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[发明专利]制备铜铟镓硒光吸收层的装置和方法-CN201210535592.8有效
发明人：陈旺寿;肖旭东;张撷秋;刘壮;顾光一;杨春雷;宋秋明 -专利权人：深圳先进技术研究院;香港中文大学
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种制备铜铟镓硒光吸收层的装置，包括真空系统和衬底传动系统，由真空系统维持真空的进样室、镀膜室及出样室；衬底传动系统包括衬底传动装置和衬底装载装置；镀膜室包括第一镀膜室，用于在衬底上沉积铟、镓和硒，并维持衬底温度在350~400℃；第二镀膜室，用于在硒蒸汽的气氛下在衬底上沉积铜，并维持衬底温度在550~650℃；第三镀膜室，用于在硒蒸汽的气氛下在衬底上继续沉积铜，并维持衬底温度在550~650℃；蒸发监控装置，蒸发监控装置用于监测衬底表面温度、衬底在监测读数快速上升的时候离开第三镀膜室；第四镀膜室，用于在硒蒸汽的气氛下在衬底上沉积铟、镓和硒，并维持衬底温度在550~650℃。本发明还提供一种制备铜铟镓硒光吸收层的方法。
制备铜铟镓硒光吸收装置方法

[发明专利]钝化铜铟镓硒薄膜表面缺陷的电化学处理方法-CN201410619934.3有效
发明人：叶勤燕;梅军;廖成;刘江;何绪林;刘焕明 -专利权人：中物院成都科学技术发展中心
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开了钝化铜铟镓硒薄膜表面缺陷的电化学处理方法，包括步骤铜铟镓硒薄膜硒化后置于电化学工作站，仅Mo层连接工作电极，在无水乙醇中浸泡1～2min，去除表面颗粒杂质；配制处理溶液，所述处理溶液为乙基紫精二高氯酸盐、六氟磷酸四丁胺和有机溶剂的混合溶液；将步骤(1)处理后的铜铟镓硒薄膜放入步骤(2)制得的处理溶液中，施加电信号，1～300s后取出，用无水乙醇冲洗所述铜铟镓硒薄膜表面的残留溶液本发明的方法能够有效除去铜铟镓硒薄膜表面的缺陷，降低界面处光生载流子对的复合率，不会对薄膜造成污染。
钝化铜铟镓硒薄膜表面缺陷电化学处理方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置-CN201810738924.X有效
发明人：任庆荣;袁广才;关峰;李东升;孙建明 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：该薄膜晶体管的有源层采用铜铟镓硒材料制成，通过采用铜铟镓硒制作薄膜晶体管的有源层，由于铜铟镓硒的晶体缺陷比LTPS和IGZO更少，因此可以使薄膜晶体管的迁移率更高，使得薄膜晶体管的开关速度更快，有利于进一步提高显示装置的分辨率
薄膜晶体管及其制作方法阵列显示装置

[发明专利]柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池及其吸收层的制备方法-CN200710151040.6有效
发明人：方小红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2007-12-14 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明属于柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池及其吸收层的制备方法，柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池，为多层膜结构，包括衬底、底电极、吸收层、缓冲层、窗口层、减反射膜和上电极，其特点是：衬底层为柔性金属材料或聚酰亚胺；柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的吸收层制备方法，其特点是：衬底用柔性金属或聚酰亚胺膜，磁控溅射沉积0.5-1.5μm厚的底电极Mo，再在Mo薄膜上制备金属预制层，真空密封，放入炉中升温，固态硒源所在区域温度控制在180-300℃，进行硒化处理，使金属预制层转变半导体薄膜通过采用在真空密封石英管中的硒或硫的饱和蒸汽压下进行硒化或硫化，工艺过程可控重复性好，减少了硒或硫的用量，过程可控，设备简单。
柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池及其吸收制备方法

[发明专利]从铜铟镓硒废电池芯片中回收有价金属的方法-CN201810220329.7有效
发明人：马保中;王成彦;陈永强;邵爽;邢鹏 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种从铜铟镓硒废电池芯片中回收有价金属的方法，属于资源二次利用技术领域。该方法将铜铟镓硒(CIGS)废电池芯片进行衬底剥离；对剥离后的有价金属层进行硫酸化焙烧得到粗硒和渣；渣水浸得到水浸液和水浸渣；将水浸液除杂/分离后获得含锌、镉、铝的渣和滤液，滤液结晶得到硫酸铜；水浸渣碱浸后得到碱浸液和碱浸渣；碱浸渣再酸浸得到酸浸液和酸浸渣，酸浸渣返回硫酸化焙烧；酸浸液还原得到粗铟，粗铟提纯得到含铝、锡的渣和高纯铟；碱浸液除杂分离出含钼、锡的渣，过滤得到滤液；滤液电解得到粗镓，粗镓提纯得到高纯镓。本发明能够实现铜、铟、镓、硒的高效选择性浸出，具有良好的应用前景。
铜铟镓硒废电池回收有价金属硫酸化焙烧芯片碱浸液碱浸渣水浸液水浸渣酸浸液酸浸渣提纯除杂粗铟粗镓高效选择性衬底剥离二次利用滤液结晶有价金属高纯铟高纯镓硫酸铜粗硒含钼碱浸浸出酸浸渣水电解过滤还原剥离返回应用

[发明专利]用于稳定铜铟镓硒光伏组件功率的装置及方法-CN201811457097.3在审
发明人：史振亮;李璇;陈振 -专利权人：东泰高科装备科技有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H02S50/15 文献下载
摘要：本发明提供一种用于稳定铜铟镓硒光伏组件功率的装置及方法。所述用于稳定铜铟镓硒光伏组件功率的包括：可编程电源，用于向光伏组件通入脉冲电流或持续形式电流；所述可编程电源的正极与铜铟镓硒光伏组件的正极连接，负极与铜铟镓硒光伏组件的负极连接；电压采集装置，用于采集通入脉冲电流或持续形式电流后的铜铟镓硒光伏组件的电压上述装置可以解决铜铟镓硒光伏组件因存放导致的暗态衰退问题，提高光伏组件测试稳定性，利于更准确的评估光伏组件可靠性及失效原因。
用于稳定铜铟镓硒光伏组件功率装置方法

[实用新型]用于稳定铜铟镓硒光伏组件功率的装置-CN201822009671.0有效
发明人：史振亮;李璇;陈振 -专利权人：东泰高科装备科技有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H02S50/15 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于稳定铜铟镓硒光伏组件功率的装置。所述用于稳定铜铟镓硒光伏组件功率的装置包括：可编程电源，用于向光伏组件通入脉冲电流或持续形式电流；所述可编程电源的正极与铜铟镓硒光伏组件的正极连接，负极与铜铟镓硒光伏组件的负极连接；电压采集装置，用于采集通入脉冲电流或持续形式电流后的铜铟镓硒光伏组件的电压上述装置可以解决铜铟镓硒光伏组件因存放导致的暗态衰退问题，提高光伏组件测试稳定性，利于更准确的评估光伏组件可靠性及失效原因。
光伏组件铜铟镓硒可编程电源电压采集装置脉冲电流正极本实用新型测试稳定性采集负极电压调整负极连接失效原因正极连接暗态衰退评估

[发明专利]一种低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法-CN201510430524.9有效
发明人：申绪男;赵岳;王胜利;赖运子;刘帅奇;赵彦民;乔在祥 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法，包括如下步骤步骤一、通过直流磁控溅射沉积系统在柔性衬底上沉积厚度范围为500nm至700nm的Mo作为背电极，其中Mo为双层结构，高阻Mo层的厚度范围为100nm至150nm；在高阻Mo层上再沉积厚度范围为400nm至550nm的低阻Mo层，作为电池的背电极；步骤二、利用电子束蒸发设备，采用0.1kw的电子束蒸发功率，50分钟的时间，在Mo背电极上蒸发一层12nm厚的锑薄膜；步骤三、在上述锑薄膜上采用共蒸发方法制备铜铟镓硒吸收层；步骤四、在上述铜铟镓硒吸收层上制备铜铟镓硒薄膜太阳电池。
一种低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池方法

[发明专利]一种碲锰镉/铜铟镓硒叠层太阳能电池-CN201611100162.8在审
发明人：梁结平 -专利权人：梁结平
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲锰镉/铜铟镓硒叠层太阳能电池，在透明衬底的两面分别沉积宽带隙的碲锰镉太阳能电池和窄带隙的铜铟镓硒太阳能电池，这种碲锰镉/铜铟镓硒叠层太阳能电池结构不仅大大扩展了对太阳光谱的吸收范围，最大程度地提高了太阳光能的利用，提高了光电转换效率，而且还解决了传统叠层太阳能电池存在的晶格匹配等问题。
一种碲锰镉铜铟镓硒叠层太阳能电池

[发明专利]碲锌镉/铜铟镓硒叠层太阳能电池-CN201210091689.4无效
发明人：曹鸿;褚君浩;王善力 -专利权人：上海太阳能电池研究与发展中心
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲锌镉/铜铟镓硒叠层太阳能电池，在透明衬底的两面分别沉积宽带隙的碲锌镉太阳能电池和窄带隙的铜铟镓硒太阳能电池。这种碲锌镉/铜铟镓硒叠层太阳能电池结构不仅大大扩展了对太阳光谱的吸收范围，最大程度地提高了太阳光能的利用，提高了光电转换效率，而且还解决了传统叠层太阳能电池存在的晶格匹配等问题。
碲锌镉铜铟镓硒叠层太阳能电池

[发明专利]柔性衬底薄膜太阳电池及专用设备-CN200710014958.6无效
发明人：张金学;曹军;高新忠 -专利权人：济南荣达电子有限公司
申请日： 2007-06-20 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：技术路线为：柔性衬底薄膜太阳电池的制作以铝为衬底材料，并生长氧化铝绝缘层；磁控溅射沉积氮化钛下电极；吸收层的组分为铜铟镓硒，采用磁控溅射方法生长铜铟镓堆叠层，节约使用贵重金属铜、铟、镓，非真空方法在吸收层中掺入硒或(和)硫，可减化工艺过程，提高产量，采取自发热方式硒化；化学水浴生长缓冲层硫化锌；磁控溅射生长窗口层氧化锌/氧化锌铝。本柔性薄膜太阳电池半导体器件的制作还需要一台特殊专用设备，特征在于具有一个硒层喷涂机构及采用衬底材料自身发热形式进行硒化。
柔性衬底薄膜太阳电池专用设备

[发明专利]新型利用氟化钠控制钠扩散之铜铟镓硒太阳能电池-CN201210062483.9无效
发明人：陈政宏;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2012-03-12 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：本发明主要目的系一种新型利用氟化钠控制钠扩散之铜铟镓硒太阳能电池，此技术方法于使用真空蒸镀法制作氟化钠薄膜，其目的在于控制钠扩散，并大幅增加铜铟镓硒太阳能电池的质量及生产良率，且提高铜铟镓硒太阳能电池的短路电流，进而达到生产成本降低及高效率之铜铟镓硒太阳能电池。
新型利用氟化钠控制扩散铜铟镓硒太阳能电池

[发明专利]新型利用硫酸钠控制钠扩散之铜铟镓硒太阳能电池-CN201210062484.3无效
发明人：陈政宏;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2012-03-12 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：本发明主要目的系一种新型利用硫酸钠控制钠扩散之铜铟镓硒太阳能电池，此技术方法于使用真空蒸镀法制作硫酸钠薄膜，其目的在于控制钠扩散，并大幅增加铜铟镓硒太阳能电池的质量及生产良率，且提高铜铟镓硒太阳能电池的短路电流，进而达到生产成本降低及高效率之铜铟镓硒太阳能电池。
新型利用硫酸钠控制扩散铜铟镓硒太阳能电池

[发明专利]双层导电膜结构的铜铟镓硒薄膜太阳电池及制备方法-CN201610832713.3有效
发明人：申绪男;赵岳;赖运子;刘帅奇 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种双层导电膜结构的铜铟镓硒薄膜太阳电池及制备方法，包括步骤1、在衬底上制作背电极；具体为通过直流磁控溅射沉积系统在衬底材料上沉积Mo作为背电极，Mo为双层结构；步骤2、在背电极上利用共蒸发铜、铟、镓、硒四种元素的方法制备厚度2微米以上的铜铟镓硒薄膜；步骤3、在铜铟镓硒薄膜上，采用化学水浴沉积的方法制备缓冲层，缓冲层为50nm的硫化镉薄膜；步骤4、在缓冲层上采用射频磁控溅射的方法制备50nm厚的本征氧化锌薄膜；步骤5、在本征氧化锌薄膜上，采用直流磁控溅射方法依次制备掺铝氧化锌薄膜和氧化铟锡薄膜；步骤6、在透明导电膜上，采用低温丝网印刷工艺，制备银上电极，制备温度不高于100℃。
双层导电膜结构铜铟镓硒薄膜太阳电池制备方法

[发明专利]铜铟镓硒薄膜光伏电池装置及其制备方法-CN201110422208.9有效
发明人：尹苓;肖旭东 -专利权人：香港中文大学;中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜光伏电池装置及其制备方法。该铜铟镓硒薄膜光伏电池装置包括依次层叠设置的衬底、背电极层、铜铟镓硒光吸收层、缓冲层、阻挡层、导电窗口层及栅电极，其中，所述栅电极为p型或n型的石墨烯薄膜。
铜铟镓硒薄膜电池装置及其制备方法