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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种锗氮共掺的碳化硅单晶材料的生长方法-CN201710229299.1有效
发明人：陈秀芳;李天;徐现刚;胡小波 -专利权人：山东大学
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种锗氮共掺的碳化硅单晶材料生长方法。该方法采用PVT法，在掺锗碳化硅体单晶生长过程中，将特定比例的氮气通入生长气氛中，通入氩气作为载气压力控制在700～850mbar，氩气流量为15‑30sccm，氮气流量为0.5‑2sccm；得到锗氮共掺杂的碳化硅单晶一方面实现了高浓度锗元素的掺杂；另一方面，通过调节锗氮两种元素的特定掺杂浓度，达到增加碳化硅晶格适配度，降低晶体应力，提高晶体质量的目的。拓展碳化硅晶体材料在可见光和红外光波段的应用。
一种锗氮共掺碳化硅材料生长方法

[发明专利]一种镓锗硼共掺单晶硅及其制备方法-CN201510492138.2在审
发明人：刘依依;葛文星;付少永;熊震 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种镓硼锗共掺单晶硅，属于半导体材料制作技术领域，其特征在于：在单晶硅中掺杂有镓、硼、锗三种元素，该三种元素在单晶硅中最终的原子体积浓度分别为：镓元素1.02×10¹⁵-1.02×10¹⁷atoms/cm³，硼元素1×10¹⁵-1×10¹⁷atoms/cm³，锗元素同时，本发明还公开了一种制备所述的镓硼锗共掺单晶硅的方法。本发明中的镓锗硼共掺单晶硅，大大降低或避免了硼氧复合体的产生，降低了电池的光致衰减；同时提高了电池片的机械强度；本发明提供的镓锗硼共掺单晶硅的制备方法简便，易操作，成本低可规模化生产。
一种镓锗硼共掺单晶硅及其制备方法

[发明专利]一种镓锗硼共掺多晶硅及其制备方法-CN201510492035.6在审
发明人：刘依依;葛文星;付少永;熊震 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2015-10-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种镓硼锗共掺多晶硅，属于半导体材料制作技术领域，其特征在于：在单晶硅中掺杂有镓、硼、锗三种元素，该三种元素在单晶硅中最终的原子体积浓度分别为1.02*10¹⁵-1.02*10¹⁷atoms/cm³，硼元素10¹⁵-10¹⁷atoms/cm³,锗元素10锗共掺多晶硅的方法。本发明中的镓锗硼共掺多晶硅，大大降低或避免了硼氧复合体的产生，降低了电池的光致衰减；同时提高了硅片的机械强度；本发明提供的镓锗硼共掺多晶硅的制备方法简便，易操作，成本低可规模化生产。
一种镓锗硼共掺多晶及其制备方法

[发明专利]高温光学传感材料铒镱共掺无铅氟锗酸盐玻璃及其制备方法-CN201611115573.4有效
发明人：田颖;井绪峰;李兵朋;黄飞飞;徐时清;张军杰 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： C03C4/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温光学传感材料铒镱共掺无铅氟锗酸盐玻璃，通过向氟锗酸盐玻璃中加入铒镱离子，铒镱离子在氟锗酸盐玻璃中可以实现高掺，可进一步提高泵浦能量利用率和发光效率，在较短的光纤中即可实现高灵敏度的温度传感与以往的掺铒光学玻璃传感材料相比，本发明的铒镱共掺无铅氟锗酸盐玻璃克服了氟化物硫化物玻璃和硅(硼)酸盐玻璃作为光学传感材料所固有的缺点，具有较高的工作上限温度及测温灵敏度，可做成光纤广泛应用于微波加热测温领域
锗酸盐玻璃铒镱光学传感材料测温共掺无铅离子光学玻璃光纤硫化物玻璃能量利用率温度传感器传感材料发光效率高灵敏度工作上限酸盐玻璃微波加热温度传感氟化物灵敏度泵浦掺铒应用

[发明专利]基于硼锗共掺上包层的二氧化硅光波导器件及制备方法-CN201010195943.6有效
发明人：何建军;林旭峰 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-06-08 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硼锗共掺上包层的二氧化硅光波导器件及制备方法。在基底上沉积二氧化硅下包层，在下包层上表面沉积掺杂锗的二氧化硅薄膜后，通过光刻、刻蚀工艺形成截面为方形的波导芯层；在二氧化硅下包层与波导芯层上面沉积一层掺有硼和锗两种元素的二氧化硅上包层，上包层和芯层波导结构之间不存在空隙在硼锗共掺的二氧化硅上包层沉积后进行高温热退火工艺，低熔点的上包层薄膜会回流进入相邻波导芯层中的间隙，这样就能在后续沉积膜层中减少遮蔽效应的作用，实现波导间空隙的完全填充，降低器件损耗。本发明的基于硼锗共掺上包层的二氧化硅波导器件结构，可广泛应用于分路器、耦合器和阵列波导光栅等高纵横比波导结构的器件。
基于硼锗共掺上包层二氧化硅波导器件制备方法

[发明专利]磁场传感器及其制备方法-CN202011586451.X在审
发明人：王华;刘云启;于阳东;姜晨;孙欣;李路明;吕康康;牟成博;祝远锋;肖子洋 -专利权人：国网江西省电力有限公司信息通信分公司;国家电网有限公司;上海大学;江西师范大学
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G01R33/032 文献下载
摘要：本发明提出一种磁场传感器及其制备方法，该磁场传感器包括入射单模光纤、出射单模光纤、硼锗共掺光纤和毛细管，硼锗共掺光纤熔接在入射单模光纤和出射单模光纤之间，激光器直接在硼锗共掺光纤上刻写接近色散拐点的长周期光纤光栅
磁场传感器及其制备方法

[发明专利]一种电子俘获型稀土共掺锗酸钇光存储介质及其制备方法和应用-CN202011594767.3在审
发明人：刘茜;邓明雪;徐小科 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C09K11/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子俘获型稀土共掺锗酸钇光存储介质及其制备方法和应用，所述电子俘获型稀土共掺锗酸钇光存储介质的化学式为Y2‑x‑yGeO5
一种电子俘获稀土共掺锗酸钇光存储介质及其制备方法应用

[实用新型]一种制导光纤-CN202220207478.1有效
发明人：柯一礼;罗文勇;米凯峰;杜城;李伟 -专利权人：锐光信通科技有限公司;烽火通信科技股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：内包层、下陷包层、外包层、内涂层和外涂层，所述内包层位于所述芯层外侧，所述下陷包层位于所述内包层外侧，所述外包层位于所述下陷包层外侧，所述内涂层位于所述外包层外侧，所述外涂层位于所述内涂层外侧，所述芯层为锗掺杂的二氧化硅，所述内包层为氟锗共掺的二氧化硅。本申请提供的制导光纤，由于在芯层周边设有掺锗/氟共掺的内包层，可以有效降低其粘度，降低由于界面应力过大所造成的衰减增大，使制导光纤具有良好的衰减特性。
一种制导光纤

[发明专利]一种三包层铒镱共掺光纤及其制备方法与应用-CN202210642201.6有效
发明人：刘长波;王一礴;王顺 -专利权人：武汉长进激光技术有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种三包层铒镱共掺光纤及其制备方法与应用，包括由内至外依次排布的纤芯、锗环、内包层石英层、外包层掺氟石英层和涂层，且折射率由内至外依次递减且呈阶跃折射率分布，纤芯与锗环之间的数值孔径不大于0.1，外包层与内包层之间的数值孔径大于0.46，光纤纤芯共掺杂有摩尔百分比为0.01mol%~0.02mol%的铒，1.0mol%~2.0mol%的镱、10mol%~15mol%的磷，该共掺光纤耐高温性能好
一种包层铒镱共掺光纤及其制备方法应用

[发明专利]太阳能电池用锗锡共掺单晶硅及其制备方法-CN201210327712.5有效
发明人：张群社;祁伟 -专利权人：西安隆基硅材料股份有限公司;无锡隆基硅材料有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池用锗锡共掺单晶硅，在单晶硅中的三种杂质原子体积浓度分别为：电活性杂质为1013～1021atoms/cm3、锗为1016～1019atoms/cm3、锡为1013～1016atoms本发明还公开了上述太阳能电池用锗锡共掺单晶硅的制备方法，在太阳能级多晶硅原料中同时掺入电活性杂质、锗、锡，通过常规CZ法制得单晶硅，单晶硅中的上述三种杂质的最终原子体积浓度分别为上述的数值，即成。
太阳能电池用锗锡共掺单晶硅及其制备方法

[发明专利]全光纤高峰值功率窄线宽拉曼脉冲激光器-CN202010023983.6在审
发明人：何赛灵;尹韬策;戚章泥 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01S3/094 文献下载
摘要：本发明公开了一种全光纤高峰值功率窄线宽拉曼脉冲激光器，包括拉曼泵浦激光器、环形器、信号发生器、反射式半导体光放大器、掺铒光纤预放大器、铒镱共掺光纤主放大器、波分复用器、隔离器、拉曼激光种子及高掺二氧化锗光纤拉曼泵浦激光器被反射式半导体光放大器调制成脉冲激光，随后依次通过掺铒光纤预放大器和铒镱共掺光纤主放大器做功率放大。得到放大的拉曼泵浦脉冲激光通过波分复用器进入高掺二氧化锗光纤，另一边拉曼激光种子经隔离器和波分复用器进入高掺二氧化锗光纤被拉曼泵浦脉冲激光同时地调制和放大。
光纤峰值功率窄线宽拉曼脉冲激光器

[发明专利]一种低衰减环形纤芯光纤-CN201910527466.X有效
发明人：罗文勇;杜城;何茂友;柯一礼;伍淑坚;李伟;余志强;朱侨;曾凡球 -专利权人：烽火通信科技股份有限公司;锐光信通科技有限公司;新疆烽火光通信有限公司
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：该光纤由内至外依次包括内石英包层、环形纤芯和外石英包层，其中，内石英包层和外石英包层均由掺钾、锂或硼的二氧化硅组成，环形纤芯由仅掺锗或者锗钾、锗锂共掺的二氧化硅组成；内石英包层的折射率与外石英包层的折射率相等该光纤还包括位于内石英包层与环形纤芯之间的内下凹石英包层以及位于环形纤芯与外石英包层之间的外下凹石英包层；内下凹石英包层和外下凹石英包层均由仅掺氟或者氟钾、氟锂共掺的二氧化硅组成，内下凹石英包层的折射率与外下凹石英包层的折射率相等
一种衰减环形光纤

[发明专利]发射波长处于1.5～2.2μm的锗酸盐玻璃光纤-CN200810219503.2无效
发明人：杨中民;于胜磊;徐善辉 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2008-11-28 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明提供一种发射波长为1.5～2.2μm的锗酸盐玻璃光纤，包括纤芯和包层，该光纤的纤芯材料为锗酸盐玻璃，所述纤芯玻璃掺杂有稀土离子，所掺杂的稀土离子及其掺杂方式为：单掺Tm³⁺，或单掺Ho³⁺，或Tm³⁺/Ho³⁺共掺，或Tm³⁺/Yb³⁺共掺，或Ho³⁺/Yb³⁺共掺，或Tm³⁺/Ho³⁺/Yb³⁺三掺。
发射波长处于 1.5 2.2 锗酸盐玻璃光纤

[发明专利]基于氮的双受主共掺氧化锌薄膜的制备方法-CN201210530522.3有效
发明人：卢维尔;夏洋;李超波;解婧 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开基于氮的双受主共掺氧化锌薄膜的制备方法，其包括：将基片放入原子层沉积设备的反应腔室中；进行多组分的复合沉积；所述复合沉积包括在锌源沉积之前引入一次As掺杂源的沉积和氧源沉积之前引入一次氮掺杂源的沉积；循环沉积该多组分复合体，得到原子层沉积制备的N-As的双受主共掺的氧化锌薄膜。本发明提供的基于氮的双受主共掺氧化锌薄膜的制备方法，利用ALD技术，在氧化锌薄膜生长的过程中，完成整个薄膜结构的共掺，得到N-As双受主的共掺。本发明制备工艺简单，沉积和掺杂过程易于控制，制备所得共掺氧化锌薄膜有利于氧化锌薄膜的p型掺杂和提高p型电学性质的稳定性。
基于双受主共掺氧化锌薄膜制备方法

[发明专利]一种氮硫共掺多孔磁性碳材料及其所制成的吸附剂-CN201910813314.6在审
发明人：何妍;季文江;李可前;吴建伟;刘海涛;徐志明;毛华 -专利权人：江苏正业智造技术有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： B01J20/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮硫共掺多孔磁性碳材料及其制备方法，所述氮硫共掺多孔磁性碳材料由间苯二酚、甲醛、三聚氰胺和硫脲通过一步水热合成法制成，所述间苯二酚和甲醛作为碳源，所述三聚氰胺作为氮源，所述硫脲作为硫源。本发明制备的氮硫共掺多孔磁性碳材料采用一步水热合成法制备，制备方法简捷、易操作、可重复强；本发明提供的氮硫共掺多孔磁性碳材料具有较大的比表面积，由其制成的吸附剂对甲基橙的吸附量高、吸附速度快，能够有效地吸附并回收水溶液中的甲基橙
多孔磁性碳材料氮硫共掺制备一步水热合成间苯二酚三聚氰胺甲基橙硫脲吸附甲醛可重复吸附剂吸附量有效地氮源硫源回收

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