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[发明专利]一种均匀掺镁铌酸锂多晶料的批量化合成方法-CN201410158340.7有效
发明人：桑元华;孙德辉;康学良;梁龙跃;王东周;冯彧;乔永军;刘宏 -专利权人：山东大学
申请日： 2014-04-18 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种均匀掺镁铌酸锂多晶料的批量化合成方法，属于无机材料制备领域。该方法将氧化镁溶解于有机酸中，使其与有机酸完全反应，形成无色透明溶液，然后加入一定配比（化学计量比或同成分）的氧化铌和碳酸锂纳米颗粒，经过球磨技术形成混合均匀的悬浊液。对悬浊液采用喷雾干燥技术得到掺镁铌酸锂多晶的前驱体，这样的前驱体颗粒是镁离子均匀地掺入氧化铌和碳酸锂的纳米颗粒。最后低温煅烧前驱体得到成分均匀颗粒状掺镁铌酸锂多晶料。本发明所用原料为常规材料，氧化铌和碳酸锂在溶液中混合更加均匀。该方法适用于其他掺杂原料的合成，具有普适性。
一种均匀掺镁铌酸锂多晶批量化合成方

[实用新型]基于双折射相位匹配的宽带倍频波导器件-CN202121990794.2有效
发明人：仇晶;陈险峰 -专利权人：济南量子技术研究院
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G02F1/377 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于双折射相位匹配的宽带倍频波导器件，包括由下至上依次设置的铌酸锂衬底层、二氧化硅层和掺镁铌酸锂薄膜层，所述宽带倍频器件沿与掺镁铌酸锂薄膜Z轴成一定角度的方向切割而成；所述掺镁铌酸锂薄膜层上设置有两条不相交、非平行设置的槽，两条槽之间设置有铌酸锂波导结构。
基于双折射相位匹配宽带倍频波导器件

[发明专利]一种大尺寸X轴或Y轴掺镁铌酸锂单晶极化装置及方法-CN202210001980.1有效
发明人：夏钰坤;夏宗仁;夏文英;张婷 -专利权人：江西匀晶光电技术有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：一种大尺寸X轴或Y轴掺镁铌酸锂单晶极化装置，包括：极化炉，用于掺镁铌酸锂单晶的极化；坩埚，内置于极化炉，作为极化容器；弧形负电极、弧形正电极，相对设置且分别连接有引出线引出至极化炉外；掺镁铌酸锂单晶，立放于坩埚内且处于弧形负电极、弧形正电极所围的柱面空间内；所述坩埚、弧形负电极、弧形正电极、掺镁铌酸锂单晶之间填充LN晶粉。本发明采用立放的方式取代现有的卧放方式，避免了极化过程中可能出现的各种极化失败的风险，使得掺镁铌酸锂单晶单畴化完全，成功率高。
一种尺寸轴掺镁铌酸锂单晶极化装置方法

[发明专利]一种自准直空间型铌酸锂电光相位调制器及其制备方法-CN202110248273.8有效
发明人：华平壤;丁宁;戎士铖 -专利权人：天津大学
申请日： 2021-03-07 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明的一种一种自准直空间型铌酸锂电光相位调制器及其制备方法，包括自准直空间型电光相位调制器包括电极(1)，掺镁铌酸锂晶体近表面折射率渐变层(2)和高折射率掺镁铌酸锂晶体芯层(3)；其中在电极(1)的两极之间设置所述高折射率掺镁铌酸锂晶体芯层(3)；所述掺镁铌酸锂晶体近表面折射率渐变层(2)成对地设置于高折射率掺镁铌酸锂晶体芯层(3)与所述电极(1)形成的空间中。与现有的铌酸锂空间型电光相位调制器相比，本发明具有更低的半波电压、更大的光强承受能力、更低的传输损耗和更高的调制效率；输入光束无需进行准直，减少了系统复杂程度，可直接与大芯径、大模场光纤直接连接，扩展了应用场景
一种空间型铌酸锂电光相位调制器及其制备方法

[发明专利]一种掺氧化镁同成分铌酸锂晶片及其制备方法-CN201210335651.7有效
发明人：张婷;曹远虎;夏宗仁;梁万国 -专利权人：江西匀晶光电技术有限公司
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺氧化镁同成分铌酸锂晶片，其中氧化镁含量为5.5~6.5mol%，晶片厚度0.5~3mm。本发明还公开了所述掺氧化镁同成分铌酸锂晶片的制备方法，首先是应用提拉法生长掺镁浓度为5.2～6mol%、适量富铌的铌酸锂晶体，晶体经过退火极化处理，再切割成晶片，将切割晶片埋入掺镁浓度为5.5～6.5mol%的同成分铌酸锂粉料中，再在1000℃～1150℃温度下恒温20～40小时进行扩散热处理，即得到所述掺氧化镁同成分铌酸锂晶片。本发明制备的掺氧化镁铌酸锂晶片成分均匀，折射率分布均匀，掺镁浓度高，铌锂比接近同成分配比，内部缺陷少，电畴反转电压较低，适合批量化的PPLN器件技术要求。
一种氧化镁成分铌酸锂晶片及其制备方法

[发明专利]基于Pt衬底的外延取向铌酸锂薄膜及其生长方法-CN201810536490.5有效
发明人：郑大怀;宋晓鹏;孔勇发;李文灿;贾龙飞;王烁琳;刘宏德;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明属于铁电薄膜生长方法领域，主要涉及同成分、掺镁和掺铁铌酸锂薄膜及其生长方法。选择(111)晶向Pt，简称Pt(111)，基片为衬底，选取提拉法生长的同成分、掺镁6.5mol％和掺铁8.0wt％的铌酸锂单晶为靶材。利用脉冲激光沉积方法，制备高质量的(006)外延取向同成分、掺镁6.5mol％和掺铁8.0wt％的铌酸锂薄膜。所述薄膜可应用于制备波导、微腔、传感器、探测器、电光调制器；所述方法操作简捷、易于纳米级高质量外延铌酸锂薄膜的生长，便于微观尺度铌酸锂薄膜铁电畴调控、为制作和研究铌酸锂薄膜器件奠定基础。
铌酸锂薄膜掺铁生长外延取向衬底制备脉冲激光沉积电光调制器提拉法生长铌酸锂单晶铁电薄膜微观尺度传感器纳米级铁电畴探测器靶材波导晶向微腔薄膜调控制作应用研究

[发明专利]一种高Q值锂镁铌系微波介质陶瓷-CN201610917548.1在审
发明人：张平;刘路;赵永贵 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种高Q值锂镁铌系微波介质陶瓷，以Li2CO3、MgO、Nb2O5、CaCO3为原料，按Li3(Mg1‑xCax)2NbO6，其中0.02≦x≦0.08的化学计量比进行配料，经过球磨、烘干、过筛，于925℃煅烧，再经二次球磨、造粒，压力成型为坯体，坯体在1100～1180℃烧结，制得高Q值锂镁铌系微波介质陶瓷。
一种值锂镁铌系微波介质陶瓷

[发明专利]一种掺镁铌酸锂畴结构的制备方法-CN202110003399.9有效
发明人：马超群;陈伟;刘袁;张旺;崔国新;陆延青 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供一种掺镁铌酸锂畴结构的制备方法，所述制备方法通过依次在掺镁铌酸锂晶体表面进行第一次涂覆光刻胶、光刻与显影、镀膜、剥离光刻胶、第二次涂覆光刻胶和加压极化制备金属电极图案，实现制备掺镁铌酸锂晶体畴结构，通过两次涂覆光刻胶和加压极化的制备方法，能够在较大厚度的掺镁铌酸锂表面得到任意的、均匀的、贯穿的、稳定存在的畴结构，成品率高，所述制备方法简单，且操作安全。
一种掺镁铌酸锂畴结构制备方法

[发明专利]一种片上中红外声光调制器及其制备方法-CN202110523239.7有效
发明人：万磊;温美逊;周文丰;冯天华;杨帅峰 -专利权人：暨南大学
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G02F1/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型高效率的片上中红外声光调制器及其制备方法，所述新型高效率的片上中红外声光调制器包括设置在基片上的铌酸锂‑硫系玻璃异质层，所述铌酸锂‑硫系玻璃异质层包括铌酸锂薄膜以及铌酸锂薄膜上异质集成的红外硫系光波导，所述红外硫系光波导由单层或者多层不同组分硫系玻璃薄膜材料组成，所述铌酸锂薄膜上设置叉指换能器，所述叉指换能器包括若干叉指电极。本发明综合利用硫系玻璃材料优异的声光特性、红外谱段透明性与铌酸锂薄膜显著的压电效应，集成声表面波换能器与硫系光波导元件，解决了中红外光波损耗与声波损耗之间的平衡问题，进而解决了高频率瑞利声表面波与中红外光波导两者间互相作用的问题
一种片上中红外声光调制器及其制备方法

[发明专利]一种具有介质反射栅结构增强型声光调制器及其制备方法-CN202310676873.3在审
发明人：万磊;周文丰;江建滔;李洋;马永杰;王凯峰 -专利权人：天津大学浙江国际创新设计与智造研究院;暨南大学
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G02F1/11 文献下载
摘要：本发明公开一种具有介质反射栅结构增强型声光调制器及其制备方法，涉及集成光学技术领域，其中，所述声光调制器包括：基片以及设置在基片上的铌酸锂‑硫系玻璃异质层，所述铌酸锂‑硫系玻璃异质层包括铌酸锂薄膜以及铌酸锂薄膜上异质集成的硫系光波导和硫系介质型反射栅，所述铌酸锂薄膜上设置叉指换能器，若干所述硫系介质型反射栅关于所述叉指换能器对称设置。本发明使用硫系介质型反射栅对单臂以及双臂推挽调制进行声波的增强，提高叉指换能器激发的声波强度。另外本发明利用X‑(‑30°)Y或者X‑(30°)Y切向的铌酸锂高机电耦合系数，提高微波到声波的转换效率。
一种具有介质反射结构增强声光调制器及其制备方法

[发明专利]掺锡铌酸锂晶体-CN200910068819.0无效
发明人：刘士国;孔勇发;王利忠;许京军;陈绍林;黄自恒;张玲 -专利权人：南开大学
申请日： 2009-05-13 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺锡铌酸锂晶体，在铌酸锂晶体中掺入有锡离子Sn⁴⁺，所述锡离子Sn⁴⁺的掺入量为0.1～6.0mol％(摩尔百分比)，且铌酸锂晶体中含有比例为(0.93～1.41)∶1的锂离子Li¹⁺与铌离子Nb³⁺。本发明公开的掺锡铌酸锂晶体具有掺杂阈值低，抗光折变能力较强，且易于生长等优点。本发明的掺锡铌酸锂晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高了4个量级，比同成分掺镁铌酸锂晶体提高了1个量级，因此其作为一种掺杂阈值低、抗光折变能力强、且易于生长的光学材料，可以完全取代高掺镁铌酸锂晶体的应用
掺锡铌酸锂晶体

[发明专利]掺锆铌酸锂晶体-CN200610129356.0无效
发明人：刘士国;孔勇发;赵艳军;许京军;陈绍林;黄自恒;张玲 -专利权人：南开大学
申请日： 2006-11-11 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：掺锆铌酸锂晶体。本发明属非线性光学晶体领域。它的特征是在铌酸锂晶体中掺入锆离子，锆离子Zr⁴⁺的掺入量大于0.01mol％。本发明提供了一种新的抗光折变掺杂离子Zr⁴⁺，它的掺杂阈值低，易于生长出高品质的晶体，且抗光折变能力强，超过阈值以后晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高6个量级，比同成分掺镁(4.6mol％)铌酸锂晶体提高了3个量级。本发明之掺锆铌酸锂晶体，完全可以取代高掺镁铌酸锂晶体的应用，具有巨大的市场前景。
掺锆铌酸锂晶体

[发明专利]一种负离子功能材料及其制备方法和应用-CN202210294310.3有效
发明人：张志杰;钟明峰;李慧敏;汤雯晶;许雷义 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明的负离子功能材料的制备方法包括以下步骤：1)将氧化铌和碳酸锂球磨后进行煅烧，得到铌酸锂；2)将氧化镁和表面活性剂分散在有机酸溶液中，再加入氨水调节pH至7～10，再加入氧化铌和碳酸锂后进行球磨，再进行煅烧，得到掺镁铌酸锂；3)将铌酸锂或掺镁铌酸锂与聚乙烯醇溶液混合后进行造粒，再压制成片后进行直流极化和煅烧，即得负离子功能材料。
一种负离子功能材料及其制备方法应用

[发明专利]一种高品质因数锂镁铌系微波介质陶瓷-CN201510728848.0在审
发明人：张平;赵永贵 -专利权人：天津大学
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种高品质因数锂镁铌系微波介质陶瓷，其组成为Li₃(Mg_0.95A_0.05)₂NbO₆₃、Nb₂O₅原料按化学式配料，再经过球磨、烘干、过筛、煅烧、二次球磨、造粒后压制成型为坯体，于1120～1180℃烧结，制得锂镁铌系微波介质陶瓷
一种品质因数锂镁铌系微波介质陶瓷

[发明专利]一种有效降低锂镁铌系微波介质陶瓷烧结温度的方法-CN201610916717.X在审
发明人：张平;刘路;赵永贵 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种有效降低锂镁铌系微波介质陶瓷烧结温度的方法，以Li2CO3、MgO、Nb2O5、CaCO3为原料，按Li3(Mg0.96Ca0.04)2NbO6的化学计量比进行配料，经磨球、烘干、过筛后于925℃煅烧，再外加质量百分比为2％～8％的LiF，二次球磨，烘干后再外加质量百分比为8％的石蜡进行造粒，再压制成型为坯体，坯体于875～975℃烧结，制得低温烧结低损耗锂镁铌系微波介质陶瓷。
一种有效降低锂镁铌系微波介质陶瓷烧结温度方法

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