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[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳电池-CN201610237968.5在审
发明人：董友强 -专利权人：董友强
申请日： 2016-04-14 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜太阳电池，自下至上依次包括：衬底、背电极、铜铟镓硒吸收层、缓冲层、i‑ZnO层、透明窗口层、减反射层和栅线电极，衬底位于背电极一面、背电极两面、铜铟镓硒吸收层与背电极接触面的粗糙面相同，铜铟镓硒吸收层另一面均方根粗糙度＜20nm，铜铟镓硒吸收层的最厚厚度≤1μm，缓冲层包括第一Zn(O,S)缓冲层和第二ZnO缓冲层，透明窗口层包括第一石墨烯层、纳米金属层以及第二石墨烯层，减反射层包括第一二氧化硅层、纳米二氧化钛层以及第二二氧化硅层。本发明在粗糙面背电极上制成≤1μm厚铜铟镓硒薄膜，铜铟镓硒薄膜另一面均方根粗糙度＜20nm，增加了光在吸收层中所经过的有效光程，在不损失太阳光的利用率的基础上，大幅较少了稀有金属资源的利用，既实现了对太阳光的有效利用
一种铜铟镓硒薄膜太阳电池

[发明专利]以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法-CN201010111509.5无效
发明人：林群福;陈文仁;杨益郎 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： C30B1/00 文献下载
摘要：本发明是有关于一种以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法，其包括以下步骤：首先依据配方比例，调配球状和非球状含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒(硫)混合粉末，其中粉末颗粒平均粒径小于500纳米；其次在含铜铟镓硒(硫)混合粉末加入溶剂、NaI和界面活性剂搅拌形成含铜铟镓硒(硫)浆料，接着将该浆料以非真空涂布法涂布在含钼电极的基板上，再经过软烤以形成含铜铟镓硒(硫)的光吸收前驱层，最后将其置于含VIA族元素粉末的高温RTA炉中长晶，完成铜铟镓硒(硫)光吸收层的制作。本发明混合包含球状纳米颗粒和至少一种非球状纳米颗粒，以降低在成膜时的孔隙问题，且不使用硒化法，避免使用危险的硒化氢。
真空工艺制作铜铟镓硒光吸收方法

[实用新型]一种基于高质量均匀分布预制铜层的铜铟镓硒薄膜太阳能电池-CN201620807033.1有效
发明人：张晓清;黄云翔;汤勇;陆龙生;袁伟;万珍平;李宗涛 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于高质量均匀分布预制铜层的铜铟镓硒薄膜太阳能电池，包括在衬底上制备的钼背电极，在钼背电极上依次制备的铜铟镓硒吸收层、CdS缓冲层、本征氧化锌层、掺铝氧化锌层和上电极。本实用新型制备制备的铜铟镓硒薄膜太阳能电池均匀性好、转换效率高。
一种基于质量均匀分布预制铜铟镓硒薄膜太阳能电池

[发明专利]铜铟镓硒薄膜的制备方法-CN201310687514.4有效
发明人：熊治雨;肖旭东;杨春雷 -专利权人：深圳先进技术研究院;香港中文大学
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜的制备方法。该铜铟镓硒薄膜的制备方法包括步骤一为：在硒气氛中，共蒸镓和铟，使硒、镓和铟沉积于衬底上；步骤二为：提高衬底温度，在硒气氛中，蒸发铜，使硒和铜沉积于衬底上；步骤三为：保持衬底温度，在硒气氛中，共蒸镓和铟，形成铜铟镓硒薄膜。通过提高热镓和铟的蒸发温度加速薄膜沉积，设置步骤一和步骤三的蒸发量之间的配比关系，使铟更多地进入薄膜内部并增加薄膜表面的镓含量，显著地改善各元素的梯度分布，减少铜铟镓硒薄膜表面缺陷，提高铜铟镓硒薄膜的质量并降低能源消耗
铜铟镓硒薄膜制备方法

[发明专利]铜铟镓硒的处理方法-CN201810804867.0在审
发明人：潘勇进;葛鹏 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种铜铟镓硒的处理方法，包括以下步骤：铜铟镓硒中加入碳酸钠进行烧结，得到二氧化碳和烧结料，所述烧结料为亚硒酸钠和铜铟镓氧化物的混合物；烧结料中加入硫酸浸出，过滤得到含有硫酸铜、硫酸镓、硫酸铟和亚硒酸钠的混合溶液；将所述含有硫酸铜、硫酸镓、硫酸铟和亚硒酸钠的混合溶液通过阴离子交换树脂进行离子交换，得到铜铟镓溶液；阴离子交换树脂通过解吸后得到亚硒酸盐溶液；将亚硒酸盐溶液结晶后得到亚硒酸盐或将亚硒酸盐溶液加工后得到高纯硒；对铜铟镓溶液处理得到铜、铟、镓。本发明利用铜铟镓硒废料主要为硒化物的特点，使用碳酸钠烧结将铜铟镓硒转化为易溶于酸的氧化物，减少了酸和强氧化剂的消耗。
铜铟镓硒亚硒酸盐亚硒酸钠烧结料铜铟镓阴离子交换树脂混合溶液烧结硫酸铜硫酸铟硫酸镓碳酸钠氧化物离子交换强氧化剂溶液处理溶液加工溶液结晶混合物高纯硒硒化物二氧化碳解吸浸出易溶硫酸过滤消耗申请转化

[发明专利]铜铟镓硒光电转换装置-CN201611072967.6在审
发明人：梁结平 -专利权人：梁结平
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒光电转换装置。本发明的铜铟镓硒光电转换装置由透明玻璃、胶片、铜铟镓硒光伏电池片、背板和接线盒构成，其中铜铟镓硒光伏电池片通过胶片固定在透明玻璃和背板之间，电池片的两端分别引出接线端，接上接线盒，所述背板包括依次层叠的绝缘层、粘结层、阻隔层、粘结层和耐候层，本发明具有成本低廉、性能优越，降低了光电转换装置对安装角度的要求、施工安装方便、使用寿命长等优点。
铜铟镓硒光电转换装置

[发明专利]铜铟镓硒靶材的制作方法-CN201010132083.1无效
发明人：锺润文 -专利权人：慧濠光电科技股份有限公司
申请日： 2010-03-25 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒靶材的制作方法，包含铜铟镓硒化合物制作步骤、铜铟镓硒粉末制作步骤、靶材初坯制作步骤、烧结步骤以及整型步骤，主要是依照原子比例，将铜、铟、镓的金属粉末或其合金粉末以及硒粉以有机溶剂均匀混合，再以高温反应合成为铜铟镓硒化合物，再将铜铟镓硒化合物形成粒径小于5μm的粉末，然后制作为铜铟镓硒靶材。藉由本发明铜铟镓硒靶材制作铜铟镓硒薄膜，可以省略硒化步骤，以确保制程的安全性，同时能够缩减制程时间、减少耗能、增加材料的利用率，进一步改善薄膜的均匀度及晶相，更提升太阳能电池的转换效率。
铜铟镓硒靶材制作方法

[发明专利]铜铟镓硒硫五元靶材的制作方法-CN201010542692.4无效
发明人：钟润文 -专利权人：慧濠光电科技股份有限公司
申请日： 2010-11-05 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： B22F3/16 文献下载
摘要：一种铜铟镓硒硫五元靶材的制作方法，包含铜铟镓硒硫化合物制作步骤、铜铟镓硒粉末制作步骤、靶材初胚制作步骤、烧结步骤以及整型步骤，主要是依照原子比例，将铜、铟、镓、硒、硫的元素粉末以合成溶剂混合，再反应合成为铜铟镓硒硫化合物，再制作为铜铟镓硒靶材，或将作为五元靶材先驱物混合步骤的三元或四元化合物粉末混合，经过高压烧结而完成，以本发明铜铟镓硒靶硫五元材制作铜铟镓硒薄膜，可省略硒化、硫化步骤，以确保制程安全性，且该靶材的导电度适用直流溅镀及射频溅镀，能提升溅镀效率、形成无污染、成分均匀的铜铟镓硒硫薄膜。
铜铟镓硒硫五元靶材制作方法

[发明专利]铜铟镓硒废物料的回收方法-CN201810726510.5在审
发明人：李红科;谭明亮;李胜春 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明提供铜铟镓硒废物料的回收方法，包括：物料处理，将铜铟镓硒废物料磨细成物料粉末；氯化焙烧处理，采用氯化剂，在温度210‑400度条件下，焙烧所述物料粉末，得到含硒、镓氯化物的挥发气及含铜、铟的焙烧渣；挥发气处理，对含硒、镓氯化物气体进行处理，得到纯硒、镓；氯化焙烧渣处理，对含铜、铟的焙烧渣进行处理，得到纯铟、铜。本发明提供的回收方法，通过氯化焙烧使铜铟镓硒四种元素生成对应的氯化物，利用铜铟镓硒的氯化物挥发温度不同，控制合适的温度将铜铟镓硒废物料进行氯化焙烧，实现铟、镓的有效分离，减少酸用量从而减低生产成本并改善环保性
铜铟镓硒氯化焙烧废物料氯化物物料粉末焙烧渣挥发气回收焙烧氯化物气体物料处理有效分离元素生成环保性氯化剂酸用量渣处理纯硒纯铟挥发磨细生产成本

[发明专利]太阳电池的制造方法-CN201110216943.4无效
发明人：黄明政;黄明义;林汉涂 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：之后，于基底电极上形成一铜铟镓硒结晶层。接着，对铜铟镓硒结晶层的表面进行一化学机械研磨工艺，以平坦化铜铟镓硒结晶层的表面。之后，于已平坦化的铜铟镓硒结晶层表面上形成一缓冲层。继之，于缓冲层上形成一透明导电层。借此，本发明的太阳电池的制造方法有助于量产且所制成的太阳电池具有较佳的元件特性。
太阳电池制造方法

[实用新型]太阳能光伏电池板-CN201420655126.8有效
发明人：崔梅杰 -专利权人：中辰未来（北京）科技发展有限公司
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种太阳能光伏电池板，它分为上下两层，其中上层为钙钛矿层，所述钙钛矿层由上透明导电层、钙钛矿吸收层、下透明导电层组成；下层为铜铟镓硒层，所述铜铟镓硒层由氧化锌掺铝导电层、氧化锌层、硫化镉薄膜层、铜铟镓硒吸收层、钼导电层、钠钙玻璃基层组成，能加宽光谱的吸收，使穿过上层薄膜钙钛矿层而未被吸收的光子，能在下层薄膜铜铟镓硒继续被吸收，转换率能超过30%，并具有高转换率功能，适合批量生产。
太阳能电池板

[发明专利]一种NIP异质结太阳能电池及其制造方法-CN202110235747.5在审
发明人：宋丹丹;朱成皖;刘武;徐征;赵谡玲;乔泊 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：NIP异质结太阳能电池包括：由上至下依次为：透明前电极、电子传输层、N型钙钛矿层、I型铜铟镓硒层、P型铜铟镓硒层、钼电极层和电池衬底。制造方法包括：采用直流磁控溅射方法在电池衬底上制备钼电极层；采用三步共蒸发法在钼电极层上依次沉积P型铜铟镓硒层和I型铜铟镓硒层；利用旋涂的方式将混合溶剂旋涂在所述铜铟镓硒层后，加热获得钙钛矿层；采用直流磁控溅射方法在N型钙钛矿层上制备厚度为70纳米的氧化锌层；采用直流磁控溅射方法在电子传输层上制备厚度为500纳米的AZO层。
一种 nip 异质结太阳能电池及其制造方法

[发明专利]一种后掺钠铜铟镓硒太阳电池器件及其制备方法-CN201610334036.2在审
发明人：薛玉明;孙海涛;宋殿友;夏丹;冯少君;俞兵兵;王玉昆;张奥 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：一种后掺钠铜铟镓硒太阳电池器件及其制备方法，为基于聚酰亚胺膜‑苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒太阳电池，由玻璃、聚酰亚胺、钼背接触层、铜铟镓硒、硫化镉、透明窗口层高阻本征氧化锌薄膜和低阻氧化锌铝薄膜、银上电极组成并形成叠层结构，其制备方法是：首先将聚酰亚胺胶涂于玻璃表面，固化成聚酰亚胺膜‑苏打玻璃复合衬底，然后依次在其表面依次制备各层薄膜，在完整的铜铟镓硒太阳电池制备完成后，将其与苏打玻璃衬底分离，得到以聚酰亚胺膜为衬底的柔性铜铟镓硒太阳电池优点：该种基于聚酰亚胺膜‑苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒薄膜结晶晶粒大；其制备方法是以钢性衬底制备柔性电池，易于实施，有利于大规模的推广应用。
一种后掺钠铜铟镓硒太阳电池器件及其制备方法

[发明专利]铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法及太阳能电池-CN201910470993.1在审
发明人：李梦洁 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法及太阳能电池，该方法包括将按化学计量比称量的亚铜盐、In₂Se₃、Se和Ga四种原料溶解于有机溶剂中，制得铜铟镓硒前驱体溶液；将制得的铜铟镓硒前驱体溶液通过滴涂法涂覆在衬底上；采用透明薄膜覆盖在所述衬底的铜铟镓硒前驱体溶液上，并去除气泡；对经所述透明薄膜覆盖的上述衬底进行退火处理，以使铜铟镓硒前驱体溶液呈半固相状态；剥离所述透明薄膜，制得铜铟镓硒吸收层。
前驱体溶液铜铟镓硒透明薄膜衬底制备铜铟镓硒太阳能电池太阳能电池吸收层铜铟镓硒吸收层化学计量比固相状态生产效率退火处理有机溶剂原料溶解粗糙度均匀性亚铜盐称量滴涂法涂覆盖去除剥离维护

[发明专利]包括铜铟镓硒的光伏器件-CN200980155390.7无效
发明人：大卫·伊格尔沙姆 -专利权人：第一太阳能有限公司
申请日： 2009-11-10 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L31/00 文献下载
摘要：铜铟镓硒光伏电池可以包括具有透明导电氧化物层的基底。可以使用溅射和气相传输沉积来沉积铜铟镓硒。
包括铜铟镓硒器件