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[发明专利]弛豫型铁电单晶原料的制备方法-CN201410851375.9在审
发明人：徐卓;车俊;李振荣;王富贵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种弛豫型铁电单晶原料的制备方法，针对铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)、铌锌酸铅-钛酸铅(PZN-PT)、铌铟酸铅-钛酸铅(PIN-PT)、铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅(PIN-PMN-PT)及其掺杂改性的弛豫铁电单晶材料，采用含结晶水的碱式碳酸镁，金红石型二氧化钛、高纯五氧化二铌，高纯三氧化二铟，高纯氧化锌与高纯氧化铅为原料，采用分步烧结，最终合成为所需化学组成的单晶原料，并对合成好的单晶原料再采用二次球磨
弛豫型铁电单晶原料制备方法

[发明专利]压电单晶、压电单晶元件及其制造方法-CN200480030194.4有效
发明人：松下三芳;岩崎洋介 -专利权人：杰富意矿物股份有限公司
申请日： 2004-10-14 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：通过在镁铌酸铅－钛酸铅(PMN－PT)单晶或锌铌酸－钛酸铅(PZN－PT或PZNT)单晶中添加特定的添加物，提供一种压电特性优良且价格低廉的复合钙钛矿结构的压电单晶元件等。具体而言，压电单晶具有复合钙钛矿结构，是一种含有35～98mol％的镁铌酸铅[Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃]或锌铌酸铅[Pb(Zn_1/3Nb_2/3)O₃]、0.1～64.9mol％的钛酸铅[PbTiO₃]以及0.05～30mol％的铟铌酸铅[Pb(In_1/2Nb_1/2)O₃]的组成物，其特征在于：该组成物中的0.05～10mol％的铅被置换为钙。
压电元件及其制造方法

[发明专利]铌锌酸铅陶瓷厚膜的制备方法-CN201010122405.4无效
发明人：樊慧庆;陈秀丽 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2010-03-11 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： C04B35/497 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌锌酸铅陶瓷厚膜的制备方法，用于解决现有技术在制备铌锌酸铅陶瓷厚膜过程中的高温环境容易导致铅挥发的技术问题，其技术方案是将氧化铅、氧化锌、五氧化二铌放入高压釜中，加入去离子水制成氧化物悬浮液，用氢氧化钾调节pH值后，将钛片基底悬挂在悬浮液中，将高压釜放入井式炉中，升温速率至制备温度，保温后随炉冷却至室温，取出钛片基底，用去离子水冲洗至pH值为中性后，放入烘箱中烘干，得到以钛片为基底的铌锌酸铅陶瓷厚膜由于采用低温软化学合成方法，即水热制备工艺，制备铌锌酸铅陶瓷厚膜，在低温下能够避开这类陶瓷热力学不稳定的缺点，得到性能良好的铌锌酸铅弛豫铁电陶瓷厚膜，且避免了铅元素的挥发。
铌锌酸铅陶瓷制备方法

[发明专利]一种锰掺杂铌铟锌酸铅-钛酸铅压电陶瓷、制备方法及其应用-CN201910376602.X有效
发明人：孙恩伟;祁旭昕;边浪;戚旭东;杨逸逍;郑华山;杨彬;曹文武 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：一种锰掺杂铌铟锌酸铅‑钛酸铅压电陶瓷、制备方法及其应用，本发明属于功能陶瓷材料领域，具体涉及一种锰掺杂铌铟锌酸铅‑钛酸铅压电陶瓷、制备方法及其应用。首先合成铌酸铟和铌酸锌前驱体，然后以InNbO4，ZnNb2O6，PbO，TiO2和MnO2为原材料制备陶瓷片，最后进行抛光镀银以及热极化处理，得到锰掺杂铌铟锌酸铅‑钛酸铅压电陶瓷。
一种掺杂铌铟锌酸铅钛酸铅压电陶瓷制备方法及其应用

[发明专利]压电功能膜、致动器以及喷墨头-CN201780071648.X有效
发明人：水原健介;张替贵圣 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：压电体层包含添加铌的锆钛酸铅。基底层包含：添加铌的钛酸铅、或者添加(铌、镧)的钛酸铅、或者添加(铌、镧、镁)的钛酸铅的任意一种。
压电功能致动器以及喷墨

[发明专利]一种具有高场致应变的锶掺杂铌铝酸铅-铌锌酸铅-锆钛酸铅基压电陶瓷及其制备方法和应用-CN201410216204.9无效
发明人：刘爱云;韩海龙;卫琳琳;王鹏;林方婷;石旺舟 -专利权人：上海师范大学
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高的场致应变的锶掺杂的铌铝酸铅-铌锌酸铅-锆钛酸铅基压电陶瓷，所述的铌铝酸铅-铌锌酸铅-锆钛酸铅基压电陶瓷的组成成分为Pb_(1-x)Sr_x
一种具有高场致应变掺杂铌铝酸铅铌锌酸铅锆钛酸铅基压电陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]利用氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备钛铌镁酸铅薄膜-CN201010241301.5有效
发明人：李效民;何邕;高相东;冷雪 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明提供一种利用氧等离子体辅助的脉冲激光沉积法制备钛铌镁酸铅薄膜的方法，特征在于，通过在脉冲激光沉积方法制备钛铌镁酸铅薄膜过程中引入高活性的氧等离子体，改善其结晶性和形貌，从而获得高质量钛铌镁酸铅薄膜具体过程是将钛铌镁酸铅靶材和衬底一起置于真空室中；将真空室抽真空，并将衬底加热至一定温度；然后通入一定量高纯氧气，通过气体电离系统施加高压将氧气电离，形成高活性氧等离子体；氧等离子体位于钛铌镁酸铅靶材和衬底之间；利用高能脉冲激光轰击钛铌镁酸铅靶材，产生高能等离子体，在衬底上沉积得到钛铌镁酸铅薄膜。本发明制备的钛铌镁酸铅薄膜结晶质量良好、结构致密，介电和铁电性能优异。
利用等离子体辅助脉冲激光沉积法制备钛铌镁酸铅薄膜

[发明专利]一种铌镁酸铅-钛酸铅厚膜陶瓷及其制备方法与应用-CN201910962768.X在审
发明人：鲁圣国;黄明峰;王世斌 -专利权人：广东工业大学;东莞华南设计创新院
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：本发明属于功能陶瓷技术领域，公开了一种铌镁酸铅‑钛酸铅厚膜陶瓷及其制备方法和应用。所述铌镁酸铅‑钛酸铅厚膜陶瓷的化学通式为Pb(Mg
厚膜陶瓷陶瓷粉体制备铌镁酸铅钛酸铅制备方法和应用比例称取原料二次球磨功能陶瓷化学通式介电常数流延工艺流延浆料强度稳定球磨混合制备厚膜重要意义烧结极化分散剂两步法增塑剂粘结剂烘干溶剂称取储能粉体滚磨过筛生坯预烧

[发明专利]一种制备功能陶瓷材料的方法-CN200710052746.7有效
发明人：谢甜甜;姜胜林;曾亦可;张海波 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2007-07-13 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： C04B35/632 文献下载
摘要：本发明制备出大尺寸高性能铌锌酸铅－锆钛酸铅压电陶瓷、钛酸锶钡系热释电陶瓷、铌锰酸铅－锑锰酸铅－锆钛酸铅系热释电陶瓷。
一种制备功能陶瓷材料方法

[发明专利]三元铁电固溶体铌镱酸铅-铌锌酸铅-钛酸铅-CN201210534994.6在审
发明人：艾辽东;龙西法 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁电固溶体铌镱酸铅-铌锌酸铅-钛酸铅。该固溶体化学式为 xPb(Yb1/2Nb1/2)O3-yPb(Zn1/3Nb2/3)O3- (1-x-y)PbTiO3 (0 < x < 1, 0钛矿结构。
三元固溶体铌镱酸铅铌锌酸铅钛酸铅

[发明专利]一种大功率压电陶瓷材料-CN90108248.1无效
发明人：邝安祥;周桃生;何昌鑫;柴荔英;谢菊芳 -专利权人：湖北大学
申请日： 1990-10-29 - 公布日： 1994-08-17 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明是对铌镁锆钛酸铅和铌锰锆钛酸铅进行了最佳组合和改性，从而获得在大功率使用下性能优异的铌镁酸铅，铌锰酸铅，锆酸铅，钛酸铅(PMMN)四元系压电陶瓷材料。解决了大功率压电变压器材料问题。
一种大功率压电陶瓷材料

[发明专利]铌镁酸铅-钛酸铅厚膜的制备方法-CN201010117930.7无效
发明人：樊慧庆;陈晋 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2010-03-04 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： C25D13/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌镁酸铅-钛酸铅厚膜的制备方法，用于解决现有技术制备方法制备的铌镁酸铅-钛酸铅厚膜表面致密性差的技术问题，其技术方案是按照(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3配料，制备出(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3粉体，所得粉体经电泳沉积厚膜后自然干燥，经甩胶法制备一层氧化铅表面溶胶凝胶膜，或经冷等静压处理后在高温下富铅气氛烧结，得到铌镁酸铅-钛酸铅厚膜由于采用电泳沉积法制备铌镁酸铅-钛酸铅厚膜，提高了Si3N4-SiO2复相陶瓷的表面致密性。
铌镁酸铅钛酸铅厚膜制备方法

[发明专利]液相外延制备铁电厚膜的方法-CN03129057.4无效
发明人：姚忻;曾新华 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2003-06-05 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：一种液相外延制备铁电厚膜材料的方法，首先，按照通常铌镁酸铅－钛酸铅或铌锌酸铅－钛酸铅晶体生长采用的组分进行氧化物原料配料；然后，把配好的粉料在玛瑙球磨罐中球磨，并在900℃进行煅烧；最后，将煅烧后的粉料与助熔剂氧化铅混合均匀，经过高温下一段时间的泡料后，在钛酸锶基片上外延生长制备PZNT(PMNT)厚膜。本发明采用氧化铅作助熔剂，钛酸锶基片作籽晶，在高温下通过液相外延的方法制备PZNT(PMNT)铁电厚膜材料，工艺简单，操作方便，能制备成分均一、具有一定厚度和特定取向的PZNT(PMNT)铁电厚膜材料。
外延制备铁电厚膜方法

[发明专利]一种超低介电损耗的铌锰酸铅-铌镍酸铅-锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷及其制备方法-CN202110347455.0有效
发明人：边浪;曹文武 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：一种超低介电损耗的铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷及其制备方法。本发明属于压铁电材料领域。本发明是为了解决现有软性陶瓷高介电损耗的技术问题。本发明的一种超低介电损耗的铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷的化学通式为x Pb(Mn1/3Nb铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷。本发明的方法预烧温度低，通过配方与工艺的优化烧结出铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅弛豫铁电陶瓷，准静态d33测试仪测量压电常数达760pC/N的同时，介电损耗低于0.5
一种超低介电损耗铌锰酸铅铌镍酸铅锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种铌酸锰掺杂铌镱酸铅-锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法-CN202310588092.9在审
发明人：汪尧进;丁冠中;张骥;李玲;王书豪;李响;王佳佳 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锰掺杂铌镱酸铅‑锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法。所述铌酸锰掺杂铌镱酸铅‑锆钛酸铅压电陶瓷的化学式为：xwt.本发明所述通过铌酸锰掺杂以及采用固相烧结法制备，获得具有较高的机械品质因数和优良压电系数的铌酸锰掺杂铌镱酸铅‑锆钛酸铅(MnN‑PYN‑PZT)压电陶瓷，该压电陶瓷可以更好地满足大功率超声焊接机、超声探伤仪等大功率器件的基本性能需求
一种铌酸锰掺杂铌镱酸铅锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法

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