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[发明专利]铟镓锌氧化物及其制法与应用-CN201210108898.5有效
发明人：张育纶;林弘巾;林婉华;苏百樱;王圣棻 -专利权人：光洋应用材料科技股份有限公司
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供一种铟镓锌氧化物的制作方法，其是先混合含铟、镓及锌的原料，经过干燥、煅烧等步骤，制作出均匀且高纯度的铟镓锌氧化物。此外，本发明另提供一种用以制作铟镓锌氧化物靶材的组成物，其为含有多元金属氧化物的混合物，尤其包含所述制作方法所制得的铟镓锌氧化物。再者，本发明还提供一种使用所述铟镓锌氧化物制作铟镓锌氧化物靶材的方法及其成品，其靶材中主要是以InGaZnO4为主，而实质上不具有ZnGa2O4。
铟镓锌氧化物及其制法应用

[发明专利]金属氧化物TFT器件及其制作方法-CN201710302060.2在审
发明人：翟玉浩 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种金属氧化物TFT器件及其制作方法。所述金属氧化物TFT器件的有源层(7)采用类似三明治的结构，包括下层铟镓锌氧化物薄膜(71)、与所述下层铟镓锌氧化物薄膜(71)相对设置的上层铟镓锌氧化物薄膜(73)、及夹设在所述下层铟镓锌氧化物薄膜(71)与上层铟镓锌氧化物薄膜(73)之间的中间导电层(75)，且所述中间导电层(75)的材料为高含铟金属氧化物、或高含锌金属氧化物，能够进一步提高电子迁移率，减少有源层(7)与栅极绝缘层(5)的界面缺陷
金属氧化物 tft 器件及其制作方法

[发明专利]一种银镓铟硒/氧化物薄膜电极的制备方法-CN201911185396.0有效
发明人：舒婷;曾德福;周亮;朱晓明;王诗;吴诗;李向华 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种银镓铟硒/氧化物薄膜电极的制备方法，包括以下步骤：(1)在导电基底上制备氧化物多孔薄膜；(2)合成油溶性银镓铟硒纳米粒；(3)将油溶性银镓铟硒纳米粒通过表面改性制成巯基丙酸包覆的纳米粒后分散在水中制成分散液；(4)惰性气体氛围中将氧化物多孔薄膜浸泡在水溶性银镓铟硒纳米粒分散液中，使银镓铟硒纳米粒吸附到氧化物多孔薄膜内；(5)再经洗涤、吹干得到银镓铟硒/氧化物薄膜电极。本发明的有益效果：银镓铟硒纳米粒的合成反应温度低，时间短，节省能耗和时间，制得的银镓铟硒颗粒均匀，尺寸小，改性后易于吸附到氧化物薄膜内；本发明所制备的银镓铟硒/氧化物电极具有可调的光学和电学性能，可用于改善电池性能
一种银镓铟硒氧化物薄膜电极制备方法

[发明专利]一种透明导电薄膜-CN201310642530.1有效
发明人：喻志农;李旭远;张世玉;蒋玉蓉;薛唯 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2013-12-03 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L29/43 文献下载
摘要：本发明基于薄膜光学中诱导透射滤光片的原理，提出一种氧化物-金属-氧化物三明治结构的透明导电薄膜用于铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZOTFT)电极(包括源极、漏极和栅极)。透明导电薄膜的氧化物层采用铟镓锌氧化物(IGZO)和锰氧化物复合层，金属层采用金属铜(Cu)；锰氧化物在金属铜层和铟镓锌氧化物层之间，增加铜层和铟镓锌氧化物层的粘附性并阻止铜向铟镓锌氧化物层扩散。
一种透明导电薄膜

[发明专利]掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层、其制备方法及其应用、晶体管及其制备方法-CN202010549980.6在审
发明人：黎年赐;邵龑;庞硕;何可;汪智伟;周长著;冯叶;杨春雷 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层、其制备方法及其应用、晶体管及其制备方法，普通的铟镓锌氧化物对可见光基本没有响应，本发明提供了一种掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层，由于掺杂氢的铟镓锌氧化物的带隙小于或等于可见光的光子能量将这种掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层应用于光电晶体管中，可以可满足可见光探测领域对铟镓锌氧化物型光电晶体管的实际需求，这类光电晶体管将在显示与成像、光通信、遥感、生物医疗等领域发挥重要作用。
掺杂铟镓锌氧化物制备方法及其应用晶体管

[发明专利]铟镓锌氧化物薄膜的前驱液及铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备方法-CN202010798884.5在审
发明人：孙荷静;邱恒达;周航 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种铟镓锌氧化物薄膜的前驱液及铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域。该前驱液包括铟盐、镓盐、锌盐、稳定剂和溶剂；其中稳定剂为乙醇胺。本发明通过采用乙醇胺帮助促进前驱液的氧化过程，降低铟镓锌氧化物薄膜内氧空位的浓度，从而改善以铟镓锌氧化物薄膜为沟道层的薄膜晶体管的阈值电压负偏的问题。
铟镓锌氧化物薄膜前驱薄膜晶体管制备方法

[发明专利]至少包含铟和镓的氧化物的蚀刻液以及蚀刻方法-CN201310713080.0有效
发明人：竹内秀范;夕部邦夫;冈部哲;臼井麻里 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明涉及至少包含铟和镓的氧化物的蚀刻液以及蚀刻方法，其能够适用于包含铟、镓和氧的氧化物或者包含铟、镓、锌和氧的氧化物等至少包含铟和镓的氧化物的蚀刻中。根据本发明优选的方式，通过使用包含硫酸或其盐、以及羧酸(其中，除了草酸以外)或其盐的蚀刻液，在至少包含铟和镓的氧化物的蚀刻中，具有合适的蚀刻速率且残渣去除性也良好，对于布线材料的腐蚀性也小，进而即便蚀刻液中溶解的氧化物的浓度成为高浓度，也不产生析出物，并且能够维持合适的蚀刻速率。
至少包含氧化物蚀刻以及方法

[发明专利]光电二极管、光感测组件及光电二极管的制造方法-CN201210097195.7有效
发明人：舒芳安;蔡耀州;辛哲宏 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：光电二极管的N型半导体层与本质半导体层分别包含N型非晶型铟镓锌氧化物与本质非晶型铟镓锌氧化物，且本质非晶型铟镓锌氧化物的含氧量高于N型非晶型铟镓锌氧化物的含氧量。
光电二极管光感测组件制造方法

[发明专利]晶体管结构和晶体管的制作方法-CN201711076141.1有效
发明人：黄北洲 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明所述的薄膜晶体管结构包括：源极，漏极，以及源极和漏极之间的有源层；所述有源层包括铟镓锌氧化物框架，所述有源层包括铟镓锌氧化物框架，所述铟镓锌氧化物框架内设置包含铟镓锌氧化物的合成纳米材料。
晶体管结构制作方法

[发明专利]一种铟镓锌氧化物粉体的制备方法-CN201710311704.4有效
发明人：李晨辉;单静静;刘江安;吴甲民;史玉升;桂如峰 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟镓锌氧化物粉体的制备方法，其包括如下步骤首先配置镓盐溶液、铟盐溶液和锌盐溶液；然后使用不含碱金属的碱液作为沉淀剂，并采用三步沉淀法分别使所述镓盐溶液、铟盐溶液以及锌盐溶液中的镓离子、铟离子、锌离子在不同pH值下先后沉淀，以制备铟镓锌氧化物前驱体粉体；最后将制备的所述铟镓锌氧化物前驱体粉体经洗涤、过滤、干燥、退火后制成获得高纯单相铟镓锌氧化物粉体InGaZnO4。
一种铟镓锌氧化物制备方法

[发明专利]一种铟镓氧化物纳米材料的制备方法-CN202310096428.X在审
发明人：张法碧;吴阳;周娟;李海鸥;孙堂友;陈永和;刘兴鹏;李琦;王阳培华;廖清;陈赞辉;首美花;彭英;傅涛;肖功利 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本申请提供一种铟镓氧化物纳米材料的制备方法，通过该方法可制备出性能优异的铟镓氧化物纳米线，可作为日盲波段探测器的材料。该制备方法使用金属Ga和金属In作为反应原料通过化学气相沉积法制备铟镓氧化物纳米材料，降低了反应所需温度，因而降低了制造成本，且制备出的铟镓氧化物纳米材料表面光滑，粗细均匀，且本申请的制备方法简单，可重复性强
一种氧化物纳米材料制备方法

[发明专利]具有双层氧化物半导体的薄膜晶体管基板-CN201711043946.6有效
发明人：李昭珩;金圣起;李永镇;金敏澈;梁晸硕;任曙延 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及具有双层氧化物半导体的薄膜晶体管基板。本公开提供了一种薄膜晶体管基板，包括：基板；和氧化物半导体层，所述氧化物半导体层在所述基板上，其中，所述氧化物半导体层包括：具有铟、镓和锌的第一氧化物半导体层；和具有铟、镓和锌的第二氧化物半导体层，所述第二氧化物半导体层层叠在所述第一氧化物半导体层上，其中，所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层中的任一层具有1:1:1的铟、镓和锌的第一组成比；并且其中，另一层具有铟比率高于锌比率的铟、镓和锌的第二组成比。
具有双层氧化物半导体薄膜晶体管

[发明专利]半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法-CN202110049775.8在审
发明人：罗晓菊;王颖慧;特洛伊·乔纳森·贝克 -专利权人：镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底；于衬底上形成铟层或含铟氧化物层；于铟层或含铟氧化物层上形成氮化镓层。上述实施例中的半导体结构的制备方法中，通过先在衬底上形成铟层或含铟氧化物层，在后续在铟层或含铟氧化物层上形成氮化镓层时，生长初期由于低温和铟的迁移作用，可以使得初生长的氮化镓层为疏松结构，在需要进行剥离时便于氮化镓层与衬底的剥离；同时，上述实施例中的制备方法不需要使用工艺繁琐的掩膜技术即可以实现氮化镓层的剥离，使得工艺更加简单。
半导体结构支撑氮化及其制备方法

[发明专利]氧化铟镓锌靶材的电化学回收再利用方法-CN202010820246.9在审
发明人：宋建勋;李少龙;车玉思;舒永春;何季麟 -专利权人：郑州大学
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C25C3/36 文献下载
摘要：氧化铟镓锌靶材的电化学回收再利用方法，包括：(1)恒电位电解过程：以氧化铟镓锌为原料，以包含氯化钙的熔融盐为电解质，以第一石墨电极为第一阴极，以第二石墨电极为第一阳极，在惰性气体保护下进行恒电位电解，得到铟镓锌合金；(2)恒电流电解过程：以铟镓锌合金为第二阳极，以氯化铵水溶液为电解液，进行恒电流电解，得到铟镓锌氢氧化物沉淀；(3)煅烧过程：煅烧铟镓锌氢氧化物沉淀，得到纳米级铟镓锌氧化物复合粉体。
氧化铟镓锌靶材电化学回收再利用方法

[发明专利]一种石墨烯量子点掺杂铟镓氧化物薄膜晶体管及其制备方法-CN202211578366.8在审
发明人：何刚;许小芬;王雷妮;汪文豪 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯量子点掺杂铟镓氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：S1、将氧化锆前驱体溶液旋涂在P型重掺硅衬底表面，烘干后，先经过UV处理，然后退火处理，形成氧化锆栅介质层；S2、在所述氧化锆栅介质层表面旋涂含石墨烯量子点的铟镓氧化物前驱体溶液，烘干后，退火处理，形成石墨烯量子点‑铟镓氧化物有源层；S3、利用掩模版在所述石墨烯量子点‑铟镓氧化物有源层表面蒸镀制备源电极和漏电极，即得。本发明采用石墨烯量子点掺杂铟镓氧化物作为沟道层的方法，可以有效弥补铟镓氧化物在光照稳定性上的缺陷，改善晶体管器件的性能，呈现出更优异的光照稳定性，为其在光电传感器内的应用提供便利。
一种石墨量子掺杂氧化物薄膜晶体管及其制备方法

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