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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]抗单粒子翻转的D触发器-CN201110322680.5有效
发明人：陈书明;梁斌;李鹏;池雅庆;刘必慰;何益百;陈建军;刘真;杜延康;秦军瑞 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： H03K3/013 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗单粒子翻转的D触发器，目的是提高抗单粒子翻转的D触发器抗单粒子翻转能力。它由时钟电路、主锁存器、从锁存器、第一反相器电路和第二反相器电路组成，主锁存器由十个PMOS管和十个NMOS管组成，从锁存器由十个PMOS管和十个NMOS管组成，主锁存器和从锁存器均进行了双模冗余加固，主锁存器和从锁存器中C2MOS电路也进行了改进，即分离互为冗余的C2MOS电路中的上拉PMOS管和下拉NMOS管。本发明抗单粒子翻转的D触发器的抗单粒子翻转能力强，适合用于抗单粒子翻转加固集成电路的标准单元库，应用于航空、航天等领域。
粒子翻转触发器

[发明专利]包括熔丝锁存器的半导体器件-CN202010625336.2在审
发明人：千德秀 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：包括熔丝锁存器的半导体器件。公开了一种半导体器件的熔丝锁存器。该半导体器件的熔丝锁存器包括多个PMOS晶体管和多个NMOS晶体管。该熔丝锁存器包括被配置为锁存熔丝单元数据的多个PMOS晶体管和多个NMOS晶体管。在熔丝锁存器中，多个PMOS晶体管和多个NMOS晶体管在第二方向上在每个有源区中以两条线的形状布置。
包括熔丝锁存器半导体器件

[发明专利]一种锁存比较器电路及锁存比较实现方法-CN202010143835.8在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：北京钛方科技有限责任公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H03K5/22 文献下载
摘要：一种锁存比较器电路及锁存比较实现方法，其中，锁存比较器电路包括电源控制模块、比较器模块、输出锁存模块和控制信号生成模块，所述电源控制模块用于根据所述控制信号生成模块输出的控制信号，打开或关闭所述比较器模块的电源通路；所述比较器模块用于在再生阶段开始时，对第一输入信号和第二输入信号进行比较，及输出比较结果；所述输出锁存模块用于在再生阶段对所述比较结果进行锁存，输出的锁存信号作为所述锁存比较器电路的输出信号；所述控制信号生成模块用于在复位阶段，输出用于关闭所述电源通路的控制信号；在再生阶段，开始时输出用于打开所述电源通路的控制信号，在所述比较器模块输出比较结果后输出用于关闭所述电源通路的控制信号。
一种比较电路实现方法

[发明专利]LED显示屏驱动芯片、锁存信号生成方法及系统-CN201910430233.8有效
发明人：李科举;刘盛彬 -专利权人：富满微电子集团股份有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明提供的LED显示屏驱动芯片，包括控制器、行扫描驱动单元、LED阵列和列输出驱动单元；其中控制器的输出端连接行扫描驱动单元的输入端，行扫描驱动单元的输出端所述LED阵列；列输出驱动单元包括移位寄存器、锁存器、恒流输出单元和锁存解码单元；控制器的数据输出端口和时钟端口还连接至锁存解码单元的输入端，锁存解码单元的输出端连接至所述锁存器的控制端。该芯片由现有的4线LED显示屏控制改为3线LED显示屏控制，省去了控制器的数据锁存端口LA。列输出驱动单元内部增加了锁存解码单元，通过数据输出端口信号和时钟端口信号复原LA数据锁存信号，简化了现有LED显示屏驱动芯片结构，减少了外接端口。
led 显示屏驱动芯片信号生成方法系统

[发明专利]检测相位的电路和方法-CN200510109880.7无效
发明人：朴光一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-07-27 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： H03D13/00 文献下载
摘要：一种用于检测相位的电路，包括第一反相器、第二反相器、差动放大器、输出负载锁存器和输出锁存器。第一和第二反相器接收输入信号和反相输入信号从而响应于时钟信号和第一第二控制信号而分别产生第一和第二差动输入信号，并且阻断输入信号和反相输入信号的传输。输出负载锁存器锁存第一和第二差动输出信号以产生第一和第二锁存输出信号。输出锁存器锁存第一和第二锁存输出信号以输出相位检测信号。
检测相位电路方法

[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法以及半导体存储器系统-CN202110382033.7在审
发明人：崔亨进 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器装置及其操作方法以及半导体存储器系统。半导体存储器装置可以包括缓存锁存电路和感测锁存电路。缓存锁存电路可以存储设置数据。感测锁存电路可以存储感测数据。
半导体存储器装置及其操作方法以及系统

[发明专利]错误检测和纠正电路-CN201910322597.4在审
发明人：穆罕默德·塞义夫·库尼亚图·谢赫;维卡什;安迪·旺坤·陈 -专利权人： ARM有限公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：一种集成电路可以包括锁存电路，该锁存电路具有每个位单元行的锁存器，该锁存器将有效匹配数据锁存到每个位单元行的锁存器中。该集成电路可以包括优先级编码电路，该优先级编码电路从每个位单元行的锁存器接收有效匹配数据。该集成电路可以包括第一逻辑电路，该第一逻辑电路耦合在位单元阵列与优先级编码电路之间，从而有助于将有效匹配数据提供给锁存电路。
锁存器优先级编码电路锁存电路有效匹配位单元集成电路错误检测电路单元阵列数据锁存数据提供耦合纠正在位

[实用新型]时间可调式三重点采样抗干扰滤波器-CN201220213767.9有效
发明人：冯俊萍;赵景波;贝绍轶;刘海妹;赵良 -专利权人：江苏技术师范学院
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H03H9/46 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种结构简单、可调节滤波性能的时间可调式三重点采样抗干扰滤波器，包括：第一、第二和第三锁存器，时钟发生器，三输入或门，三输入与非门和触发器；第一锁存器的D端为信号输入端，第一锁存器的Q端与第二锁存器的D端相连，第二锁存器的Q端与第三锁存器的D端相连，第一、第二和第三锁存器的Q端分别与三输入或门的三个输入端相连，第一、第二和第三锁存器的Q端还分别与三输入与非门的三个输入端相连；三输入或门的输出端与所述触发器的CD端相连，三输入与非门的输出端与所述触发器的SD端相连，所述触发器的Q端的信号输出端；所述第一、第二和第三锁存器的CLK端与所述时钟发生器的时钟信号输出端相连。
时间调式重点采样抗干扰滤波器

[发明专利]一种快速响应的动态锁存比较器-CN201910338368.1有效
发明人：樊华;杨静萱;冯全源;蔡经纬;李大刚;胡达千;岑远军 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H03M1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速响应的动态锁存比较器，应用的技术领域是逐次逼近模数转换器。本发明的特征在于，提高复位时的比较器输出电压，有效提高比较器响应速度；因而本发明技术方案为一种快速响应的动态锁存比较器，该比较器包括：预放大结构和锁存结构。本发明提出的动态锁存比较器相比，本发明提出的动态锁存比较器响应时间更快。
一种快速响应动态比较

[发明专利]具有低占空比失真的电平转换器-CN200880021847.0有效
发明人： C·李 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2008-06-25 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：电平转换器(100)包括逆变电路(104)、交叉耦合电平转换锁存器(102)和SR逻辑门锁存器(103)。该电平转换锁存器的第一和第二输出耦合到SR锁存器的设置(S)输入和重置(R)输入。由第一供电电压VDDL供电的逆变电路提供输入信号的未经逆转的版本(IND)到电平转换锁存器的第一输入(112)上并且提供输入信号的经逆转的版本(INB)到电平转换锁存器的第二输入(113)上。输入信号的低-高转变重置SR锁存器，而高-低转变设置SR锁存器。电平转换器的占空比失真偏移在电压、工艺和温度角下小于五十皮秒，而且电平转换器具有大于VDDL的标称值的四分之一的供电电压裕度。
具有低占空失真电平转换器

[实用新型]一种开关磁阻电机驱动器锁存故障信号及复位故障信号电路-CN201921768312.1有效
发明人：张想平;梁淑娥;陈坤林;邹绍洪;岳剑锋 -专利权人：浙江中自机电控制技术有限公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H02J7/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种开关磁阻电机驱动器锁存故障信号及复位故障信号电路，包括直流电源Vcc，其特征是包括控制器、能利用故障信号把故障信号锁存在硬件电路里的故障锁存电路和能够放大输入电压的复位电路，控制器第一输出端连接复位电路输入端，复位电路输出端连接故障锁存电路输入端，故障锁存电路的故障信号输出端连接控制器第一输入端。本实用新型提供一种故障信号在软件不能锁存时能通过硬件电路锁存故障信号的开关磁阻电机驱动器锁存故障信号及复位故障信号电路。
一种开关磁阻电机驱动器故障信号复位电路

[发明专利]用于飞行时间3D图像传感器的预充电经锁存像素单元-CN201410822490.3有效
发明人：孙天佳;王睿;代铁军 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于飞行时间3D图像传感器的预充电锁存像素单元。一种像素单元包含锁存器，所述锁存器具有输入端子及输出端子。所述锁存器经耦合以响应于所述输入端子在所述输出端子处提供经锁存输出信号。第一预充电电路经耦合以在所述像素单元的复位期间将所述锁存器的所述输入端子预充电到第一电平。单光子雪崩光电二极管SPAD经耦合以响应于检测到入射在所述SPAD上的光子而将SPAD信号提供到所述锁存器的所述输入端子。
用于飞行时间图像传感器充电经锁存像素单元

[发明专利]BiCMOS高速低功耗2分频器-CN200510030477.5无效
发明人：许永生;李勇;钱惠富;赖宗声 -专利权人：华东师范大学;上海惠丹高科技发展有限公司
申请日： 2005-10-13 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H03K23/42 文献下载
摘要：一种BiCMOS高速低功耗2分频器，属于集成电路设计及信号处理的技术领域，由第一锁存器L1和第二锁存器L2组成，两锁存器是Bipolar器件和CMOS器件相结合的电路，两锁存器的Bipolar器件，即晶体管的有源负载是PMOS管，锁存器的Bipolar器件，即晶体管的恒流源是NMOS管，两锁存器的交叉耦合对是小偏置电流的偏置电路，旨在提高锁存器的工作速度，兼有Bipolar器件和CMOS器件的优点：工作频率高、功耗低和制备集成电路时占用的芯片面积小，特别适于作高速低功耗的N级级联的2^N分频器。
bicmos 高速功耗分频器

[发明专利]故障地址检测器、半导体存储器件及检测故障地址的方法-CN201310039924.8有效
发明人：林相吾 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种故障地址检测器、半导体存储器件及检测故障地址的方法，所述故障地址检测器包括CAM锁存器组，所述CAM锁存器组被配置成储存故障地址；以及比较部，所述比较部与CAM锁存器组共同地连接，并且被配置成检测从CAM锁存器组接收的故障地址之中是否存在与比较地址相对应的故障地址。CAM锁存器组以时分的方式共用比较部。
故障地址检测器半导体存储器件检测方法

[发明专利]一种适用于大位宽CAM的数据锁存电路结构-CN202110222865.2有效
发明人：谢成民;李立;马蕊;朱吉喆;崔千红;郭小玄 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种适用于大位宽CAM的数据锁存电路结构图，通过采用CAM内部自定时电路产生的锁存脉冲信号配合数据端口的一套锁存器，完成对大位宽CAM端口数据的锁存功能，在使用锁存电路结构进行大位宽CAM的数据锁存时，锁存器的脉冲信号的产生以外部时钟为基础，CAM读写过程中，读写周期根据存储阵列对等负载的反馈进行调整，这样即满足了读写的时间要求，又可以使读写周期最小化，从而充分发挥CAM电路的速度，大位宽CAM的数据端口，由大量的锁存器代替触发器也减轻了外部时钟的负载。
一种适用于大位宽 cam 数据电路结构

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