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[发明专利]具有防止静电和截止紫外线双功能的透明镀膜玻璃及其制备方法-CN201010562026.7无效
发明人：赵青南;吴硕;赵修建 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C03C17/23 文献下载
摘要：该镀膜玻璃是在玻璃基片上直接镀制锑掺杂氧化锡纳米颗粒与氧化钛和氧化铈混合膜层制成，其结构是：锑掺杂氧化锡纳米颗粒与氧化钛和氧化铈混合膜层-玻璃基片-锑掺杂氧化锡纳米颗粒与氧化钛和氧化铈混合膜层，或者是锑掺杂氧化锡纳米颗粒与氧化钛和氧化铈混合膜层-玻璃基片；锑掺杂氧化锡纳米颗粒与氧化钛和氧化铈混合膜层中，各组份质量百分比为：锑掺杂氧化锡纳米颗粒1％～50％，氧化钛+氧化铈50％-99％；锑掺杂氧化锡纳米颗粒中，锑量为锡质量的3％～10％；膜层厚度
具有防止静电截止紫外线功能透明镀膜玻璃及其制备方法

[发明专利]一种锑掺杂二氧化锡纳米悬浮液及其制备方法-CN200810142569.6有效
发明人：单启越 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2008-07-27 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： C09C3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种锑掺杂二氧化锡纳米悬浮液及其制备方法。本发明采用将锑掺杂二氧化锡粉体分散在水中；加入表面处理剂和偶联剂，调节pH值2.0～5.0，对锑掺杂二氧化锡粉体进行表面改性；与有机溶剂共沸蒸馏；最后加入助剂得锑掺杂二氧化锡纳米悬浮液。本发明所提供的锑掺杂二氧化锡纳米悬浮液，包含纳米锑掺杂二氧化锡粉体、水、表面处理剂、偶联剂、pH调节剂和助剂，其特征在于：所述纳米悬浮液pH值为2.0～5.0。本发明所提供的锑掺杂二氧化锡纳米悬浮液可运用于基材表面的涂层，使得涂层的导电性能、稳定性以及耐磨擦性能良好。
一种掺杂氧化纳米悬浮液及其制备方法

[发明专利]铈-锑共掺杂氧化锡薄膜、粉体及其制备方法-CN201110361537.7有效
发明人：曾和平;张宝玉 -专利权人：广州市泰祥建材实业发展有限公司;曾和平
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： C09D1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铈-锑共掺杂氧化锡薄膜及其制备方法，所述薄膜由氧化铈、氧化锑和氧化锡组成，其中，铈元素：锑元素：锡元素的物质的量之比为1~4：1~4：100。本发明还公开了一种铈-锑共掺杂氧化锡粉体及其制备方法，所述粉体由氧化铈、氧化锑和氧化锡组成，其中，铈元素：锑元素：锡元素的物质的量之比为1~4：1~4：100。本发明的铈-锑共掺杂氧化锡薄膜/粉体的制备方法简单、成本低廉、生产工艺简便、适合于各类企业生产；将制备得到的铈-锑共掺杂氧化锡薄膜镀在白玻璃基材上，得到的镀膜玻璃在300~380nm的屏蔽效率为60%以上
掺杂氧化薄膜及其制备方法

[发明专利]锑掺杂氧化锡、红外线吸收颜料、红外线吸收油墨、印刷物及锑掺杂氧化锡的制造方法-CN201380024774.1无效
发明人：小林文人;吉住涉;岛根博昭;川崎正太;山田厚 -专利权人：共同印刷株式会社
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： C01G19/00 文献下载
摘要：一种锑掺杂氧化锡，所述锑掺杂氧化锡含有氧化锡与氧化锑，且满足下述(a)和/或(b)：(a)通过X射线衍射测定得到的2θ＝27°附近的半宽度(Δ2θ)在0.35以下；和/或(b)以所述锑掺杂氧化锡的重量为基准，所述氧化锑的含量为0.5～10.0重量％，并且，通过X射线衍射测定得到的2θ＝27°附近的峰的峰值除以半宽度(Δ2θ)所得值为结晶度，该值在18092以上。
掺杂氧化红外线吸收颜料油墨印刷制造方法

[发明专利]一种具有铈掺杂中间层的铅锑涂层钛阳极及其制备方法-CN202211700557.7有效
发明人：王程程;赵曙光;宋乐山;刘思;曾子玥;何超群;李得元;张颖;王俊;曹长;许大勇;何夏妹 -专利权人：深圳永清水务有限责任公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C02F1/461 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有铈掺杂中间层的铅锑涂层钛阳极，包括钛基体、铈掺杂的锡锑中间层，以及铅锑活性层，所述铈掺杂的锡锑中间层位于钛基体和铅锑活性层之间，所述铈掺杂的锡锑中间层是铈和锑分散在二氧化锡中；所述铅锑活性层的成分包括铅锑氧化物本发明在中间层引入稀土掺杂元素铈，在活性层对PbO2进行Sb的掺杂，同时改善了电极的电催化活性和使用寿命。
一种具有掺杂中间层涂层阳极及其制备方法

[发明专利]一种防静电材料及其制备方法和应用-CN202011473243.9有效
发明人：柯善军;田维;马超;赖俊涛 -专利权人：佛山欧神诺陶瓷有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷材料技术领域，公开了一种防静电材料及其制备方法和应用，该防静电材料包括如下原料组分：氧化锡、三氯化锑和晶种；晶种为锑掺杂氧化锡的纳米粉体。本发明防静电材料电阻率低，具有良好的防静电性，通过采用引入锑掺杂氧化锡的纳米粉体作为晶种，通过晶种诱导，促进锑掺杂氧化锡的形成，提高了产品的产率，同时将氧化锡和三氯化锑溶液通过超细研磨，可使锑均匀地附着在氧化锡颗粒表面
一种静电材料及其制备方法应用

[发明专利]抗静电功能增强板的制造方法-CN03154875.X无效
发明人：服部章良;长谷川真也;吉池信幸 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1998-09-09 - 公布日： 2004-05-05 - 主分类号： C03C17/42 文献下载
摘要：一种抗静电功能增强板，在其基底上包括：两层其上按不同量掺杂锡的掺锡氧化铟薄膜；两层其上按不同量掺杂锑的掺锑氧化锡薄膜；或两层其上按不同量掺铝的掺铝氧化锌薄膜。在上述的掺锡氧化铟薄膜、上述的掺锑氧化锡薄膜或上述的掺铝氧化锌薄膜的上(表面)层中锡、锑或铝的搀杂量大于下层锡、锑或铝的搀杂量。
抗静电功能增强制造方法

[发明专利]抗静电功能增强板和它的制造方法-CN98120357.4无效
发明人：服部章良;长谷川真也;吉池信幸 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1998-09-09 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： C03C17/42 文献下载
摘要：一种抗静电功能增强板，在其基底上包括：两层其上按不同量掺杂锡的掺锡氧化铟薄膜；两层其上按不同量掺杂锑的掺锑氧化锡薄膜；或两层其上按不同量掺铝的掺铝氧化锌薄膜。在上述的掺锡氧化铟薄膜、上述的掺锑氧化锡薄膜或上述的掺铝氧化锌薄膜的上(表面)层中锡、锑或铝的搀杂量大于下层锡、锑或铝的搀杂量。
抗静电功能增强制造方法

[发明专利]一种纳米银/锑掺杂氧化锡复合透明导电热反射涂层的制备方法-CN201610240388.1有效
发明人：徐雪青;梁柱荣;徐刚 -专利权人：中国科学院广州能源研究所
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： C09D1/00 文献下载
摘要：本发明提出一种纳米银/锑掺杂氧化锡复合透明导电热反射涂层的制备方法。在制备锑掺杂氧化锡溶胶的过程中采用乙二醇为溶剂及配位稳定剂，可有效地控制锑离子的水解与缩合，从而有效控制锑离子的掺杂浓度；此外，当锑掺杂氧化锡溶胶与纳米银溶胶混合时，纳米银不会聚沉，从而实现纳米银的有效掺入该方法具体包括以下步骤首先，分别配制纳米银溶胶和锑掺杂氧化锡溶胶，然后配制混合溶胶，最后在衬底上采用喷涂技术沉积得到纳米银/锑掺杂氧化锡复合透明导电热反射涂层。
一种纳米掺杂氧化复合透明导电反射涂层制备方法

[发明专利]一种防水雾透明导电玻璃及其制备方法和应用-CN202310820427.5在审
发明人：邱万奇;朱一方;焦东玲;钟喜春;刘仲武 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明的防水雾透明导电玻璃的组成包括疏水透明导电玻璃、温控电源、温度传感器和电极，疏水透明导电玻璃的组成包括依次设置的透明耐热玻璃、锑掺杂二氧化锡薄膜和疏水薄膜，锑掺杂二氧化锡薄膜包含若干锑掺杂二氧化锡柱状晶，锑掺杂二氧化锡柱状晶呈阵列状排布在透明耐热玻璃表面，疏水薄膜覆盖在锑掺杂二氧化锡柱状晶表面，温控电源与温度传感器和电极进行电连接，温度传感器和电极均设置在锑掺杂二氧化锡薄膜表面。
一种水雾透明导电玻璃及其制备方法应用

[发明专利]一种制备低电阻纳米粉体的方法-CN201310648103.4有效
发明人：汪建新;李颖;闫浩然;翁杰;冯波;周绍兵;鲁雄;屈树新;段可;卢晓英;智伟 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：通过金属元素锑和二氧化锡在无水的条件下掺杂经扩散、共沉淀和烧结制备锑掺杂二氧化锡纳米粉末，步骤一，将四氯化锡溶于无水乙醇，再按照摩尔比例为10:1加入三氯化锑，用甲醇溶解得混合溶液；步骤二，将该混合溶液置于碳酸铵的密封环境中，通过扩散法将氨气扩散到溶液中共沉淀出锑掺杂二氧化锡前驱体；步骤三，将得到的锑掺杂二氧化锡前驱体用含水量50%乙醇洗涤六次以上，烘箱中70℃烘干，步骤四，将烘干后的锑掺杂二氧化锡前驱体放入马弗炉中600
一种制备电阻纳米方法

[发明专利]锑掺杂二氧化锡纳米材料的制备方法及锑掺杂二氧化锡纳米材料-CN201310476364.2有效
发明人：朱朋莉;李松领;赵涛;孙蓉 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2013-10-12 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种锑掺杂二氧化锡纳米材料的制备方法及锑掺杂二氧化锡纳米材料。该锑掺杂二氧化锡纳米材料的制备方法包括向含有锡盐和锑盐的溶液加入浓氨水，搅拌反应，生成胶状沉淀；将所述胶状沉淀用阴离子交换树脂进行纯化，得到胶体溶液；将所述胶体溶液与分散剂混合后，冷冻干燥、研磨，得到前驱体；及将所述前驱体于550℃～850℃下煅烧0.5小时～6小时，得到所述锑掺杂二氧化锡纳米材料的步骤。上述制备方法将共沉淀与溶胶凝胶相结合，反应过程中无需调节体系pH，条件易控，工艺简单，经实验表明，所制备得到的锑掺杂二氧化锡纳米材料的粒径较小，且粒径分布较窄。
掺杂氧化纳米材料制备方法

[发明专利]高致密、高导电氧化锡锑陶瓷的制备方法-CN201210385928.7无效
发明人：沈强;李雪萍;陈斐;张联盟 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本发明是一种高致密、高导电氧化锡锑陶瓷的制备方法，其包括如下步骤：1）不同Sb掺杂含量的氧化锡锑纳米粉体制备：以Sb掺杂含量为20at.%的氧化锡锑和SnO2纳米粉体为原料，以球磨法制得Sb掺杂含量为1～20at.%的氧化锡锑纳米粉体；2）氧化锡锑纳米粉体的电场辅助低温快速致密化：将粉体装入模具中，利用电场辅助条件在较低温度下快速制得高致密氧化锡锑陶瓷；3）氧化锡锑陶瓷的低温均化处理：将所得陶瓷置于加热炉中，在空气中进行低温均化处理本发明制备的氧化锡锑陶瓷具有成本低、导电性好的特点，原料充足，工艺简单，致密化和均化处理的温度低，可大幅度降低能源消耗。
致密导电氧化陶瓷制备方法

[发明专利]一种钛基氧化铜掺杂锡锑氧化物电极的制备方法及应用-CN202011049229.6有效
发明人：宋启军;王婵;孙国巍;李德慧 -专利权人：江南大学
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C02F1/461 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛基氧化铜掺杂锡锑氧化物电极的制备方法及应用，属于电极材料制备领域。本发明所述的制备氧化铜掺杂锡锑氧化物电极的方法，包括如下步骤：对钛基材进行预处理、超声铜活化、化学沉积锡和锑、煅烧，得到氧化铜掺杂锡锑氧化物电极；其中化学沉积锡和锑采用的A液中含有硫脲、醋酸、磷酸二氢钠、OP‑10、聚乙二醇；B液中硫酸、柠檬酸、锡盐、SbCl3的质量体积比为90uL：1.5g：0.575g～3.45g：12～48mg；煅烧是在400‑650℃本发明制备的氧化铜掺杂锡锑氧化物电极具有高析氧电位达到2.13V(vs.SHE)，适用于难降解废水的完全降解，100min可实现20mg/L染料几乎完全降解。
一种氧化铜掺杂氧化物电极制备方法应用

[发明专利]一种粉煤灰负载纳米锑掺杂氧化锡复合材料及其制备方法-CN202210245796.1在审
发明人：王彩丽;秋颖;杨润全 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C08K9/12 文献下载
摘要：一种粉煤灰负载纳米锑掺杂氧化锡复合材料及其制备方法，属于矿物材料加工技术领域，不但可以改善纳米锑掺杂氧化锡易团聚、价格贵的问题，还可以改善粉煤灰空心微珠填充聚合物抗静电性能差的问题。以粉煤灰为原料，SnCl4及SbCl3混合溶液和NaOH为包覆剂，采用化学沉淀法制备了一种粉煤灰负载纳米锑掺杂氧化锡复合材料本发明对于降低纳米锑掺杂氧化锡使用成本、提高纳米锑掺杂氧化锡在聚合物中的分散性、粉煤灰表面改性技术及矿物粉体抗静电性能技术的进步具有重要意义。
一种粉煤负载纳米掺杂氧化复合材料及其制备方法

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