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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]铪前体化合物、包含它的用于形成含铪膜的组合物及形成含铪膜的方法-CN202280013504.X在审
发明人：高元勇;金镇植;金炳官;刘多顺;崔晙焕 -专利权人： UP化学株式会社
申请日： 2022-02-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本申请涉及铪前体化合物、包含该铪前体化合物的用于形成含铪膜的前体组合物以及使用该前体组合物来形成含铪膜的方法。
铪前体化合物包含用于形成含铪膜组合方法

[发明专利]氮化铪沉积方法-CN200480008427.0无效
发明人： C·梅慈耐;S·赫尔;Y·K·金;M·N·罗克利恩;S·M·乔治 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2004-03-24 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明提供一种形成高k介电层的方法，该方法包括：利用原子层沉积将一种铪化合物沉积到衬底上，包括，将一种铪前体发送至衬底的表面，使铪前体发生反应，生成含铪层，将一种氮前体发送至含铪层，生成至少一个氮铪键，并将铪化合物沉积到表面上。
氮化沉积方法

[发明专利]二氧化铪层用前体及利用该前体生成二氧化铪膜的方法-CN03153085.0有效
发明人：李正贤;闵约赛;曹永真 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-08-12 - 公布日： 2004-03-17 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供了二氧化铪前体和利用该前体生成二氧化铪层的方法。二氧化铪层前体含有与HfCl₄键合的氮化合物。
氧化铪层用前体利用生成方法

[发明专利]使用原子层沉积在基片上沉积高介电常数材料的方法-CN02141826.8无效
发明人： Y·奥诺;庄维伟;R·索兰基 -专利权人：夏普公司
申请日： 2002-06-28 - 公布日： 2003-02-12 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：提供形成氧化铪、氧化锆以及氧化铪和氧化锆的叠层制品的方法。这些方法利用引入硝酸盐基前体，例如硝酸铪和硝酸锆的原子层沉积方法。使用这些硝酸盐基前体特别适于在氢钝化的硅表面上形成高介电常数的材料。
使用原子沉积基片上介电常数材料方法

[发明专利]包括底材、门电路介质层和一氮化钛门电路的元件-CN200610142523.5无效
发明人： B·A·瓦尔茨特拉 -专利权人：微米技术有限公司
申请日： 2003-08-27 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用气相淀积工艺和一种或多种式Si(OR)₄的硅前体化合物与一种或多种式M(NR’R”)₄的锆和/或铪前体化合物(其中R、R’和R”各自独立为有机基团，M为锆或铪)在底材(特别是半导体底材或底材组件)上形成含锆和/或铪层的方法及装置。
包括门电路介质氮化元件

[发明专利]含铪和锆的前体及使用它的方法-CN201080035967.3无效
发明人： C·杜萨拉;V·M·奥马尔吉;V·R·帕里姆 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2010-08-13 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C07F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了含铪和锆的前体及提供它的方法。所公开的前体包括配体和至少一个脂族基团作为所选择的比一般取代基具有更大自由度的取代基。所公开的前体可用于使用气相沉积方法沉积含铪或锆的层，例如化学气相沉积或原子层沉积。
使用方法

[发明专利]用于沉积作为铁电材料的硅掺杂氧化铪的新制剂-CN201880028472.4有效
发明人：雷新建;M·R·麦克唐纳;金武性;李世远 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：在一个方面，本发明是包含有机氨基铪和有机氨基硅烷前体化合物两者的制剂，其允许将含硅片段和含铪片段两者锚定在具有羟基的给定表面上以沉积适合作为铁电材料的具有0.5‑8摩尔％范围的硅掺杂水平的硅掺杂氧化铪。在另一方面，本发明是使用所述制剂沉积作为铁电材料的硅掺杂氧化铪膜的方法和系统。
用于沉积作为材料掺杂氧化制剂

[发明专利]一种在镁合金表面制备导电且耐腐蚀涂层的方法-CN201410059666.4有效
发明人：王周成;蒋文法;吴正涛;祁正兵;张东方 -专利权人：厦门大学
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：在镁合金表面制备单层金属铪涂层的方法试样经基体前处理后，放入直流磁控溅射设备的内腔沉积室内，通入氩气，预溅射金属铪靶材后使镁合金基底正对铪靶材，溅射沉积后得到表面镀有单层金属铪涂层的镁合金。在镁合金表面制备多层金属铪涂层的方法试样经基体前处理后放入沉积室，通入氩气，分别预溅射两块相同的金属铪靶材，记为铪靶材A和B，预溅射后，使镁合金基底正对铪靶材A，溅射沉积得到第一层膜层；关闭直流电源，然后将样品转至铪靶材B前，溅射沉积得第二层膜层；重复以上过程，调节铪靶材A和B的溅射时间，即得到表面镀有多层金属铪涂层的镁合金。
一种镁合金表面制备导电腐蚀涂层方法

[发明专利]用于沉积硅掺杂的氧化铪的制剂-CN202080073078.X在审
发明人： M·R·麦克唐纳;雷新建;金武性;李世远 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：在一个方面，本发明是包含有机氨基铪和有机氨基硅烷前体化合物两者的制剂，其允许将含硅片段和含铪片段两者锚定到具有羟基的给定表面上以沉积适合于形成铁电材料的具有约3至约5mol％范围的硅掺杂水平的硅掺杂氧化铪在另一方面，本发明是使用该制剂沉积适于形成铁电材料的硅掺杂氧化铪膜的方法和系统。
用于沉积掺杂氧化制剂

[发明专利]用于沉积作为铁电材料的硅掺杂氧化铪的制剂-CN201880028468.8有效
发明人：雷新建;M·R·麦克唐纳;金武性;李世远 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：在一个方面，本发明是包含有机氨基铪和有机氨基硅烷前体两者的制剂，其允许将含硅片段和含铪片段两者锚定到具有羟基的给定表面上以沉积适合作为铁电材料的具有0.5‑8摩尔％，优选2‑6摩尔％，最优选3‑5摩尔％范围的硅掺杂水平的硅掺杂氧化铪。在另一方面，本发明是使用所述制剂沉积硅掺杂氧化铪膜的方法和系统。
用于沉积作为材料掺杂氧化制剂

[发明专利]闪烁装置以及用于生产陶瓷闪烁体本体的方法-CN200980152563.X无效
发明人： B·C·拉克色;A·B·哈迪;H·莱特;Q·陈;X·彭 -专利权人：圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： G01T1/20 文献下载
摘要：一种闪烁装置包括一个陶瓷闪烁体本体，该本体包括一种含钆的多晶的陶瓷闪烁材料。该多晶的陶瓷闪烁材料的特征为一种烧绿石结晶学结构。一种用于制备陶瓷闪烁体本体的方法包括制备含有一种稀土元素前体、一种铪前体和一种活化剂(Ac)前体的一种前体溶液。该方法还包括从该溶液中得到一种沉淀物并且煅烧该沉淀物以生产一种多晶的陶瓷闪烁材料，该闪烁材料包括该稀土元素、铪、以及该活化剂，并且具有一种烧绿石结构。
闪烁装置以及用于生产陶瓷本体方法

[发明专利]闪烁装置以及用于生产陶瓷闪烁体本体的方法-CN200980151435.3有效
发明人： A·B·哈迪;Q·陈;X·彭;N·派特尼;B·维阿纳;A·坎-哈拉利 -专利权人：圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司;中央科学研究中心
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： G01T1/20 文献下载
摘要：一种闪烁装置，包括一个独立式陶瓷闪烁体本体，该闪烁体本体包括一种多晶的陶瓷闪烁材料，该闪烁材料包括一种稀土元素，其中，该多晶的陶瓷闪烁材料实质上的特征为一种阳离子不足的钙钛矿结构。一种用于生产独立式陶瓷闪烁体本体的方法包括：制备含一种稀土元素前体、一种铪前体和一种活化剂(Ac)前体的一种前体溶液，从该溶液得到一种沉淀物，并且煅烧该沉淀物以得到一种多晶的陶瓷闪烁材料，该闪烁材料包括一种掺杂有该活化剂的稀土铪酸盐并且具有一种阳离子不足的钙钛矿结构
闪烁装置以及用于生产陶瓷本体方法

[发明专利]一种溶剂萃取分离锆和铪制备高纯氧化铪的方法-CN202110304657.7有效
发明人：陈芳会;邱叶红;陈世栋;殷亮;朱刘 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C22B3/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种溶剂萃取分离锆和铪制备高纯氧化铪的方法，该方法包括如下步骤：原料采用氧化铪，配制成氧化铪浓度为50~80g/L的萃前液，对萃前液经行第一段萃取处理，第一萃取剂采用5~10%的N235，进行多级错流萃取，分离萃前液中的锆铪，得到低锆萃余液；再进行第二段萃取，第二萃取剂采用20~40%的N235，进行多级逆流萃取，得到低锆反萃液；反萃液依次经氨水沉淀、洗涤、干燥、煅烧，获得高纯氧化铪。
一种溶剂萃取分离制备高纯氧化方法

[发明专利]一种先驱体转化法制备碳化铪陶瓷的方法及陶瓷块体材料的碳化铪-CN202310705420.9在审
发明人：体旭彤;史小红;李伟;吕君帅;焦凡 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C04B35/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种先驱体转化法制备碳化铪陶瓷的方法及陶瓷块体材料的碳化铪，通过凝胶‑溶胶法制备碳化铪前驱体与使其反应烧结产生碳化铪的工艺方法。采用氢氧化铪凝胶、聚乙烯醇树脂与乙二醇混合后固化干燥的方式制备碳化铪前驱体。经过热处理反应烧结制备碳化铪陶瓷。采取氢氧化铪凝胶、聚乙烯醇树脂与乙二醇混合后固化干燥的方式制备的碳化铪前驱体，经过热处理反应烧结制备碳化铪陶瓷中聚乙烯醇树脂、乙二醇与氢氧化铪凝胶之间产生氢键作用，得到碳化铪陶瓷块体成品。最终烧结产物碳化铪陶瓷均匀性好、致密度高、纯净度高。
一种先驱转化法制碳化陶瓷方法块体材料

[发明专利]一种热喷涂用钇稳定氧化锆铪粉体及其制备方法-CN202110111251.7在审
发明人：邬元旭;邹志鹏;郭树军;徐欣;陈其森;邱日安;钟明龙;曾侃;何德华 -专利权人：全南晶鑫环保材料有限公司;全南晶环科技有限责任公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种热喷涂用钇稳定氧化锆铪粉体及其制备方法，首先制备钇稳定氧化锆铪前驱体，再一次煅烧‑球磨‑砂磨‑喷雾造粒制备钇稳定氧化锆铪造粒粉，最后二次煅烧‑筛分制备热喷涂用钇稳定氧化锆铪粉体。本发明使用碳酸氢铵为沉淀剂制备钇稳定氧化锆铪粉体，减少了煅烧时的硬团聚；钇稳定氧化锆铪粉体作为热障涂层材料，相对于传统的钇稳定氧化锆粉体，提高了涂层服役温度；热喷涂用钇稳定氧化锆铪粉体中锆、铪含量比例可控，相对于钇稳定氧化铪粉体，降低了原料成本。
一种喷涂稳定氧化锆铪粉体及其制备方法

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