专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种铟铥三掺杂锂晶体及其制备方法-CN201310252932.0无效
  • 代丽;焦珊珊;钱钊;李大勇;林家齐;王喜明 - 哈尔滨理工大学
  • 2013-06-24 - 2013-09-25 - C30B29/30
  • 一种铟铥三掺杂锂晶体及其制备方法,它涉及一种掺杂锂晶体及其制备方法。本发明是要解决现有的铥掺杂的锂晶体抗光损伤能力较低的问题。本发明一种铟铥三掺杂锂晶体由Nb2O5、LiCO3、In2O3、Yb2O3和Tm2O3制成。制备方法:一、混合;二、采用提拉法生长晶体;三、极化;即得到铟铥三掺杂锂晶体。本发明制备的铟铥三掺杂锂晶体光洋度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生,在保证了铥掺杂的锂晶体原有优良性能的同时抗光损伤能力显著提高;本发明铟铥三掺杂锂晶体的制备方法简单,便于操作本发明可用于制备铟铥三掺杂锂晶体。
  • 一种铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法
  • [发明专利]钬双掺锂晶体及其制备方法-CN201110069522.3无效
  • 王锐;郭倩;钱艳楠;邢丽丽 - 哈尔滨工业大学
  • 2011-03-22 - 2011-07-20 - C30B29/30
  • 钬双掺锂晶体及其制备方法,本发明涉及掺杂锂晶体及其制备方法。本发明解决了现有的锂晶体不能做为激光晶体材料应用的技术问题。本发明的钬双掺锂晶体由五氧化二、碳酸锂、氧化和氧化钬制成;方法:将五氧化二、碳酸锂、氧化和氧化钬混合后焙烧得到多晶粉料,然后将多晶粉料在单晶生长炉中,采用提拉法经引晶、缩颈、放肩、收肩、等径生长出晶体,再经退火后得到钬双掺锂晶体;该晶体双掺锂晶体用980nm的激光激发可得到红光和绿光,在光学数据存贮、海底通信、光学显示、彩色显示、光电子、医疗诊断等领域具有广泛应用前景。
  • 镱钬双掺铌酸锂晶体及其制备方法
  • [发明专利]一种铒双掺钽钾锂单晶的提拉制备方法-CN201010598266.2无效
  • 李磊;周忠祥;杜艳伟;田浩 - 哈尔滨工业大学
  • 2010-12-21 - 2011-06-08 - C30B15/00
  • 一种铒双掺钽钾锂单晶的提拉制备方法,它涉及一种单晶的制备方法。本发明的目的是提供一种铒双掺钽钾锂单晶的提拉制备方法。制备方法如下:用无水乙醇将碳酸钾、碳酸锂、氧化钽、氧化、氧化铒和氧化的混合物的粉末研磨至无水乙醇挥发完全,然后放入铂金坩埚中,将铂金坩埚放入晶体生长炉内,进行晶体生长,即得铒双掺钽钾锂单晶。本发明利用提拉法成功生长铒掺杂钽钾锂单晶,并且能够实现铒掺杂钽钾锂单晶的可控生长;另外该方法相对工艺比较简单,不使用专用设备,不需要特殊气氛生长,对环境无污染,本发明方法对于铒掺杂钽钾锂单晶的大规模制备和全固态短波长激光器的应用起到了重要的推动作用
  • 一种铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶制备方法

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