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[发明专利]一种铜铟镓硒太阳电池器件及其制备方法-CN201310241257.1有效
发明人：薛玉明;张嘉伟;李微;乔在祥;许楠;赵彦民;刘君;宋殿友;朱亚东;潘宏刚;李鹏海;刘浩;冯少君;尹富红 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：一种铜铟镓硒太阳电池器件，为基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒太阳电池，由玻璃、聚酰亚胺、钼背接触层、铜铟镓硒吸收层、硫化镉缓冲层、透明窗口层高阻本征氧化锌薄膜、透明窗口层低阻氧化锌铝薄膜和铝上电极组成并形成叠层结构，其制备方法是：首先将聚酰亚胺胶涂于玻璃表面，固化成聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底，然后依次在其表面依次制备各层薄膜，在完整的铜铟镓硒太阳电池制备完成后，将其与苏打玻璃衬底分离，得到以聚酰亚胺膜为衬底的柔性铜铟镓硒太阳电池本发明的优点是：该种基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒薄膜结晶晶粒大；其制备方法是以钢性衬底制备柔性电池，易于实施，有利于大规模的推广应用。
一种铜铟镓硒太阳电池器件及其制备方法

[发明专利]一种铜铟镓硒太阳电池器件及其制备方法-CN201310241259.0无效
发明人：薛玉明;张嘉伟;许楠;李微;赵彦民;乔在祥;刘浩;冯少君;尹富红;刘君;李鹏海;宋殿友;朱亚东;潘宏刚 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：一种铜铟镓硒太阳电池器件，为基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒太阳电池，由玻璃、聚酰亚胺、钼背接触层、铜铟镓硒吸收层、硫化镉缓冲层、透明窗口层高阻本征氧化锌薄膜、透明窗口层低阻氧化锌铝薄膜和铝上电极组成并形成叠层结构，其制备方法是：首先将聚酰亚胺胶涂于玻璃表面，固化成聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底，然后依次在其表面依次制备各层薄膜，在完整的铜铟镓硒太阳电池制备完成后，将其与苏打玻璃衬底分离，得到以聚酰亚胺膜为衬底的柔性铜铟镓硒太阳电池本发明的优点是：该种基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒薄膜结晶晶粒大；其制备方法是以钢性衬底制备柔性电池，易于实施，有利于大规模的推广应用。
一种铜铟镓硒太阳电池器件及其制备方法

[发明专利]一种铜铟镓硒太阳电池器件及其制备方法-CN201310241258.6无效
发明人：薛玉明;张嘉伟;乔在祥;李微;赵彦民;许楠;刘浩;尹富红;冯少君;潘宏刚;宋殿友;朱亚东;刘君;李鹏海 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L31/045 文献下载
摘要：一种铜铟镓硒太阳电池器件，为基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒太阳电池，由玻璃、聚酰亚胺、钼背接触层、铜铟镓硒吸收层、硫化镉缓冲层、透明窗口层高阻本征氧化锌薄膜、透明窗口层低阻氧化锌铝薄膜和铝上电极组成并形成叠层结构，其制备方法是：首先将聚酰亚胺胶涂于玻璃表面，固化成聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底，然后依次在其表面依次制备各层薄膜，在完整的铜铟镓硒太阳电池制备完成后，将其与苏打玻璃衬底分离，得到以聚酰亚胺膜为衬底的柔性铜铟镓硒太阳电池本发明的优点是：该种基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒薄膜结晶晶粒大；其制备方法是以钢性衬底制备柔性电池，易于实施，有利于大规模的推广应用。
一种铜铟镓硒太阳电池器件及其制备方法

[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法-CN201210321786.8有效
发明人：魏爱香;刘军;赵湘辉;招瑜;刘俊 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，该方法首先采用射频磁控溅射技术在清洗干净的玻璃衬底上制备金属钼背电极，以铜铟合金靶和铜镓合金靶为溅射靶材，以氩气作为溅射气体，采用射频磁控溅射技术，以双靶交替溅射的方式，制备成Mo/CuIn/CuGa/CuIn/CuGa/CuIn/CuGa多层结构的铜铟镓金属预制层，最后以固态硒粉为硒源，在铜铟镓预制层上真空蒸发厚度是铜铟镓预制层厚度的4～6倍的硒薄膜，再在真空条件下通过三步升温硒化方式进行硒化：首先加热到100°C恒温10～20min，再升温到260°C恒温15～20min，最后再加热到550°C恒温30min，形成具有黄铜矿结构的晶粒较大的铜铟镓硒吸收层
一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收制备方法

[发明专利]铜铟镓硒光吸收层薄膜的四元单靶射频磁控溅射制备方法-CN201110388411.9无效
发明人：戴新义;周爱军;徐晓辉;冯利东;李晶泽 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法，其特征在于，使用四元铜铟镓硒单靶射频磁控溅射制备铜铟镓硒薄膜，不涉及传统的后续硒化退火工艺。首先使用直流磁控溅射在钠钙玻璃衬底上制备双层钼薄膜作为金属背电极，然后在钼背电极上使用射频磁控溅射制备铜铟镓硒薄膜。在铜铟镓硒薄膜的制备过程中关键是在较高温度的钼背电极上沉积铜铟镓硒薄膜，以实现薄膜生长与热处理的同步进行。该方法制备的铜铟镓硒薄膜具有黄铜矿相晶体结构，晶粒尺寸大，(220/204)择优取向明显，柱状晶粒贯穿薄膜上下表面，可用作薄膜太阳能电池的光吸收层。
铜铟镓硒光吸收薄膜四元单靶射频磁控溅射制备方法

[发明专利]一种铜铟镓硒太阳能电池光吸收层的掺杂方法-CN201811166785.4有效
发明人：张冲;王雪戈 -专利权人：鸿翌科技有限公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/383 文献下载
摘要：本发明提供一种铜铟镓硒太阳能电池光吸收层的的掺杂方法，在衬底沉积背电极；在所述衬底用于形成所述铜铟镓硒光吸收层的一侧，沿所述衬底卷绕的方向设置第一蒸发部和第二蒸发部，其中，所述第一蒸发部由铜蒸发源、铟蒸发源、镓蒸发源和硒蒸发源组成，所述第二蒸发部由氟化钾蒸发源组成，所述第二蒸发部与所述第一蒸发部间隔预设距离；对所述衬底进行放卷和收卷操作，以使得：所述衬底移动至所述第一蒸发部，控制所述第一蒸发部蒸发，在所述背电极沉积形成铜铟镓硒光吸收层；以及所述衬底移动至所述第二蒸发部，控制所述第二蒸发部蒸发，以在所述铜铟镓硒光吸收层上沉积氟化钾。这样可以提升铜铟镓硒太阳能电池的光电转换效率。
一种铜铟镓硒太阳能电池光吸收掺杂方法

[发明专利]一种铜铟镓硒柔性薄膜太阳能电池回收利用方法-CN201510393356.0在审
发明人：赵联波;胡潇文;王宝玉 -专利权人：常德汉能薄膜太阳能科技有限公司
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： B09B5/00 文献下载
摘要：一种铜铟镓硒柔性薄膜太阳能电池回收利用方法，包括以下步骤：(1)脱封处理，(2)一次清洗，(3)酸浸，(4)二次清洗，(5)还原反应，(6)硒化反应。本发明通过脱封、酸浸等常规手段除去EVA外封装材料、TCO窗口层和CdS缓冲层，然后在高温下进行氢气还原，将铜铟镓硒化合物还原成铜铟镓金属层，这部分作为金属硒化法制备CIGS薄膜的前驱体，再次返回到硒化退火工序本发明相对于现有的铜铟镓硒薄膜电池回收方法，可以有效回收铜铟镓。该方法工艺简单，对设备要求不高，分离效果明显，并且实现了原材料的循环利用，易于在生产中大规模推广。
一种铜铟镓硒柔性薄膜太阳能电池回收利用方法

[发明专利]一种有效阻挡铁扩散的不锈钢柔性衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201610606518.9在审
发明人：汤勇;张晓清;黄云翔;陆龙生;袁伟;万珍平;李宗涛 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种有效阻挡铁扩散的不锈钢柔性衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法。该方法制备步骤为：在不锈钢柔性衬底上依次制备阻挡层、背电极、吸收层、缓冲层、本征氧化锌层、掺铝氧化锌层和上电极。在柔性衬底上溅射、沉积制得所述阻挡层。所述吸收层的制备：依次电沉积铜层、铟层和镓层得到铜铟镓金属预制层，在真空环境中进行退火热处理，得铜铟镓合金预制层；再在Ar和Se蒸汽氛围中进行硒化反应，得到不锈钢柔性衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层。本发明方法能有效阻挡不锈钢衬底中有害元素铁的扩散，制得的不锈钢柔性衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池结构简单，开路电压、填充因子和转换效率大大提高。
一种有效阻挡扩散不锈钢柔性衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]铜铟镓硒铜锑硒复合纳米材料及其合成方法、薄膜电池-CN201610364756.3有效
发明人：张晓琨;杨咏梅;向勇;高诗光;夏天培 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒铜锑硒复合纳米材料的合成方法，包括以下步骤，提供硒前驱体溶液、铜铟镓硒前驱体溶液、铜锑前驱体溶液，所述三种前驱体溶液中硒元素总摩尔量是铜元素总摩尔量的1.5‑3倍；将硒前驱体溶液与铜锑前驱体溶液，注入到铜铟镓硒前驱体溶液中，升温至100‑300℃，以长链烯化合物为螯合剂，合成铜铟镓硒铜锑硒复合纳米材料。本发明还涉及一种由上述方法合成的铜铟镓硒铜锑硒复合纳米材料以及一种应用上述铜铟镓硒铜锑硒复合纳米材料的一种薄膜电池，所述铜铟镓硒铜锑硒复合纳米材料具有以铜铟镓硒材料为核体，以铜锑硒材料形成壳体的核壳结构
铜铟镓硒铜锑硒复合纳米材料及其合成方法薄膜电池

[发明专利]铜铟镓硫硒敏化半导体阳极太阳电池及其制备方法-CN201310613803.X有效
发明人：黄富强;王耀明;朱小龙;张雷;李爱民;秦明升;刘战强;谢宜桉 -专利权人：上海富际新能源科技有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：本发明涉及铜铟镓硫硒敏化半导体阳极太阳电池及其制备方法，所述太阳电池包括依次形成于玻璃基片上的N型透明导电膜、和N型宽带隙半导体微粒多孔膜；在所述N型宽带隙半导体微粒多孔膜的孔隙内和表面原位生成从而与其复合的铜铟镓硫硒敏化层；以及形成于所述铜铟镓硫硒敏化层上的背电极；其中，所述全固态铜铟镓硫硒敏化半导体阳极太阳电池不含有机染料和液态电解质。本发明中，铜铟镓硫硒在多孔半导体阳极的孔隙内和表面原位生成，因此铜铟镓硫硒与多孔半导体阳极之间可实现紧密的化学结合，实现光生载流子在界面上有效传输。
铜铟镓硫硒敏化半导体阳极太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种基于复合衬底的掺钠铜铟镓硒薄膜及其制备方法-CN201310241015.2无效
发明人：薛玉明;张嘉伟;乔在祥;李微;许楠;赵彦民;李鹏海;朱亚东;刘君;宋殿友;潘宏刚;冯少君;刘浩;尹富红 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种基于复合衬底的掺钠铜铟镓硒薄膜，为基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的掺钠铜铟镓硒薄膜，由玻璃、聚酰亚胺和铜铟镓硒吸收层薄膜组成并形成叠层结构，其制备方法是：首先将聚酰亚胺胶涂覆于苏打玻璃表面，固化成聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底，然后在其表面制备一层极薄的氟化钠预置层薄膜，最后在其上制备铜铟镓硒薄膜。本发明的优点是：该基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的掺钠铜铟镓硒薄膜附着性优秀，结晶质量好，晶粒大、缺陷少，可实现利用钢性衬底制备柔性太阳电池；其制备方法简单、易于实施，有利于大规模的推广应用。
一种基于复合衬底掺钠铜铟镓硒薄膜及其制备方法

[发明专利]一种基于复合衬底的掺钠铜铟镓硒薄膜及其制备方法-CN201310240977.6无效
发明人：薛玉明;张嘉伟;乔在祥;李微;许楠;赵彦民;朱亚东;刘君;宋殿友;潘宏刚;李鹏海;冯少君;刘浩;尹富红 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：一种基于复合衬底的掺钠铜铟镓硒薄膜，为基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的掺钠铜铟镓硒薄膜，由玻璃、聚酰亚胺和铜铟镓硒吸收层薄膜组成并形成叠层结构，其制备方法是：首先将聚酰亚胺胶涂覆于苏打玻璃表面，固化成聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底，然后在其表面制备一层极薄的氟化钠预置层薄膜，然后在其上制备铜铟镓硒薄膜。本发明的优点是：该基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的掺钠铜铟镓硒薄膜附着性优秀，结晶质量好，晶粒大、缺陷少，可实现利用钢性衬底制备柔性太阳电池；其制备方法简单、易于实施，有利于大规模的推广应用。
一种基于复合衬底掺钠铜铟镓硒薄膜及其制备方法

[发明专利]利用低熔点助熔剂的太阳能电池用铜铟镓硒系薄膜的制作方法及据此方法制作的铜铟镓硒系薄膜-CN201380000852.4有效
发明人：鱼英柱;尹庆勋;安世镇;郭智惠;尹载浩;赵雅拉;申基植;安承奎;赵俊植;柳镇洙;朴相炫;朴柱炯 -专利权人：韩国能源技术研究院
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用低熔点助熔剂的太阳能电池用铜铟镓硒系薄膜的制作方法及据此方法制作的铜铟镓硒系薄膜。本发明的铜铟镓硒系薄膜的制作方法，包括：制作铜铟镓硒系纳米颗粒的步骤（a）；含有上述铜铟镓硒系纳米颗粒与熔点为30‑400℃范围的助熔剂的浆料的制作步骤（b）；在基板上非真空涂覆上述浆料而形成铜铟镓硒系前驱体薄膜的步骤（c）；干燥铜铟镓硒系前驱体薄膜的步骤（d）；利用硒蒸汽将上述铜铟镓硒系前驱体薄膜进行硒化热处理的步骤（e）。据此可使用比以前铜铟镓硒系薄膜制作时低的温度进行硒化热处理，从而节减制作费用，并用低温也能够充分完成薄膜内结晶生长。
利用熔点熔剂太阳能电池用铜铟镓硒系薄膜制作方法据此方法制作铜铟镓硒系

[发明专利]陷光结构铜铟镓硒薄膜太阳电池的制备方法-CN201310755636.2在审
发明人：申绪男;赵岳;王赫;杨亦桐;邓朝文;赵彦民;乔在祥 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种陷光结构铜铟镓硒薄膜太阳电池的制备方法，制备步骤包括1.制作一面为粗糙面的衬底；2.在衬底的粗糙面上制作背电极；3.在背电极的表面制作铜铟镓硒薄膜；4.在铜铟镓硒薄膜上面自下至上依次制作缓冲层；i-ZnO层；透明窗口层；减反射层和栅线电极，完成陷光结构铜铟镓硒薄膜太阳电池制作过程。本发明在粗糙面背电极上共蒸发形成的1μm厚铜铟镓硒薄膜，经腐蚀，形成表面均方根粗糙度为20nm以下的陷光结构铜铟镓硒吸收层，增加了光在吸收层中所经过的有效光程，在不损失太阳光的利用率的基础上，大幅较少了稀有金属资源的利用
结构铜铟镓硒薄膜太阳电池制备方法

[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳电池的器件结构及其制备方法-CN201711171294.4在审
发明人：杨晓艳 -专利权人：杨晓艳
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳电池的器件结构及其制备方法，其中，铜铟镓硒薄膜太阳电池的器件结构包括衬底、背接触层、吸收层、缓冲层、窗口层、减反层和顶电极，并依次叠加，形成叠层结构。铜铟镓硒薄膜太阳电池的制备方法主要包括利用真空蒸镀的方法依次形成上述各功能层。采用该方法，可以实现在真空系统中完成整个铜铟镓硒薄膜太阳电池器件的制备，实现了真空工艺的连续性，节约了时间成本，解决了由于采用非真空法形成某一功能层造成的真空工艺的不连续及由此带来的时间成本较高的问题。同时，通过各功能层的优化，进一步提升铜铟镓硒薄膜太阳电池的光电转换效率。
一种铜铟镓硒薄膜太阳电池器件结构及其制备方法