审
发明人：陆海;周东;渠凯军 -专利权人：镇江镓芯光电科技有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公布了一种低温键合光电探测器及其制备方法，一种低温键合光电探测器包括：衬底、N型掺杂硅层、P型掺杂硅层、N型键合层、P型键合层、吸收层、P型掺杂InP层、P型欧姆接触层、保护层、n型电极、p型电极，一种低温键合光电探测器制备方法包括：外延层生长、晶片键合、台面刻蚀和保护层制备、电极制备。本发明通过晶片键合、低温退火和相关结构的优化，将不同半导体结合在一起，结合了各半导体材料的优点，提供一种低温退火、避免晶格大失配、响应速度快、位错密度低的低温键合光电探测器及其制备方法。
光电探测器低温键合制备低温退火晶片键合保护层键合层半导体材料电极制备台面刻蚀外延层吸收层衬底晶格失配位错半导体生长响应优化

[发明专利]一种键合－亲合复合型多糖类手性固定相的制备方法-CN200710191730.4无效
发明人：刘晓宁;魏荣卿;张晓晓 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2007-12-17 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： B01J20/29 文献下载
摘要：本发明涉及一种键合－亲合复合型多糖类手性固定相的制备方法。该发明适用于液相色谱法对手性对映体的分离和制备，扩大了流动相使用范围并克服了键合型固定相手性拆分能力低等缺点。其特征在于主要步骤为：1)将多糖衍生物I经化学键合到手性固定相基质上，获得键合型固定相；2)将多糖衍生物II经亲合涂敷到键合型固定相上，获得键合－亲合复合型多糖手性固定相。
一种复合型多糖手性固定制备方法

[发明专利]一种显示面板及其制备方法-CN202211043484.9在审
发明人：张箫巍;黄凯;李金钗;杨旭;张荣 -专利权人：厦门大学;嘉庚创新实验室
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：第一基板的一侧有若干间隔的Mi cro‑LED芯片；提供第二基板，第二基板的一侧表面有若干导电层；在第二基板上形成隔离层，隔离层中有若干开口组，每个开口组均包括暴露出导电层的表面的第一开口和第二开口，第一开口的宽度小于P型电极的宽度，第二开口的宽度小于N型电极的宽度；在第一开口中形成第一键合层，在第二开口中形成第二键合层；以隔离层对芯片本体支撑将P型电极与第一键合层进行键合的同时将N型电极与第二键合层进行键合，P型电极嵌入第一键合层中，N型电极嵌入第二键合层中。所述方法避免M i cro‑LED芯片与第一键合层、第二键合层之间键合失效。
一种显示面板及其制备方法

[发明专利]键合丝键合方法和Shunt-L结构封装-CN202310159016.6在审
发明人：郭跃伟;孔令旭;段磊;卢啸;黎荣林;崔健 -专利权人：河北博威集成电路有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请适用于键合丝键合技术领域，提供键合丝键合方法和Shunt‑L结构封装，该方法包括：获取键合丝，并将键合丝划分为第一键合丝组和第二键合丝组，第一键合丝组中的每条键合丝的长度相同，第二键合丝组中的每条键合丝的长度相同；通过第一键合丝组将裸晶体管输出端和输出引脚进行键合，且第一键合丝组中的键合丝的形状为M型曲线；通过第二键合丝组将裸晶体管输出端和射频隔直电容进行键合，第二键合丝组与射频隔直电容的键合点的位置为M型曲线的凹点的位置相同本申请可以保证键合丝的键合效果，避免键合密度抑制点的出现。
键合丝键合方法 shunt 结构封装

[发明专利]一种芯片键合方法-CN201710334161.8有效
发明人：储涛;吴维轲;唐伟杰 -专利权人：浙江澍源智能技术有限公司
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片键合方法，首先在芯片的键合面上开制若干个第一锥型结构，并在基片的键合面上对应若干个所述第一锥型结构开制若干个第二锥型结构，相对应的第一锥型结构与第二锥型结构的朝向、形状均相同；然后在芯片与基片的键合面上生长金属材料或涂覆粘结剂，最后使所述芯片的键合面与所述基片的键合面咬合在一起。本发明芯片键合方法在芯片键合过程中不需要进行高精度的位置调整及高精度的图像处理等过程，也不受限于高精度对准的机械系统和光学测量系统，不仅大幅减少了芯片的键合时间，提高了芯片键合的效率，还大幅减少了芯片键合的成本
一种芯片方法

[发明专利]一种垂直结构LED芯片及其制造方法-CN201811629262.9有效
发明人：朱酉良 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制造方法，垂直结构LED芯片包括导电衬底，形成于导电衬底的下表面的P电极，依次设置于导电衬底的上表面的具有键合面的第一键合结构、具有键合面的第二键合结构、反射层、P型GaN层、多量子阱层、N型GaN层和N电极；其中，第一键合结构和第二键合结构的材料相同，第一键合结构的键合面朝向第二键合结构的键合面。本发明通过将第一键合结构和第二键合结构设计成为两个材料相同的键合结构，使得在形成第一键合结构和第二键合结构时仅需一套设备就可以完成，可以减少人工需要，从而节约了成本，优化了产线工艺。
一种垂直结构 led 芯片及其制造方法

[实用新型]一种高效率低能耗的楔形劈刀-CN202220994493.5有效
发明人：谢兴铖;曹瑞军;杨剑;林中坤;史植广;刘皓;杨志民;梁秋实 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本实用新型公开了属于集成电路封装领域的一种高效率低能耗的楔形劈刀，所述楔形劈刀为一体型结构，包括刀柄和刀头两部分，所述刀柄为斜面型、台阶型或平面型，所述刀头为楔形结构，刀头包括斜引线孔和键合面，所述键合面上设有平行圆弧槽、平行V型槽、垂直双弧槽或垂直曲面槽等键合槽。本实用新型通过引线孔与键合面独特结构的设计，有效改善引线键合位置精度，在键合过程中避免偏移，提高了引线键合的键合效率和键合质量；增大键合接触面积，有效改善键合强度，提高键合能量传递效率，降低键合功率，实现微组装用楔形焊劈刀的高效率低能耗键合
一种高效率能耗楔形劈刀

[发明专利]一种Mini-LED芯片及其制备方法-CN202210450618.2在审
发明人：郭文辉;贾钊;胡加辉;金从龙;窦志珍;杨琦;兰晓雯 -专利权人：江西耀驰科技有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种Mini‑LED芯片及其制备方法，涉及半导体工艺技术领域，包括透明基板，该Mini‑LED芯片还包括：依次层叠设于透明基板上的键合层、P型接触层、外延层及镜面反射层；以及分别设于P型接触层和外延层之上的P型金属电极层及N型金属电极层；其中，键合层包括第一键合层以及设于第一键合层之上的第二键合层，第一键合层为增透膜层，其设于透明基板之上，第二键合层包括n层透明导电层，n为3‑10。本发明能够解决现有技术中P型接触层与P型金属电极层接触会引起较高的接触电阻，影响Mini‑LED性能的技术问题。
一种 mini led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种增加演色性的白光LED结构-CN201610425669.4有效
发明人：吴奇隆;张永;陈凯轩;李俊贤;陈亮 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开一种增加演色性的白光LED结构，包括蓝光外延芯片、红光四元外延芯片及键合层；蓝光外延芯片与红光四元外延芯片之间借助键合层键合；蓝光外延芯片的衬底研磨后蒸镀DBR层，红光四元外延芯片的四元外延层一侧生长GaP外延层，GaP外延层上生长P型欧姆接触层，四元外延层另一侧生长N型欧姆接触层，N型欧姆接触层上生长反射镜，反射镜上生长隔绝层，隔绝层上分别设置与N型欧姆接触层连接的N型电极和与P型欧姆接触层连接的P型电极；键合层一侧与DBR层键合，键合层另一侧与四元外延层的P型欧姆接触层键合。
一种增加演色性白光 led 结构

[发明专利]梯型毫米波芯片键合结构-CN202010278089.3在审
发明人：黄蔚 -专利权人：南京迅测科技有限公司;上海创远仪器技术股份有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明涉及一种梯型毫米波芯片键合结构，包括结构采用若干金丝线通过合适的键合方式组成键合结构。结构采用两根或三根金丝线。结构中的金丝线采用平行的键合方式。结构中的金丝线采用八字形的键合方式，即金丝线间一端间距较近，另一端间距较远。采用了本发明的梯型毫米波芯片键合结构，使用于Rogers 5880微带线键合，具有合适键合方式和合适的键合金丝根数，解决了解决40GHz以下频率金丝键合所需的根数仿真和金丝键合线的摆布方式。
毫米波芯片结构

[实用新型]梯型毫米波芯片键合结构-CN202020518659.7有效
发明人：黄蔚 -专利权人：南京迅测科技有限公司;上海创远仪器技术股份有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种梯型毫米波芯片键合结构，包括结构采用若干金丝线通过合适的键合方式组成键合结构。结构采用两根或三根金丝线。结构中的金丝线采用平行的键合方式。结构中的金丝线采用八字形的键合方式，即金丝线间一端间距较近，另一端间距较远。采用了本实用新型的梯型毫米波芯片键合结构，使用于Rogers 5880微带线键合，具有合适键合方式和合适的键合金丝根数，解决了解决40GHz以下频率金丝键合所需的根数仿真和金丝键合线的摆布方式。
毫米波芯片结构

[发明专利]封装方法-CN201810883152.9有效
发明人：石虎;刘孟彬 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种封装方法，包括：提供基板，基板的待键合面为第一待键合面；提供若干个芯片，芯片的待键合面为第二待键合面；提供薄膜型封装材料；在第一待键合面和第二待键合面中的至少一个面上形成键合层；在第一待键合面和第二待键合面中的至少一个面上形成键合层后，使第一待键合面和第二待键合面相对设置并将芯片置于基板上；将芯片置于基板上后，采用热压合工艺，使基板和若干个芯片通过所述键合层实现键合，并使封装材料填充于芯片和基板之间且覆盖芯片，热压合工艺后的封装材料作为封装层通过薄膜型封装材料，降低热压合工艺过程中芯片发生漂移的概率，提高了封装结构的良率和可靠性；而且热压合工艺同步实现了基板和芯片的键合，提高了封装效率。
封装方法

[发明专利]键合头、键合装置和键合方法-CN202211506940.9在审
发明人：龙俊舟;陶超;王力 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本申请提供一种键合头、键合装置键合方法。键合头包括键合块，键合块的底面包括第一区域和第二区域，第一区域包括键合块的底面的中心区域，第二区域环绕第一区域，第一区域中设置有第一压力施加装置的至少部分，第二区域中设置有吸附第一键合对象的第二压力施加装置的至少部分在进行贴合时，吸附在键合块的底面上的第一键合对象下表面的拱起的中间区域先于第一键合对象下表面的边缘区域贴合第二键合对象的上表面，且第一压力施加装置从第一工作状态切换至第二工作状态，以使第一键合对象下表面的拱起的中间区域逐渐恢复形变，第一键合对象的下表面和第二键合对象的上表面依次贴合，从而将第一键合对象和所述第二键合对象键合在一起。
键合头装置方法

[发明专利]键合头、键合设备和键合方法-CN202010130971.3有效
发明人：郭耸;朱鸷 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种键合头、键合设备和键合方法。该键合头包括至少一个键合头组件；键合头组件包括压头、加压电极和压力检测单元，压头包括压电材料，压头用于压合芯片，加压电极与压头连接，加压电极用于为压头提供交流电压，以使压头在压合方向上产生变形，压力检测单元用于在芯片键合时检测压头对芯片的压力通过调节加压电极为压头提供交流电压的大小可以调节压头压合芯片的压力，并通过压力检测单元检测压头对芯片的压力，从而可以降低键合头的成本，减小了键合头的质量和体积，有利于提高键合设备的产率和键合精度。而且，键合头组件的体积减小，可以有利于实现多个芯片的批量键合，提高键合设备的键合效率。
键合头设备方法

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