[发明专利]一种掺铒或铒氧的硅基室温通讯波段发光材料的制备方法、该发光材料及硅基激光器在审
| 申请号： | 201711346430.9 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109936048A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 但亚平;文惠敏;何佳晶 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H05B6/02 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张静 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺铒(Er)或铒氧(Er/O)的硅基室温通讯波段发光材料的制备方法及由该方法制成的掺铒或铒氧的硅基发光材料。所述制备方法包括以下步骤：步骤a：对单晶硅片实施铒离子注入掺杂或者铒离子和氧离子同时注入掺杂(co‑doping)，获得掺铒或铒氧的硅片；以及步骤b：对所述掺铒或铒氧的硅片进行深冷退火处理，所述深冷退火处理包括升温过程以及快速冷却过程。本发明中掺铒或铒氧的硅基发光材料的制备方法，通过深冷退火技术成功实现了硅基半导体材料在1.53μm波段的高效室温光致发光，为硅发光及硅激光光源的成功制备提供了一种可行的技术手段。整个工艺流程可与CMOS工艺相兼容，具备重要的工业应用价值。本发明还进一步提供了一种基于上述深冷退火工艺的掺铒或铒氧的硅基室温通讯波段激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 掺铒 制备 深冷 发光材料 通讯波段 硅基 硅基发光材料 退火处理 铒离子 硅片 发光 掺杂 快速冷却过程 硅基半导体 硅基激光器 单晶硅片 工业应用 激光光源 技术手段 升温过程 退火工艺 退火技术 激光器 工艺流程 室温光 氧离子 波段 兼容 成功 | ||
【主权项】：
1.一种掺铒(Er)或铒氧(Er/O)的硅基室温通讯波段发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤a：对单晶硅片实施铒离子注入掺杂或铒离子和氧离子同时注入掺杂(co‑doping)，获得掺杂铒或铒氧的硅片；所述单晶硅片为表面有锗外延层的硅片或硅在绝缘层之上的SOI硅片或其它硅基晶圆；以及步骤b：对所述掺杂铒或铒氧的硅片进行深冷退火处理，所述深冷退火处理包括升温过程以及快速冷却过程。
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