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[发明专利]一种离子注入制备掺铒碳化硅光波导的方法-CN201310442302.X有效
发明人：付刚;张秀全;季燕菊;秦希峰 -专利权人：山东建筑大学
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及一种离子注入制备掺铒碳化硅光波导的方法，依次包括晶体抛光清洗、注入氧离子、退火、注入铒离子、退火的步骤最终得到掺铒碳化硅波导。通过将SOI半导体工艺应用于制备掺铒碳化硅光波导的二氧化硅下包层的过程，生成一层进化学计量比的二氧化硅埋层，与掺铒碳化硅波导芯层之间的折射率差值较大。在掺铒碳化硅波导芯层中，铒离子浓度呈高斯分布，掺铒碳化硅波导芯层中间部分的铒离子浓度最高，有效增强铒离子的荧光发光效率，提高光增益。通过调整注入能量和注入剂量可以实现精确控制注入铒离子的深度和浓度，可以避免由于注入的铒离子浓度过低导致的波导增益低以及过高导致的铒离子浓度猝灭效应。
一种离子注入制备碳化硅波导方法

[发明专利]用铒离子注入勃姆石方法制备掺铒氧化铝光波导薄膜-CN200410021335.8无效
发明人：雷明凯;王兴军;杨涛;王辉;曹保胜 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2004-03-02 - 公布日： 2005-01-05 - 主分类号： G02B6/20 文献下载
摘要：光电子材料及器件领域中，用铒离子注入勃姆石方法制备掺铒氧化铝光波导薄膜，特征：采用溶胶－凝胶和离子注入复合工艺原位合成掺铒Al₂O₃光波导薄膜，用浸渍提拉法或旋转涂覆法在SiO₂/Si基片上涂覆γ－AlOOH干凝胶薄膜，再将铒离子注入γ－AlOOH干凝胶薄膜，经高温烧结原位合成掺铒Al₂O₃光波导薄膜，工艺：在SiO₂/Si基片上涂覆γ－AlOOH干凝胶薄膜；铒离子注入γ－AlOOH干凝胶薄膜；重复第一、二步，获得最终掺铒离子的γ－AlOOH干凝胶薄膜总厚度和总注入铒离子剂量；将掺铒离子的γ－AlOOH干凝胶薄膜在600－1000℃烧结，通过2Er+2γ－AlOOH→(Al，Er)₂O₃+H₂O的化学和物理复合过程，制备出掺铒Al优点：与已有技术相比，这类薄膜具有高的铒离子分布均匀度和分散度，光致发光强度提高3到6倍。
离子注入石方法制备掺铒氧化铝波导薄膜

[发明专利]掺铒高硅氧红外发光玻璃的制造方法-CN200510031022.5无效
发明人：陈丹平 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2005-10-21 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： C03C17/00 文献下载
摘要：一种掺铒高硅氧红外发光玻璃的制造方法，包括下列步骤：①选取高硅氧多孔玻璃，该玻璃中SiO₂的含量为95～98wt％；②制备含铒离子的溶液，铒离子的浓度范围为0.02～0.42摩尔/升；③将所述的高硅氧多孔玻璃浸没在所述的含铒离子的溶液中，以使所述的含铒离子的溶液浸入该高硅氧多孔玻璃中，形成含铒离子的高硅氧多孔玻璃；④经过干燥，将该含铒离子的高硅氧多孔玻璃放入高温炉，在1050－1200
掺铒高硅氧红外发光玻璃制造方法

[发明专利]一种铒/镱共掺钙钛矿近红外发光薄膜及其发光二级管-CN202211096775.4在审
发明人：李鸿飞;宋宏伟;周东磊;白雪;董彪;徐琳 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10K50/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种铒/镱共掺钙钛矿近红外发光薄膜及其发光二极管，以稀土铒、镱和铯的醋酸盐替代相应的氯化盐分别作为铒、镱和铯源，解决了目前溶液法制备铒/镱共掺钙钛矿薄膜过程中由于氯离子的增多所导致的二甲基亚砜溶液中二氯化铅和甲醇溶液中镱离子沉淀析出的难题，实现了铒/镱离子取代铅离子格位的有效掺杂，提高了铒离子的掺杂量，改善了成膜质量，降低了缺陷密度及其非辐射复合几率，显著提升了掺铒钙钛矿1.54微米近红外发光的发光性能。
一种镱共掺钙钛矿近红外发光薄膜及其二级

[发明专利]铥铒镝三掺杂氟化铅中红外激光晶体、制备方法及应用-CN202011099776.5在审
发明人：张沛雄;王宇皓;廖家裕;李真;尹浩;朱思祁;陈振强 -专利权人：暨南大学
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种铥铒镝三掺杂氟化铅中红外激光晶体、制备方法及应用，该晶体中，铒离子作为激活离子，实现2.6～2.9微米的荧光发射，对应铒离子4I11/2→4I13/2的能级跃迁，镝离子作为铒离子的退激活离子，一方面，镝离子使得铒离子的激光下能级(4I13/2)能级寿命降低，另一方面，实现镝离子6H13/2→6H15/2粒子数反转和中红外激光输出；铥离子具有双重作用，作为铒离子和镝离子的敏化离子或作为铒离子的退激活离子
铥铒镝三掺杂氟化红外激光晶体制备方法应用

[发明专利]光放大光纤和使用该光纤的光放大器-CN01801564.6无效
发明人：相曾景一;田代至男;八木健 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2001-06-21 - 公布日： 2002-11-20 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：本发明提供了一种能够削弱与铒离子浓度抑制和非线性效应有关的放大效率降低的光放大光纤。至少一种不同于铒、且其离子半径大于等于70%并小于等于130%铒离子半径的稀土元素,如镧,被掺入到掺铒光放大光纤的芯部中。
放大光纤使用放大器

[发明专利]输出1.5‑1.6微米波段激光的固体激光器-CN201210125313.0有效
发明人：黄建华;黄艺东;陈雨金;林炎富;龚兴红;罗遵度 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01S3/16 文献下载
摘要：本发明提供一种以铒离子掺杂硼酸镱锶晶体为增益介质的1.5‑1.6μm波段激光器，属于固体激光材料和器件领域。采用铒离子掺杂的硼酸镱锶激光晶体作为增益介质，结合激活离子铒和基质晶体中敏化离子镱的半径非常接近以及基质晶体中具有高镱离子浓度的特性，通过优化晶体中铒离子的掺杂浓度，利用977nm波长附近的红外激光泵浦
输出 1.5 1.6 微米波段激光固体激光器

[发明专利]一种基于分层掺杂的轨道角动量模式增益平坦环芯光纤-CN202111199976.2有效
发明人：李朝晖;温添金;高社成;涂佳静;张斌 -专利权人：中山大学;暨南大学
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于分层掺杂的轨道角动量模式增益平坦环芯光纤，包括从内至外依次包裹的内芯层、环芯层和包层；所述环芯层掺杂铒离子，所述环芯层分为至少两层且每层铒离子的掺杂浓度均不一致。环芯层具有至少两层不同浓度的掺杂铒离子区域，通过调整环芯层和铒离子掺杂浓度，可以使得该阶跃环芯掺铒光纤在光纤通信C波段下对更多阶数的OAM模式同时放大过程中进行均衡增益。同时，圆环形的环芯层具有不同浓度的铒离子层，进一步使得模式模场分布集中，这样不仅会提高被放大的模式和更高效率的利用激发铒离子，使得各阶模式增益趋于一致。
一种基于分层掺杂轨道角动量模式增益平坦光纤

[发明专利]高掺杂铒离子近化学计量比铌酸锂晶体及其制备方法-CN201110086805.9无效
发明人：王锐;钱艳楠;邢丽丽;徐衍岭 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2011-04-07 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：高掺杂铒离子近化学计量比铌酸锂晶体及其制备方法，涉及铒离子掺杂的近化学计量比铌酸锂晶体及其制备方法。解决现有掺铒离子近化学计量比铌酸锂晶体制备工艺复杂，难以得到高掺杂铒离子近化学计量比铌酸锂晶体的问题。本发明铌酸锂晶体由氧化铒、五氧化二铌和碳酸锂制成，氧化铒占原料总摩尔量的1％～2％。与掺杂1.5mol％铒同成分铌酸锂晶体相比，本发明铌酸锂晶体在1.54μm波段光发射强度提高4.16倍，Er3+离子的4I13/2能级寿命5.53ms延长66.57％。极大推动掺铒铌酸锂晶体发光材料在波导激光放大器于激光器领域的应用。
掺杂离子化学计量铌酸锂晶体及其制备方法

[发明专利]掺铒光纤和掺铒光纤的制备方法-CN202110592797.9在审
发明人：刘业辉;操时宜;李进延;褚应波 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：本申请公开了一种掺铒光纤。掺铒光纤可以应用于放大器、光通信和稀土掺杂光纤制备等领域。掺铒光纤的纤芯由内向外包括第一层和第二层。第一层包括纤芯的中心。第二层为环形，环形的外圈是纤芯的外圈。第一层的铒离子平均掺杂浓度高于第二层的铒离子平均掺杂浓度。在本申请中，通过降低第二层的铒离子掺杂浓度，可以减少ASE，进而降低掺铒光纤的噪声系数，提高通信质量。
光纤制备方法

[发明专利]一种掺铒或铒氧的硅基室温通讯波段发光材料的制备方法、该发光材料及硅基激光器-CN201711346430.9在审
发明人：但亚平;文惠敏;何佳晶 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺铒(Er)或铒氧(Er/O)的硅基室温通讯波段发光材料的制备方法及由该方法制成的掺铒或铒氧的硅基发光材料。所述制备方法包括以下步骤：步骤a：对单晶硅片实施铒离子注入掺杂或者铒离子和氧离子同时注入掺杂(co‑doping)，获得掺铒或铒氧的硅片；以及步骤b：对所述掺铒或铒氧的硅片进行深冷退火处理，所述深冷退火处理包括升温过程以及快速冷却过程本发明中掺铒或铒氧的硅基发光材料的制备方法，通过深冷退火技术成功实现了硅基半导体材料在1.53μm波段的高效室温光致发光，为硅发光及硅激光光源的成功制备提供了一种可行的技术手段。本发明还进一步提供了一种基于上述深冷退火工艺的掺铒或铒氧的硅基室温通讯波段激光器。
掺铒制备深冷发光材料通讯波段硅基硅基发光材料退火处理铒离子硅片发光掺杂快速冷却过程硅基半导体硅基激光器单晶硅片工业应用激光光源技术手段升温过程退火工艺退火技术激光器工艺流程室温光氧离子波段兼容成功

[发明专利]铒基耐等离子体陶瓷涂层的非直视性沉积-CN202310842884.4在审
发明人： J·Y·孙 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明描述了一种使用非直视性(non‑line‑of‑sight；NLOS)沉积工艺在腔室部件的表面上沉积耐等离子体陶瓷涂层的方法，所述非直视性沉积工艺为诸如原子层沉积(atomic layer deposition耐等离子体陶瓷涂层由含铒氧化物、含铒氟氧化物或含铒氟化物组成。本发明还描述了具有含铒氧化物、含铒氟氧化物或含铒氟化物的耐等离子体陶瓷涂层的腔室部件。
铒基耐等离子体陶瓷涂层直视沉积

[发明专利]铒基耐等离子体陶瓷涂层的非直视性沉积-CN201780038885.6有效
发明人： J·Y·孙 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明描述了一种使用非直视性(non‑line‑of‑sight；NLOS)沉积工艺在腔室部件的表面上沉积耐等离子体陶瓷涂层的方法，所述非直视性沉积工艺为诸如原子层沉积(atomic layer deposition耐等离子体陶瓷涂层由含铒氧化物、含铒氟氧化物或含铒氟化物组成。本发明还描述了具有含铒氧化物、含铒氟氧化物或含铒氟化物的耐等离子体陶瓷涂层的腔室部件。
铒基耐等离子体陶瓷涂层直视沉积

[发明专利]一种铒离子掺杂铌酸镱材料及其制备方法-CN201811076434.4在审
发明人：钱艳楠;唐巽泽;张海燕 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： C09K11/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种铒离子掺杂铌酸镱材料及其制备方法和应用。所述铒离子掺杂铌酸镱材料的化学通式为YbNbO₃:xEr³⁺，其中0.5≤x≤2.2。本发明采用溶剂热反应将饵离子掺杂进入基质铌酸镱晶格中得到一种上转换发光材料铒离子掺杂铌酸镱材料，其中以铌酸镱为基质材料，铒离子作为发光中心，本发明制备方法简单；针对太阳能电池半导体材料能隙的限制，本发明制备的铒离子掺杂铌酸镱材料将利用铒离子上转换技术同时将
铒离子铌酸掺杂制备太阳能电池上转换波段半导体材料上转换发光材料太阳能电池领域制备方法和应用光电转换效率溶剂热反应可见光发光中心防伪领域化学通式基质材料近红外光饵离子光催化荧光基质晶格能隙电池转换医学吸收应用

[发明专利]一种掺铒氮化锌薄膜光波导及制备方法-CN201410246159.1有效
发明人：王凤翔;孙舒宁;付刚;陈志华;李双 -专利权人：山东建筑大学
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： G02B6/134 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体材料光波导的制备方法，尤其涉及一种掺铒氮化锌薄膜光波导及制备方法。本发明首次在氮化锌这种新型半导体材料薄膜层尝试进行铒离子掺杂，并证明离子辐照技术制备掺铒氮化锌光波导是可行的，为氮化锌光波导的发展前景提供了一个巨大的推力。本发明进行铒离子辐照氮化锌薄膜过程中辐照能量300-600KeV，注入剂量10¹⁴-10¹⁶ions/cm²，束流密度0.3-0.8μA/cm²；氮化锌薄膜表面法线方向与入射离子束方向的夹角为7°；掺铒氮化锌薄膜样品用氮化炉内在氮气中进行退火处理。所制得掺铒氮化锌光波导中无氧化锌混入，纯度高。铒离子分布成高斯分布，最大浓度集中在薄膜中部，发光效率明显提高，荧光强度增益4%-15%。
一种氮化薄膜波导制备方法

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