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[发明专利]一种铪基材料中硼、铀元素含量的测定方法-CN202110351052.3在审
发明人：汪澜;赵旭东;李刚;张天广;张娟萍;王杰;许莹;李瑞;赵丽春 -专利权人：国核锆铪理化检测有限公司;国核宝钛锆业股份公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G01N30/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种铪基材料中硼、铀元素含量的测定方法，该方法包括：制备铪基材料待测液；测定铪基材料待测液中B、U元素的质谱信号强度；根据校准液的校准曲线以及铪基材料待测液中B、U元素的质谱信号强度得到铪基材料待测液中B、U元素的浓度，并基于铪基材料待测液中B、U元素的浓度得出铪基材料中B、U元素的质量浓度。该方法采用电感耦合等离子体质谱法(ICP‑MS)测定铪基材料中B、U元素的含量，检出限低、精密度高、准确度高，分析步骤简单易于掌握，满足检测需求。
一种基材料中硼元素含量测定方法

[发明专利]一种核级铪及铪合金单点光谱标准样品制备方法-CN202111315980.0在审
发明人：张天广;赵旭东;李献军;王杰;王文倩;张娟萍;霍永涛;高博;胡旭坤;李瑞;许莹;赵丽春;郭栓全;李小影 -专利权人：国核宝钛锆业股份公司;国核锆铪理化检测有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明涉及核级铪合金制备技术领域，尤其是涉及一种核级铪及铪合金单点光谱标准样品制备方法，包括：按照元素质量百分含量为：Fe为0.02％～0.048％、Cr为0.0015％～0.009％、Zr为0.58％～0.65％、Al＜0.01％、Cu＜0.01％、Ni＜0.005％、Si＜0.01％，其余为铪，混合得到散装核级海绵铪混合原料；其中，铪为散装核级海绵铪；将散装核级海绵铪进行真空自耗熔炼，得到核级铪合金初级铸锭；将核级铪合金初级铸锭进行多次冷坩埚磁悬浮熔炼，得到核级铪合金铸锭；将核级铪合金铸锭进行再处理，得到核级铪及铪合金单点光谱标准样品。解决了现有技术中，极难对核级铪中低含量元素进行熔炼控制，制备得到的核级铪中低含量元素均匀性差，稳定性不高的技术问题。
一种核级铪合金单点光谱标准样品制备方法

[发明专利]一种稀土掺杂铪基铁电材料、制备方法及半导体器件-CN201910675057.4在审
发明人：张青竹;张兆浩;魏千惠;屠海令;殷华湘;魏峰;赵鸿滨;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供一种稀土掺杂铪基铁电材料，包括铪基铁电材料，铪基铁电材料中掺杂有稀土元素，掺杂的稀土元素与铪基铁电材料中铪元素原子比例介于(0.1~0.9):1。本发明还提供一种稀土掺杂铪基铁电材料的制备方法，包括：将含有稀土元素的物质掺杂至铪基铁电材料中，形成稀土掺杂的铪基铁电材料；在惰性气体中对稀土掺杂的铪基铁电材料进行退火，得到经退火处理后的稀土掺杂的铪基铁电材料本发明制备的稀土掺杂的铪基铁电材料，使得材料的非对称性增加，可以使负电容材料更薄，具有很强的负电容特性；同时，利用稀土掺杂的铪基铁电材料制备的半导体器件，具有很高的电畴和反转速度，抗疲劳和可靠性更高。
铁电材料铪基稀土掺杂稀土元素制备半导体器件退火电容材料电容特性惰性气体非对称性退火处理物质掺杂掺杂的抗疲劳铪元素电畴反转掺杂

[发明专利]一种镍基高温合金中铪元素含量的ICP-AES测量法-CN201410133239.6在审
发明人：赵黎锋;肖清云;顾伟;吕日红;梁海 -专利权人：贵州黎阳航空动力有限公司
申请日： 2014-04-03 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G01N21/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍基高温合金中铪元素含量的ICP-AES测量法，包括制备试样溶液、制备低标溶液、制备高标溶液、对低标、高标、试样溶液分别进行测量和计算铪元素的质量分数。本发明测定结果准确，测量方法简便易行，可快速测定镍基高温合金中铪元素的含量，并且测定范围可达到0.05%～2.00%，解决了高温合金材料中铪元素无标准方法进行测定的问题，操作方便，提高了测试的工作效率。本发明为高温合金材料中铪元素含量的测定提供了比较科学规范的测定方法。
一种高温合金元素含量 icp aes 测量

[发明专利]一种氢化铪中子吸收材料及其制备方法-CN202310530968.4在审
发明人：马朝辉;闫国庆;张建东;周义鸿;吴延科;王力军;张顺利;于伟;孙祥林 -专利权人：有研资源环境技术研究院（北京）有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C01B6/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种氢化铪中子吸收材料及其制备方法，涉及金属冶炼技术领域，所述方法包括：步骤1：将金属铪与合金元素熔炼后、再进行锻造得到铪合金；步骤2：将所述铪合金采用直接氢化法，得到氢化铪中子吸收材料。本发明通过合金元素的引入，抑制了氢化裂纹的产生，改善了氢化铪的力学性能和脆性，而且合金元素在中子吸收材料表面形成多元复合氧化物膜层，该氧化物膜可以阻止氢化铪中子吸收材料中的氢向外溢出，由此减缓了氢在高温下的损失，进而延长了氢化铪中子吸收材料的使用寿命。此外，通过氢化工艺控制，避免了氢化过程中氢化裂纹等缺陷的产生，得到的高氢含量氢化铪满足快中子反应堆、空间堆、核动力舰艇等堆型控制棒的使用要求。
一种氢化中子吸收材料及其制备方法

[发明专利]一种直流电弧空气等离子体矩阴极用银铪合金材料及其制备方法-CN201010578966.5有效
发明人：刘东雨;孙海明;侯世香;陈雅婷;袁晓娜 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2010-12-03 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：本发明公开了属于直流电弧等离子体矩阴极材料及其制备技术领域的一种直流电弧空气等离子体矩阴极用银铪合金材料及其制备方法。该银铪合金材料主要由银元素和铪元素构成，铪元素的质量百分数为15～50％，其余为银及不可避免的杂质。该银铪合金材料可采用熔炼法获得，也可以按上述成分将其制成粉芯丝采用熔覆焊接法获得。本发明是通过银铪金属间化合物降低阴极材料的电子逸出功，银固溶体提高阴极材料的导电性来获得了比纯银或纯铪材料更低的烧蚀率。鉴于该银铪合金材料比金属铪材料具有更好的加工性和更低的烧蚀率，采用本发明的银铪合金材料制造电站锅炉空气等离子炬阴极和空气等离子割炬阴极可带来显著的经济效益。
一种直流电弧空气等离子体阴极用银铪合金材料及其制备方法

[发明专利]一种用于高纯锆、铪中杂质元素的分离测定方法-CN202111219439.X在审
发明人：盛红伍;贺含毅;李洁;罗强;黄辉;巩琛;荀其宁 -专利权人：中国核动力研究设计院
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G01N21/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高纯锆、铪中杂质元素的分离测定方法，包括将高纯锆、高纯铪溶解，采用均相沉淀法将溶解液中的锆、铪基体与杂质分离。采用此方法可将溶液中锆、铪基体均相沉淀，基体降至100μg/mL以下，基本消除了基体效应；而溶液中的待测杂质元素在基体沉淀过程中保持浓度不变，从而准确测定核级高纯材料中的待测杂质元素，降低了待测杂质元素的检测限，确保测定的准确性、稳定性，与实验室内及实验室间比对测试结果相符，满足核级材料中待测杂质元素的检测。
一种用于高纯杂质元素分离测定方法

[发明专利]一种HfO2-CN202110262011.7有效
发明人：田国良;许高博;殷华湘;项金娟 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：一种HfO2基铁电薄膜的沉积方法包括：在半导体载体表面形成一层羟基；然后依次沉积铪的氮氧化物薄膜、其他元素的氮氧化物薄膜，或者沉积依次其他元素的氮氧化物薄膜、铪的氮氧化物薄膜；沉积顶电极；退火；其中，所述铪的氮氧化物薄膜由铪前驱体与NH3、氧化剂反应生成；所述其他元素的氮氧化物薄膜由其他元素的前驱体与NH3、氧化剂反应生成，并且其他元素选自Al、Zr、La、Gd和Si中至少一种本发明能够有效地减少氧化铪基铁电薄膜中的氧空位缺陷，从而提升其可靠性。
一种 hfo base sub

[发明专利]一种多元素复合掺杂二氧化铪铁电薄膜的制备方法-CN202010391902.8在审
发明人：尹路;龚诗琪;周益春;廖敏;郑帅至;彭强祥 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： C01G27/02 文献下载
摘要：一种多元素复合掺杂二氧化铪铁电薄膜的制备方法，包括：称量预设比例的有机铪盐、多种包含对应掺杂元素的有机金属盐置于容器中，再依次加入一元酸和有机溶剂；加热搅拌至澄清后持续搅拌至室温，获得前驱体溶液；将前驱体溶液滴加至铂衬底上进行至少一次的旋涂处理；执行退火操作获得多元素复合掺杂二氧化铪铁电薄膜。采用化学溶液沉积方法，在不使用大型设备的情况下制备出多元素复合掺杂二氧化铪铁电薄膜，制备工艺简单、设备成本低、易于规模化生产。
一种多元复合掺杂氧化铪铁电薄膜制备方法

[发明专利]一种铜-铪-磷中间合金及其制备方法-CN201510101747.0有效
发明人：左敏;赵德刚;王振卿;耿浩然 -专利权人：济南大学
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜-铪-磷中间合金及其制备方法，属金属材料的合金制备技术领域。本发明的铜-铪-磷中间合金，其中，铪：8.95–16.0%，磷：1.47–8.0%，铜：余量；磷以磷化铪和铜三磷的形式存在，磷化物性质稳定且磷的含量可高达8.0％。本发明的铜-铪-磷中间合金可将A390合金内初晶硅相由100μm细化至20μm以下。通过将本发明的中间合金的加入到铝-硅合金内，引入合金化元素铪，同步实现细化、合金化过程；向铝合金中引入铪元素，显著提高了合金的力学性能，特别是高温力学性能。本发明的制备方法工艺简单、绿色无污染，通过原料、工艺条件的搭配，可得到含磷量高达8.0%的铜-铪-磷中间合金。
一种中间合金及其制备方法

[发明专利]能够在氧化介质中承受高温的材料和部件及其制备方法-CN201180059547.3有效
发明人： A-S·安德烈亚尼;F·勒比亚;A·普隆;J·泰博;A·索韦罗谢 -专利权人：赫拉克勒斯公司;法国国家科学研究中心
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： C04B35/56 文献下载
摘要：本发明涉及耐火材料，所述耐火材料能够在氧化介质中承受高温，所述耐火材料包含至少：第一组分，所述第一组分为铪或铪的非氧化化合物，或者为至少两种选自铪或铪的非氧化化合物的金属和/或化合物的混合物；第二组分，所述第二组分为硼或硼的非氧化化合物，或者为硼和硼的非氧化化合物的混合物；第三组分，所述第三组分为稀土元素（RE）或稀土元素（RE）的非氧化化合物，或者为稀土元素（RE）和稀土元素（RE）的非氧化化合物的混合物，其中RE选自钪、钇和镧系元素。
能够氧化介质承受高温材料部件及其制备方法

[发明专利]一种高强度耐腐蚀锚具及其加工工艺-CN202310541097.6在审
发明人：章新生 -专利权人：江苏翔宇索具有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C22C38/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高强度耐腐蚀锚具，具体涉及锚具技术领域，包括以下原料：碳、硅、锰、铬、镍、钒、钛、铌、锂、铪、锆、复合稀土元素、铍、铜、硫、磷，余量为铁和不可避免的杂质。本发明钒、铌、钛和复合稀土元素能够起到细化晶粒，提高锚具的力学性能，而且复合稀土元素还能够将硫、磷隔离在晶界外，能够减少固体冷却凝固的范围，能够使得碳化铌析出增多，呈弥散分布，而铌与钨、铪原子尺寸差异，而且钨和铪的熔点较高，铌与钨、铪配合使用时既能够保持锚具的高温塑性，又能够提高锚具的耐高温力学性能，而锂和铌容易在晶体内部形成LiNbO3晶体，铪能够优化LiNbO3晶体，减少锚具的开裂，而铍、铜元素的使用能够提高锚具的强度和耐腐蚀性能。
一种强度腐蚀及其加工工艺

[发明专利]一种锆类稀土储氧材料及其制备方法-CN201310049502.9有效
发明人：崔梅生;张娜;龙志奇;崔大立 -专利权人：有研稀土新材料股份有限公司
申请日： 2013-02-07 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： B01J23/10 文献下载
摘要：一种锆类稀土储氧材料及其制备方法，该锆类稀土储氧材料为包含稀土元素，或包含稀土元素以及过渡金属元素或碱土金属元素的复合氧化物，其中铪及氧化铪的含量小于500ppm，所述稀土元素为Ce、Pr、Tb、La、该锆类稀土储氧材料采用经过锆铪分离提纯后的锆化合物进行制备，将经过除铪的锆化合物溶解于水后，根据各金属元素之间的配比，向其中加入稀土，或加入稀土以及过渡金属或碱土金属的水溶液，混合均匀；然后进行碱沉淀、
一种稀土材料及其制备方法

[发明专利]基于混合金属氧化物的忆阻器-CN201280054398.6有效
发明人：安娜托里·帕罗维奇·埃里克娜（死亡）;安纳托利·谢尔盖耶维奇·巴图瑞;伊琳娜·帕夫洛夫娜·格力盖尔;斯维特拉娜·埃里克桑德洛娃·古德科娃;安纳托利·米可哈洛维奇·马尔可夫;安娜斯塔希亚·埃里克桑德洛娃·楚普里克 -专利权人：联邦政府预算机构“用于军事、特殊和双用途智力活动结果的法律保护的联邦机构”;莫斯科物理科学与技术学院（州立大学）
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本器件包括设置在两个导电层之间的活性层，所述活性层为ABOx类氧化物，其中，B元素为钛或锆或铪，而元素A为三价金属，其离子半径相当于钛或锆或铪元素的0.7-1.2倍。当元素B为钛时，元素A选自铝或钪；当元素B为锆或铪时，元素A选自钪、钇或镥。本发明创造的技术效果在于增加转换电压的稳定性和可复制性以及在低阻抗和高阻抗状态下的电阻。
基于混合金属氧化物忆阻器

[发明专利]一种稀土掺杂二氧化铪基铁电薄膜及其制备方法-CN202010834538.8在审
发明人：门阔;魏峰;沈宇鑫;连紫薇;王国治;金庆喜 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土掺杂二氧化铪基铁电薄膜及其制备方法，所述薄膜中，稀土元素掺杂的比例按原子百分数计为0.1％～5％，稀土元素为钐、铕、钬、铈、钕中的一种或几种混合物。本发明通过控制薄膜厚度、元素掺杂比例、退火工艺等条件可以在室温下获得稀土掺杂氧化铪铁电薄膜；本发明的稀土掺杂氧化铪铁电薄膜采用原子层沉积工艺制造，成膜质量高、掺杂元素比例精确可控、与现行半导体工艺兼容性好
一种稀土掺杂氧化铪基铁电薄膜及其制备方法

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