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[发明专利]一种锑化物量子点超晶格结构及其生长方法-CN201910187930.5有效
发明人：于天;刘舒曼;宁超;徐波;刘峰奇;陈涌海;王利军;刘俊岐;张锦川;卓宁;翟慎强;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种锑化物量子点超晶格结构及其生长方法，该锑化物量子点超晶格结构包括：一衬底；外延在衬底上的一层或多层缓冲层；在缓冲层上沉积Sb形成的一锑化物过渡层；外延于过渡层上的一锑化物量子点层；外延于量子点层上的一抑制层由于该锑化物量子点超晶格结构中引入了抑制层，如若在该结构上继续生长新的砷化物盖层，则能隔绝盖层中As与锑化物量子点中Sb的接触，有效抑制在锑化物量子点上生长砷化物盖层时As与Sb之间发生的交换现象，获得高质量的锑化物量子点超晶格结构
一种锑化物量子晶格结构及其生长方法

[发明专利]锑化物高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202011438021.3在审
发明人：倪健;董海云;薛聪 -专利权人：埃特曼（深圳）半导体技术有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种锑化物高电子迁移率晶体管及制备方法，所述制备方法包括：提供衬底；于所述衬底的表面形成电子阻挡层；于所述电子阻挡层的表面形成锑化物外延结构。通过在锑化物外延结构和衬底之间设计引入电子阻挡层，解决衬底中的原子向上层结构扩散可能带来的器件漏电以及衬底原子不可控的扩散增加沟道层中电子浓度的控制难度等问题；锑化物外延结构既保证整体锑化物高分子迁移率晶体管的正常工作，同时缓解了常见的衬底与上层锑化物存在的晶格失配的问题，进而有效提高锑化物高电子迁移率晶体管沟道的电子浓度和在室温条件下的电子迁移率。
锑化物高电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]锑化物高电子迁移率晶体管及其制造方法-CN200910236705.2无效
发明人：李彦波;张杨;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种锑化物高电子迁移率晶体管，包括：一衬底；一复合缓冲层，该复合缓冲层生长在衬底上；一锑化物下势垒层，该锑化物下势垒层生长在复合缓冲层上；一沟道层，该沟道层生长在锑化物下势垒层上；一锑化物隔离层，该锑化物隔离层生长在沟道层上；一掺杂层，该掺杂层生长在锑化物隔离层上；一上势垒层，该上势垒层生长在掺杂层上；一帽层，该帽层生长在上势垒层上。本发明同时公开了一种制造锑化物高电子迁移率晶体管的方法。
锑化物高电子迁移率晶体管及其制造方法

[发明专利]一种锑化物量子阱CMOS器件的结构及其制备方法-CN202110480285.3在审
发明人：张静 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种锑化物量子阱CMOS器件的结构及其制备方法，属于微电子技术领域。所述器件结构包括：衬底；所述衬底上设有缓冲层；所述缓冲层上相对独立的设置有p沟道锑化物量子阱层和n沟道锑化物量子阱层；所述p沟道锑化物量子阱层和n沟道锑化物量子阱层之间设有钝化隔离层。本发明提供的锑化物量子阱结构一方面可以通过组分调控降低晶格失配造成的位错密度，另一方面通过势垒层将沟道与高k栅介质有效隔离，在沟道表面形成二维电子/空穴气，从而提升迁移率，使得器件性能提高。本发明还提供一种锑化物量子阱CMOS器件的制备方法，实现了同体系n沟道和p沟道材料的外延生长。
一种锑化物量子 cmos 器件结构及其制备方法

[发明专利]锑化物及其器件的表面钝化方法-CN200410093249.8无效
发明人：李爱珍;张雄;齐鸣;张永刚 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2004-12-17 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型的锑化物及其器件的表面硫钝化方法。包括钝化前的表面预处理与表面硫钝化方法。本发明的锑化物表面处理方法克服了常规表面腐蚀形成的高低不平的粗糙表面与界面形貌，获得了致密的平整光滑表面和界面形貌，保证后续腐蚀速率和器件工艺可控；所发明的锑化物中性硫化氨钝化技术比传统的碱性硫化氨钝化技术有更好的钝化效果所提出的锑化物硫钝化过程的物理化学机制有力地阐明了本发明的依据并指导了锑化物硫钝化技术的发展。本发明提供的表面钝化的方法适用于提高锑化物表面平整度和器件性能。
锑化物及其器件表面钝化方法

[发明专利]过渡金属二锑化物/石墨烯复合材料及其制备方法和应用-CN201210254858.1无效
发明人：谢健;郑云肖;刘双宇;宋文涛;朱铁军;曹高劭;赵新兵 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-07-23 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种过渡金属二锑化物/石墨烯复合材料，由纳米级过渡金属二锑化物和石墨烯组成，所述的过渡金属二锑化物的通式为MxSb2，其中M代表VIII族过渡金属元素，0.95≤x≤1.05。该复合材料中过渡金属二锑化物由于石墨烯的分散和承载作用能够均匀分布，可有效提高过渡金属二锑化物在充放电过程中的稳定性，可用作锂离子电池负极材料。
过渡金属二锑化物石墨复合材料及其制备方法应用

[发明专利]热蒸发制备掺杂锑化物薄膜P-N结的方法-CN201110119447.7无效
发明人：隋妍萍;何炜瑜;乔在祥;阮建明;李涛;张德贤 -专利权人：南开大学
申请日： 2011-05-10 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：一种热蒸发制备锑化物薄膜P-N结的方法。该方法包括：将洁净的衬底置于高真空镀膜系统的腔室内，将系统抽至高真空；将衬底加热，并保持在设定温度；在蒸发源中加入掺杂源，采用热蒸发的方法，将各个蒸发源加热，通过共蒸发制备掺杂锑化物薄膜材料，调节蒸发源温度可以得到不同掺杂浓度的P型和N型锑化物材料；通过使用不同衬底和蒸发源得到锑化物的同质结或异质结P-N结构。
蒸发制备掺杂锑化物薄膜方法

[发明专利]一种在大晶格失配基底上异质外延生长锑化物半导体的方法-CN201410843205.6有效
发明人：张宝林;王连锴;吕游;刘仁俊 -专利权人：吉林大学
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：一种在大晶格失配基底上异质外延生长锑化物半导体的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明是在生长锑化物半导体前，以其他物理沉积(如磁控溅射)薄膜制备技术预先在硅衬底上沉积铝(或AlSb)薄层。当锑化物生长开始时，已经存在的AlSb缓冲层结构将提升锑化物半导体层覆盖度。整个生长过程没有在MOCVD系统中引入有机铝源，避免了设备的铝污染。该方法不仅可以提升锑化物在大晶格失配衬底上的表面覆盖度，而且可以避免铝源在设备中的记忆效应。
一种晶格失配基底上异质外延生长锑化物半导体方法

[发明专利]一种锑化物磨抛夹具及锑化物晶片的磨抛方法-CN202210989982.6有效
发明人：练小正;许照原;胡萍 -专利权人：苏州燎塬半导体有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B24B41/06 文献下载
摘要：本发明提供的一种锑化物磨抛夹具及锑化物晶片的磨抛方法，所述夹具包括硬质薄板和软垫；所述硬质薄板上开特定形状的孔，在相对应的开孔处多加开一个圆弧开口；所述硬质薄板完全重合的粘在圆柱形磨头的上表面上；所述软垫的形状与硬质薄板的开孔大小相等该设计使得锑化物磨抛过程中不用粘蜡，无需加热，保证晶片抛光后不被氧化，获得了高质量的锑化物衬底。
一种锑化物磨抛夹具锑化物晶片方法

[发明专利]一种锑化物晶体生长装置及生长方法-CN201911081896.X有效
发明人：狄聚青;朱刘;刘运连;易明辉;黄幸慰;薛帅;崔博;方义林 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种锑化物晶体生长装置及生长方法。本发明通过将高纯原料置于船形石英坩埚内，船形石英坩埚的一端的籽晶槽内装有籽晶，升温使高纯原料反应并熔化成锑化物熔体，熔体与籽晶接触后开始晶体生长，一次晶体生长之后，通过多次单晶区熔进行提纯，降温冷却后得到锑化物晶体该生长方法工序简单、效率高，且得到的锑化物晶体结晶性能良好，无开裂，无气泡、夹杂等缺陷，单晶重复率较高，成晶率达到90％～100％。
一种锑化物晶体生长装置生长方法

[发明专利]一种长波长锑化物半导体激光器结构-CN201110108055.0无效
发明人：李占国;尤明慧;刘国军;高欣;李林;李辉;芦鹏;王勇;邹永刚;乔忠良;李梅;曲轶;薄报学 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明是一种长波长锑化物半导体激光器结构，属于半导体激光器新型材料的外延结构领域。本发明针对锑化物激随波长增加，功率、效率等变差的问题和缺点，提出一种长波长锑化物半导体激光器结构，该激光器结构能够减小因自由载流子吸收等引起的激光器功率和效率变差的问题。该激光器结构具有光模损耗小，空穴限制强，内损耗小，量子阱激光器结构效率高等特点，可以改善锑化物激光器的功率、效率等性能。
一种波长锑化物半导体激光器结构

[发明专利]大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法-CN201110283050.1有效
发明人：张雨溦;张杨;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-09-22 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管，包括：一衬底；一复合缓冲层，生长在衬底上；一插入层，生长在复合缓冲层上；一AlSb隔离层，生长在插入层上；一子沟道层，生长在AlSb隔离层上；一锑化物下势垒层，生长在子沟道层上；一InAs沟道层，生长在锑化物下势垒层上；一锑化物隔离层，生长在InAs沟道层上；一掺杂层，生长在锑化物隔离层上，该掺杂层是Si平面掺杂的InAs，或者是Te的δ掺杂；一上势垒层，生长在掺杂层上
失配衬底锑化物高电子迁移率晶体管制造方法

[发明专利]立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法-CN201510763100.4有效
发明人：潘东;赵建华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种立式III‑V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法，包括：步骤(a)：在半导体衬底上制备用于催化纳米线生长的多个金属催化剂颗粒；步骤(b)：在半导体衬底上利用金属催化剂颗粒催化生长III‑V族半导体纳米线，该金属催化剂颗粒位于III‑V族半导体纳米线的顶端；步骤(c)：在III‑V族半导体纳米线的轴向上外延立式III‑V族锑化物半导体单晶薄膜，完成制备。本发明很容易实现立式III‑V族锑化物半导体单晶薄膜的大批量生产，可以大大节约III‑V族锑化物半导体单晶薄膜的生产成本。
半导体单晶薄膜锑化物金属催化剂颗粒制备半导体纳米线衬底半导体催化纳米生长催化生产成本节约生产

[发明专利]一种锑化物半导体器件及其制备方法-CN202210318438.9在审
发明人：董海云;倪健;薛聪 -专利权人：埃特曼（北京）半导体技术有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，具体公开了一种锑化物半导体器件及其制备方法，由下至上依次包括硅基衬底、图形化缓冲层、三维柱状缓冲层及锑化物结构层；所述图形化缓冲层包括图形化排列的凸起基座，所述三维柱状缓冲层的柱状结构依托所述凸起基座生长；所述柱状结构在所述三维柱状缓冲层的顶部互相连接形成二维结晶面，所述锑化物结构层生长于所述二维结晶面上。本发明的二维结晶面上具有规律的凸起和凹陷，可以有效缓解晶格失配应力、热应力，并缓解锑化物生长在硅基衬底上的反相畴缺陷问题，得到有源区结晶质量高的锑化物半导体器件，且本发明中的缓冲层结构组分简单，在MOCVD
一种锑化物半导体器件及其制备方法

[发明专利]中空核壳型锑碳复合负极材料及其制备方法、二次电池-CN202110124229.6在审
发明人：谷猛;杨旭明;祝远民;赵海燕 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：其中，制备方法包括步骤：获取氧族锑化物，将所述氧族锑化物与可聚合单体分散在水中，添加氧化剂进行聚合反应，得到聚合物包覆的氧族锑化物；对所述聚合物包覆的氧族锑化物进行热还原处理，得到中空核壳型锑碳复合负极材料
中空核壳型锑碳复合负极材料及其制备方法二次电池

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