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[发明专利]铌酸锂半导体结构-CN202111403828.8有效
发明人：张国权;钱月照;张煜晨;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种铌酸锂半导体结构，包括：第一铌酸锂材料层；第二铌酸锂材料层，与所述第一铌酸锂材料层间隔设置，所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向与所述第二铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿相同方向排列；以及第三铌酸锂材料层，夹设于所述第一铌酸锂材料层和所述第二铌酸锂材料层之间，所述第三铌酸锂材料层的铁电畴极化方向与所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向相反。
铌酸锂半导体结构

[发明专利]铌酸锂半导体结构及其制备方法-CN202011438154.0有效
发明人：张国权;钱月照;张煜晨;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种铌酸锂半导体结构，包括：第一铌酸锂材料层、第二铌酸锂材料层和第三铌酸锂材料层。所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第一方向。所述第二铌酸锂材料层与所述第一铌酸锂材料层间隔设置。所述第二铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第一方向。所述第三铌酸锂材料层夹设于所述第一铌酸锂材料层和所述第二铌酸锂材料层之间。所述第三铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第二方向。
铌酸锂半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种X切铌酸锂晶圆正反面判定方法-CN202310759385.9在审
发明人：贾斌;李真宇;张秀全;卢桂杰;薛海蛟;胡卉 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开一种X切铌酸锂晶圆正反面判定方法，将X切铌酸锂晶圆的Y轴沿着X切铌酸锂晶圆的Z轴轴心旋转α角度后夹在X切铌酸锂晶圆正反面判定装置的上测试探头和下测试探头之间；利用X切铌酸锂晶圆正反面判定装置中的电磁驱动器在X切铌酸锂晶圆上施加低频交变力，X切铌酸锂晶圆产生交变电荷，测量获得X切铌酸锂晶圆的被测输出电压；利用X切铌酸锂晶圆的被测输出电压，计算获得X切铌酸锂晶圆的纵向压电应变常数；基于X切铌酸锂晶圆的纵向压电应变常数，判定X切铌酸锂晶圆的正反面状态，正反面状态为X切铌酸锂晶圆的+X面朝上或X切铌酸锂晶圆的‑X面朝上，本方法可以成功识别X切铌酸锂晶圆的正反面。
一种切铌酸锂晶圆正反面判定方法

[发明专利]一种铌酸锂衬底及其制造方法-CN201210232239.2有效
发明人：丁海生;李东昇;马新刚;江忠永;张昊翔;王洋;李超 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明提供一种铌酸锂衬底的制造方法，采用铌酸锂晶体生长为铌酸锂衬底，在所述铌酸锂晶体生长的过程中掺入光折变元素。本发明还提供一铌酸锂衬底，所述铌酸锂衬底通过生长铌酸锂晶体形成，所述铌酸锂衬底为在所述铌酸锂晶体的生长的过程中掺入光折变元素的衬底，采用所述铌酸锂衬底用于制备LED芯片，降低外延材料中的缺陷密度和LED
一种铌酸锂衬底及其制造方法

[发明专利]一种基于双层铌酸锂薄膜的光子线脊波导倍频芯片及其制备方法-CN202110775577.X有效
发明人：王磊;张秀全;陈峰;胡卉 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G02F1/377 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于双层铌酸锂薄膜的光子线脊波导倍频芯片及其制备方法。所述基于双层铌酸锂薄膜的光子线脊波导倍频芯片包括由顶层铌酸锂薄膜，中层二氧化硅、下层硅基衬底组成的复合结构，其特征在于，所述铌酸锂薄膜为双层铌酸锂薄膜结构，双层铌酸锂薄膜中的上层铌酸锂薄膜与下层铌酸锂薄膜的自发极化方向相反，铌酸锂薄膜呈脊波导结构。本发明提供的基于双层铌酸锂薄膜的光子线脊波导倍频芯片具有双层铌酸锂薄膜结构，上下两层铌酸锂薄膜的自发极化方向相反，消除了倍频光的高阶模上下两个旁瓣在模式重叠积分中相互抵消的效应，从而大大提高了模式相位匹配过程的转换效率
一种基于双层铌酸锂薄膜光子波导倍频芯片及其制备方法

[发明专利]一种制备铌酸锂表面图形的方法-CN201110245639.2无效
发明人：郑婉华;齐爱谊;王海玲;渠红伟 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-08-25 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C30B33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备铌酸锂表面图形的方法，该方法包括：在铌酸锂衬底表面制作掩膜图形；采用氟基等离子对铌酸锂衬底进行干法刻蚀，以刻蚀铌酸锂；采用氧等离子对铌酸锂衬底进行刻蚀，以刻蚀在铌酸锂表面形成的氟化锂；重复上述采用氟基等离子及氧等离子的刻蚀步骤，直至完成铌酸锂表面图形的制备。利用本发明，解决了氟基等离子刻蚀铌酸锂时表面再沉积氟化锂的问题，达到制备大深度、底面光滑铌酸锂表面图形的目的。本方法简单易用，可以用于铌酸锂的刻蚀，获得大深度、底面光滑的铌酸锂表面图形。
一种制备铌酸锂表面图形方法

[发明专利]一种铌酸锂晶体薄片生产工艺-CN201910665283.4在审
发明人：俞平 -专利权人：浙江新泰通讯科技有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂晶体薄片生产工艺，依次包括以下步骤：切条成形，在大片的铌酸锂片上切下小块的铌酸锂晶片，并将之加工成所需的形状；晶片抛光，对铌酸锂晶片的两面进行抛光处理；晶片镀膜，对铌酸锂晶片经过抛光的两面进行镀膜；检测，对镀膜后的铌酸锂晶片进行角度、光洁度以及镀膜的牢固度进行检测，本发明工艺合理，按照工艺依次对铌酸锂晶片进行加工，使铌酸锂晶片能够根据客户需求生产出特定的铌酸锂晶片，使铌酸锂晶片的制作更加方便。
铌酸锂晶片镀膜薄片生产工艺铌酸锂晶体光洁度晶片镀膜晶片抛光客户需求抛光处理牢固度铌酸锂抛光检测成形切条切下小块加工大片制作生产

[发明专利]一种铌酸锂陶瓷溅射靶材及其制备方法、应用-CN202211413978.1有效
发明人：侯俊峰;张明哲;田少华;蒋亮;董福元 -专利权人：北方民族大学
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本申请涉及一种铌酸锂陶瓷溅射靶材及其制备方法、应用，包括以下步骤：球磨化学计量比铌酸锂原粉；取还原金属粉和铌酸锂粉体A混合均匀，放入真空气氛炉中处理，然后依次经过酸液酸洗、清洗液清洗，抽滤干燥后得到铌酸锂粉体B；将铌酸锂粉体B放入放电等离子烧结炉中烧结，得到相对密度为93.4%至98.1%的铌酸锂陶瓷溅射靶材。采用化学计量比铌酸锂粉体预处理加放电等离子烧结技术制备铌酸锂陶瓷溅射靶材，通过对铌酸锂粉体A缺陷化处理，提高铌酸锂粉体B中的氧空位浓度，能够制备得到致密度高以及纯度高的铌酸锂陶瓷溅射靶材，相对密度高，避免在制备铌酸锂陶瓷溅射靶材的过程中加入聚乙烯醇
一种铌酸锂陶瓷溅射及其制备方法应用

[发明专利]一种光栅结构的铌酸锂-金-铌酸锂表面等离子激元温度传感装置-CN201510401844.1有效
发明人：朱君;秦柳丽;宋树祥;傅得立 -专利权人：广西师范大学
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： G01K11/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种光栅结构的铌酸锂‑金‑铌酸锂表面等离子激元温度传感装置，其特征是，包括顺序叠接的底层玻璃层、第一铌酸锂层、金层和第二铌酸锂层，第一铌酸锂层、金层和第二铌酸锂层形成铌酸锂‑金‑铌酸锂介质波导结构；所述的铌酸锂‑金‑铌酸锂为对称的铌酸锂介质波导结构；所述铌酸锂介质波导结构的中间层金层为周期光栅结构。
一种光栅结构铌酸锂表面等离子温度传感装置

[发明专利]一种基于内扩散和离子注入的铌酸锂波导制备方法-CN202010602370.8有效
发明人：欧欣;孙嘉良;游天桂;林家杰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G02B6/134 文献下载
摘要：本申请提供一种基于内扩散和离子注入的铌酸锂波导制备方法，包括以下步骤：获取铌酸锂晶体；在所述铌酸锂晶体表面沉积钛层，将沉积有钛层的铌酸锂晶体进行高温扩散处理，获得钛扩散后的铌酸锂晶体；对所述钛扩散后的铌酸锂晶体进行清洗处理，去除所述光刻处理后残留的光刻胶以及所述高温扩散处理后残余的钛层；对所述钛扩散后的铌酸锂晶体进行区域离子注入处理，获得注入离子后的铌酸锂晶体；其中，所述区域离子注入处理中注入的离子为能够提高所述铌酸锂晶体抗光折变性的离子；对所述注入离子后的铌酸锂晶体进行退火处理。该制备方法在内扩散技术的基础上注入能够提高铌酸锂抗光折变性的离子，能够有效减小铌酸锂光波导光损伤效应。
一种基于扩散离子注入铌酸锂波导制备方法

[实用新型]一种光栅结构的铌酸锂-金-铌酸锂表面等离子激元温度传感装置-CN201520495266.8有效
发明人：朱君;秦柳丽;宋树祥;傅得立 -专利权人：广西师范大学
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： G01K11/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光栅结构的铌酸锂-金-铌酸锂表面等离子激元温度传感装置，其特征是，包括顺序叠接的底层玻璃层、第一铌酸锂层、金层和第二铌酸锂层，第一铌酸锂层、金层和第二铌酸锂层形成铌酸锂-金-铌酸锂介质波导结构；所述的铌酸锂-金-铌酸锂为对称的铌酸锂介质波导结构；所述铌酸锂介质波导结构的中间层金层为周期光栅结构。
一种光栅结构铌酸锂表面等离子温度传感装置

[发明专利]一种铌镁酸铅气凝胶的制备方法-CN201811544365.5在审
发明人：刘国强 -专利权人：安徽升鸿电子有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌镁酸铅气凝胶的制备方法，包括以下步骤：将草酸铌、氢氧化镁加入乙二醇甲醚中，反应完成后，降至室温，得到铌镁前驱液；将醋酸铅加入铌镁前驱液中，搅拌反应，降至室温，得到铌镁铅前驱液；再将铌镁前驱液滴入铌镁铅前驱液中，不断搅拌，得到铌镁酸铅溶胶；向铌镁酸铅溶胶中滴加去离子水，搅拌后，密封静置直至形成铌镁酸湿凝胶，再密封老化，得老化后的铌镁酸铅湿凝胶；再将老化后的铌镁酸铅湿凝胶浸入有机溶剂中，每天更换一次有机溶剂，得到的铌镁酸铅湿凝胶置于超临界干燥釜内，经超临界干燥，得铌镁酸铅气凝胶，本发明制备得到的铌镁酸铅气凝胶纯度更高，粒度更小，温度稳定性、机械性能高，降低了污水的排放，节能环保。
铌镁酸铅前驱液铌镁气凝胶湿凝胶制备有机溶剂老化机械性能超临界干燥釜超临界干燥温度稳定性乙二醇甲醚搅拌反应节能环保密封静置氢氧化镁去离子水浸入草酸铌醋酸铅再密封铌镁酸滴加滴入污水排放

[发明专利]铌酸锂脊波导的制作方法和光电器件-CN202211665071.4在审
发明人：翟进;周赤;吉贵军;刘昆;陆龙钊;黄杭东;胡志刚 -专利权人：珠海光库科技股份有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G02B6/134 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种铌酸锂脊波导的制作方法和光电器件，其中铌酸锂脊波导的制作方法包括先在铌酸锂晶圆上生长硬掩模，在形成了刻蚀图形之后进行自对准质子交换，以在铌酸锂晶圆上形成交换区，之后再在铌酸锂晶圆上对交换区进行刻蚀，如此设置一方面可以提高铌酸锂的刻蚀效率，可以将铌酸锂的刻蚀效率提高4至5倍；另一方面，能够提高铌酸锂晶圆刻蚀面的光滑度，进而提高铌酸锂脊波导的良品率。
铌酸锂脊波导制作方法光电器件

[发明专利]铌酸锂光波导芯片-CN201910776688.5在审
发明人：陈亦凡;黄萌 -专利权人：易锐光电科技(安徽)有限公司;苏州易锐光电科技有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌酸锂光波导芯片，包括单晶硅基板、薄膜铌酸锂、设置在所述薄膜铌酸锂上的负热光系数材料、设置在所述单晶硅基板上并包覆所述铌酸锂薄膜和负热光系数材料的二氧化硅包层，以及设置在所述二氧化硅包层上的金属电极；所述薄膜铌酸锂包括铌酸锂中心脊，或者，包括质子交换层和铌酸锂侧翼。由于铌酸锂的折射率随温度的升高而增大，本发明利用负热光系数材料折射率随温度升高而降低的特性，通过在铌酸锂薄膜上设置合适厚度的负热光系数材料层，可以消除铌酸锂光波导有效折射率对温度的敏感性，实现了几种非热敏设计的光波导结构，可以有效降低薄膜铌酸锂光波导芯片的热光系数，使薄膜铌酸锂光波导的各种物理性能对温度变化不敏感。
铌酸锂热光系数薄膜铌酸锂光波导芯片二氧化硅包层铌酸锂光波导单晶硅基板铌酸锂薄膜温度变化不敏感侧翼材料折射率光波导结构有效折射率质子交换层金属电极物理性能材料层折射率中心脊包覆热敏升高

[发明专利]氮化钛包覆的铌酸钛材料及其制备方法和负极、电池-CN201910467293.7有效
发明人：许晓雄;崔言明;黄园桥 -专利权人：浙江锋锂新能源科技有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01M4/136 文献下载
摘要：本发明涉及铌酸钛负极材料，公开了氮化钛包覆的铌酸钛材料及其制备方法和负极、电池，解决目前铌酸钛材料电子电导率低、Li+扩散系数低、所制得负极倍率性能差，使铌酸钛在锂负极中应用受到限制的问题，其技术方案是在高温且氮气气氛下，纳米铌酸钛颗粒为内核，以金属氢化物中氢为还原剂对内核表面还原形成氮化钛的壳层，再由处理后的纳米铌酸钛颗粒烧结得到氮化钛包覆的铌酸钛材料，提高改性纳米铌酸钛颗粒和铌酸钛负极材料电导率，减缓铌酸钛负极材料在循环过程中的锂损耗，提高铌酸钛负极材料制得负极容量，并限制负极受温度影响下的膨胀收缩，并提高了使用本申请铌酸钛负极材料的锂离子电池的能量密度和循环性，降低锂离子电池的内阻。
氮化钛包覆铌酸钛材料及其制备方法负极电池

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