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[发明专利]一种磁控溅射沉积钴膜和氧化钴膜的方法-CN201810808961.3在审
发明人：高斐;高蓉蓉;武鑫;王昊旭;雷婕 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁控溅射沉积钴膜和氧化钴膜的方法，通过在靶枪和钴靶中间安插一定厚度的非铁磁性的金属圆片，如铜圆片、铝圆片等，来降低钴靶的磁屏蔽效应，从而可成功地溅射沉积钴膜及氧化钴膜。本发明方法操作简单，制得的钴膜及氧化钴膜致密，且均匀性好，与基底的结合力好。
氧化钴钴膜磁控溅射沉积钴靶非铁磁性溅射沉积金属圆片均匀性好磁屏蔽结合力铝圆片膜致密安插基底成功

[发明专利]硅化钴膜形成方法和具有硅化钴膜半导体装置的制造方法-CN200710199627.4有效
发明人：具景谟;具滋钦;朴惠贞 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-10-17 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开硅化钴膜的形成方法和具有硅化钴膜的半导体装置的制造方法。在含硅导电区上有一含钴膜，并且一富含钛的覆盖层形成在含钴膜上。其中所述覆盖层是钛/氮原子百分比比率大于1的氮化钛层。对该合成结构进行退火，使得含钴膜中的钴和含硅导电区中的硅彼此反应，从而形成一硅化钴膜。当在高温下形成硅化钴膜的时候，也形成一扩散抑制界面膜。
硅化钴膜形成方法具有半导体装置制造

[发明专利]硅化钴膜形成方法和具有硅化钴膜半导体装置的制造方法-CN200310120909.2有效
发明人：具景谟;具滋钦;朴惠贞 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-10-17 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明公开硅化钴膜的形成方法和具有硅化钴膜的半导体装置的制造方法。在含硅导电区上有一含钴膜，并且一富含钛的覆盖层形成在含钴膜上。在富含钛的覆盖层中钛/其他元素(如果有的话)的原子百分比比率大于1。对该合成结构进行退火，使得含钴膜中的钴和含硅导电区中的硅彼此反应，从而形成一硅化钴膜。当在高温下形成硅化钴膜的时候，也形成一扩散抑制界面膜。
硅化钴膜形成方法具有半导体装置制造

[发明专利]二取代炔六羰基二钴化合物、其制备方法和使用方法-CN201711050452.0在审
发明人： A·C·库珀;S·V·伊万诺夫;金武性 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： C07F15/06 文献下载
摘要：本文描述的是钴化合物、用于制备钴化合物的方法，用作用于沉积含钴膜(例如钴、氧化钴、氮化钴、硅化钴等)的前体的钴化合物和含钴膜。钴前体化合物的实例是(二取代炔)六羰基二钴化合物。用于沉积含金属膜的表面的实例包括但不限于金属、金属氧化物、金属氮化物和金属硅化物。用于形成钴配合物的具有烷基如直链烷基和支链烷基的二取代炔配体用于获得在某些表面上的选择性沉积和/或优异的膜性质(例如均匀性、连续性和低电阻)。
取代羰基化合物制备方法使用方法

[发明专利]双(二氮杂二烯)钴化合物及其制备方法和使用方法-CN201910528696.8有效
发明人： A·C·库珀;S·V·伊瓦诺维;C·D·霍普金斯;金武性 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C07C251/04 文献下载
摘要：本文描述了钴化合物、用于制备钴化合物的方法、用作沉积含钴膜(例如，钴、氧化钴、氮化钴、硅化钴等)的前体的钴化合物和钴膜。钴前体化合物的实例是双(二氮杂二烯)钴化合物。用于沉积含金属膜的表面的实例包括但不限于金属、金属氧化物、金属氮化物和金属硅酸盐；硅、氧化硅和氮化硅。烷基化二氮杂二烯配体用于形成钴配合物，其用于在某些表面上的选择性沉积和/或优异的膜性质，例如均匀性、连续性和低电阻。
二氮杂二烯化合物及其制备方法使用方法

[发明专利]以负载硫化钴的纳米纤维膜制备对电极的方法-CN201811566849.X在审
发明人：张富森 -专利权人：张富森
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明涉及合成纤维技术领域，具体地涉及一种以负载硫化钴的纳米纤维膜制备对电极的方法。以负载硫化钴的纳米纤维膜制备对电极的方法，包括如下步骤：（1）硫化钴的制备；（2）配制喷雾溶液；（3）负载硫化钴的纳米纤维膜的制备；（4）以负载硫化钴的纳米纤维膜制备对电极。通过本发明制成的负载硫化钴的纳米纤维膜对电极其催化性有很大提升，导电性良好。
硫化钴纳米纤维膜制备对电极合成纤维导电性喷雾溶液催化性配制

[发明专利]一种铝合金表面钴盐转化膜的制备方法-CN201910235633.3在审
发明人：许振振;马迪;闾雪娇;李树白;于冬梅 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C23C22/56 文献下载
摘要：本发明属于钴盐转化处理技术领域，具体涉及一种铝合金表面钴盐转化膜的制备方法，具体包括以下步骤：(1)对铝合金表面进行清洗、除油、除膜处理；(2)将铝合金放入含钴处理液中进行氧化处理，形成钴盐转化膜，其中含钴处理液由硝酸钴本发明方法制备的膜层连续且均匀，膜层的电阻值比较高，抗腐蚀性能强。
钴盐铝合金表面转化膜制备含钴膜层过氧化叔丁醇氧化剂抗腐蚀性能处理液中氧化处理处理液水配制硝酸钴乙酸铵铝合金除膜除油电阻放入清洗转化

[发明专利]钴化合物及其制备方法和使用方法-CN201780074709.8在审
发明人： A·C·库珀;S·V·伊万诺夫 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本文描述了钴化合物、用于制备钴化合物的方法以及用于沉积含钴膜(例如，钴、氧化钴、氮化钴等)的包含钴金属膜前体的组合物。钴前体化合物的实例是(炔)二钴六羰基化合物、钴烯胺化合物、钴单氮杂二烯和(官能化烷基)钴四羰基化合物。用于沉积含金属膜的表面的实例包括但不限于金属、金属氧化物、金属氮化物和金属硅化物。具有如氨基、腈、亚氨基、羟基、醛、酯、卤素和羧酸的基团的官能化配体用于在某些表面上的选择性沉积和/或实现优异的膜性质，例如均匀性、连续性和低电阻。
钴化合物羰基化合物沉积制备氨基官能化烷基金属氮化物金属硅化物金属氧化物烯胺化合物选择性沉积含金属膜氮化钴低电阻官能化含钴膜金属膜均匀性膜性质亚氨基氧化钴钴前体单氮二烯配体前体羟基羧酸金属

[发明专利]一种负载四氧化三钴的膜催化剂及其制备方法和应用-CN202110934557.2在审
发明人：涂新满;吴雨婕;曾振兴;罗旭彪 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： B01J31/06 文献下载
摘要：本发明属于催化剂技术领域，具体涉及一种负载四氧化三钴的膜催化剂及其制备方法和应用。本发明提供了一种负载四氧化三钴的膜催化剂，包括聚合物纤维多孔膜和分布于所述膜表面和/或内部的四氧化三钴。本发明提供的膜催化剂以膜形式存在，便于与溶液分离，利于膜催化剂的回收和循环利用。本发明提供的膜催化剂中四氧化三钴分布于膜的表面和/或内部，避免四氧化三钴发生团聚使四氧化三钴具有较高的比表面积，提高了催化活性组分与待催化物质的接触概率，从而提高膜催化剂的催化性能。
一种负载氧化催化剂及其制备方法应用

[发明专利]钴淀积的假片作业方法-CN200610029620.3有效
发明人：季芝慧;陈波;施向东 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-08-01 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种钴淀积的假片作业方法，在硅基板上淀积钴膜后，再在假片上淀积一层钛膜，然后在假片上淀积钴，钛膜的厚度为800埃到25000埃之间。本发明由于假片的表面为钛膜，可以使钴和钴的硅化物的层抵抗不受影响，从而可实现假片的重复使用。
钴淀积作业方法

[发明专利]接触孔的刻蚀方法-CN201010276881.1有效
发明人：黄志刚 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-09-09 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔的刻蚀方法，包括：淀积掺磷氧化膜作为SAB的氧化膜；采用光刻工艺定义出形成钴硅化物的区域，接着刻蚀去除位于钴硅化物区域的掺磷氧化膜；淀积金属钴，之后退火处理形成钴硅化物，接着去除剩余的钴；依次淀积氮化硅层和介质层；在介质层上定义出接触孔的位置，而后刻蚀所述介质层至钴化硅物上，形成钴硅化物区域的接触孔；而后采用四氟乙烷作为刻蚀气体进行过刻蚀，去除位于接触孔区域的掺磷氧化膜至硅衬底，形成无钴硅化物区域的接触孔采用本发明的方法，避免了原有工艺中额外的过刻蚀造成跨在浅沟槽区域的氧化膜损失过多，而使器件发生漏电的现象。
接触刻蚀方法

[发明专利]一种延长钴盐化学转化液使用寿命的方法-CN201810005316.8在审
发明人：马迪;李树白;周熙雯;于冬梅;许振振 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2018-01-03 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： C23C22/68 文献下载
摘要：本发明提供一种延长钴盐化学转化液使用寿命的方法，该方法为：将钴盐化学转化液多次对试件进行成膜反应后，在剩余的钴盐化学转化液中加入一定浓度的成膜促进剂得到钴盐化学转化再利用液，将得到的钴盐化学转化再利用液再次用于试件的成膜反应所述钴盐化学转化液由钴盐、配体、氧化剂和水组成，其中，每1L钴盐化学转化原液中含有20g氯酸钴、20g甲酸钠、和2g溴酸钠，余量为水。
钴盐化学转化液化学转化成膜反应使用寿命再利用试件氧化剂成膜促进剂甲酸钠氯酸钴溴酸钠配体原液

[发明专利]一种气液界面制备纳米钴膜的方法-CN201910145216.X有效
发明人：何亚萍;韩权;杨晓慧 -专利权人：西安文理学院
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C23C18/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种气液界面制备纳米钴膜的方法，该方法法在气‑液两相界面上，以水合肼为气相前驱物，以乙酸钴为原料，乙二胺四乙酸为配位剂，以柠檬酸钠为引发剂，在气体进入液相的界面上使得液相中钴离子被还原形成纳米晶核，再由挥发的水合肼将气液两相界面上的钴离子进一步还原，使其在晶核上发生定向生长，慢慢扩大在气液界面处形成一层纳米钴膜，该纳米钴膜在重力作用下沉降到反应液底部，最终得到由纳米钴颗粒组成的纳米钴薄膜。本发明方法操作简单，对设备要求低，所得纳米钴膜的晶型良好、纯度高，纳米钴颗粒大小均匀，可控度高。
一种界面制备纳米方法

[发明专利]一种双极膜电渗析制备六氰钴酸的方法-CN202211056984.6在审
发明人：沈江南;董云迪;崔海龙;母俊杰;阮慧敏 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C01C3/00 文献下载
摘要：一种双极膜电渗析制备六氰钴酸的方法，所述方法包括如下步骤：1)将六氰钴酸钾固体粉末配制成6～11wt％的六氰钴酸钾水溶液；2)将步骤1)得到的六氰钴酸钾水溶液送至双极膜电渗析装置进行处理，所述的双极膜电渗析装置是由阳离子交换膜和双极膜间隔排列组装而成的酸室/碱室两隔室双极膜电渗析装置，在酸室和碱室中分别通入六氰钴酸钾水溶液和去离子水，通电进行电渗析；3)经步骤2)中的双极膜电渗析装置处理之后，酸室得到六氰钴酸溶液，碱室得到氢氧化钾溶液，经浓缩可制得氢氧化钾晶体或回用到步骤1)调节六氰钴酸钾溶液pH至7～8。本发明解决了传统六氰钴酸生产工艺中存在的问题，实现六氰钴酸的高效生产。
一种双极膜电渗析制备六氰钴酸方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN02142068.8无效
发明人：塚本和宏 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2002-08-26 - 公布日： 2003-04-16 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：该半导体装置包括在硅半导体衬底1上形成的导电层3；在导电层3的表层形成的硅化钴膜4、7；覆盖在硅半导体衬底1上的层间绝缘膜5；以及充填层间绝缘膜5的接触孔6、与硅化钴膜4进行电连接的势垒金属膜8和钨膜9，接触孔6的底部的硅化钴膜4、7的下表面的位置比接触孔6的外侧的硅化钴膜4的下表面的位置要低。可在接触孔6的底部确保必要膜厚的硅化钴膜，可使接触电阻降低，同时抑制结漏电。
半导体装置及其制造方法

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