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[发明专利]一种氧化铝掺杂氧化钛镨靶材及其制备方法-CN202310643575.4在审
发明人：罗斯诗;李开杰;邵学亮;顾德盛;张兴宇 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明属于靶材制备技术领域，公开了一种氧化铝掺杂氧化钛镨靶材及其制备方法。所述氧化铝掺杂氧化钛镨靶材由以下质量百分含量的组分组成：氧化铝99.3％～99.8％，氧化钛0.5％～0.1％，氧化镨0.2％～0.1％。所述制备方法为：将氧化钛、氧化镨粉末和第一分散剂经湿法研磨得到浆料一；然后加入氧化铝粉末、水和第二分散剂分散湿法研磨得到浆料二；再加入粘结剂经湿法研磨得到浆料三；然后依次经喷雾造粒、与热塑性粘结剂混合后注射成型、加热脱脂处理和烧结处理，得到氧化铝掺杂氧化钛镨靶材。本发明所得靶材具有高致密度、高均匀性的优点。
一种氧化铝掺杂氧化钛镨靶材及其制备方法

[发明专利]薄膜晶体管用薄膜的制备方法-CN202011642912.0在审
发明人：汤惠淋;宋世金;朱刘;邵学亮 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本公开提供一种薄膜晶体管用薄膜的制备方法，其包括步骤：步骤一：将掺镨的IGZO靶材安装；步骤二：衬底清洗；步骤三：直流磁控溅射生长镨掺杂非晶铟镓锌氧化物薄膜，其中，所述的掺镨的IGZO靶材为IGZO靶材远离背板的一侧表面镨掺杂质量浓度的范围为15％～20％，随着靶材深度每增加0.3～0.7mm，镨掺杂浓度增加0.2％～0.6％；掺镨的IGZO靶材的密度≥6.642g/cm3。本公开通过提供一种浓度梯度的靶材，随着溅射沟道的加深，靶材组分梯度的变化，使得溅射获得的薄膜组分均一，透明导电性能稳定。
薄膜晶体管用制备方法

[发明专利]一种氧化铟钼镨靶材及其制备方法-CN202211616206.8在审
发明人：李开杰;邵学亮;王奇峰;谭洪蕾;罗斯诗 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本申请涉及金属氧化物靶材制造领域，公开了一种氧化铟钼镨靶材的制备方法，包括以下步骤将In2O3粉末、MoO11粉末、分散剂混合并分散，分散后加入粘结剂混合，一起经湿法球磨得到浆料；将所得浆料进行喷雾造粒，喷雾造粒后得到细粉与粗粉，将细粉与粗粉按一定比例混料后，得氧化铟钼镨靶材前驱体；将步骤2前驱体装入模具中进行真空成型，得到氧化铟钼镨素胚；将氧化铟钼镨素胚进行烧结，即得高密度的氧化铟钼镨靶材；本申请通过将大粒径的粗粉与小粒径的细粉混合，以制备出具有高致密度的氧化铟钼镨靶材，同时，我们惊奇地发现，当特定的粒径下，以特定的粗细粉比例制备出的氧化铟钼镨在具有较高成型率的同时又具有更加优异的致密度。
一种氧化铟钼镨靶材及其制备方法

[发明专利]一种在医用钛合金表面制备镨掺杂氮化钛涂层的方法-CN201410264533.0有效
发明人：马胜利;张明;徐可为 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2014-06-13 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种在医用钛合金表面制备镨掺杂氮化钛涂层的方法，包括下列步骤：在医用钛合金表面上采用磁控溅射的方法制备氮化钛涂层；将带有氮化钛涂层的医用钛合金转移到等离子体浸没式离子注入机的真空室A内，该真空室A内的两端分别设有镨靶和试样盘A，带有氮化钛涂层的医用钛合金固定在试样盘A上，调节真空室A的真空度，阴极使用镨靶当作离子源，调节试样盘A的转速，并依靠水冷对试样盘A降温，然后在常温下进行镨离子注入，在医用钛合金表面制备得到镨掺杂氮化钛涂层本发明制备的镨掺杂氮化钛涂层，在血浆中的抗腐蚀性明显优于普通氮化钛涂层，血管内皮细胞可以在该涂层大量增殖并铺展，显著的改善了医用钛合金的生物学性能。
一种医用钛合金表面制备掺杂氮化涂层方法

[发明专利]一种氧化物靶材及其制备方法-CN202211636891.0在审
发明人：徐苗;徐华;李民;陶洪;邹建华;王磊;彭俊彪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种氧化物靶材及其制备方法。所述氧化物靶材包括元素A的氧化物、元素B的氧化物、元素R的氧化物和元素M的氧化物；所述元素A为铟；所述元素B为镓、锌、锡中的一种或两种以上的组合；所述元素R为铈、镨、镱、镝、铽中的一种或两种以上的组合；所述元素M为钪，硅，钛，钽，锗，锑的一种或两种以上组合。本发明通过在氧化物靶材中引入M的氧化物，细化了氧化物靶材的晶粒尺寸，使氧化物靶材致密度高，元素分布与微观结构均匀。此外，本发明提供的制备方法可以实现控制氧化物靶材晶相结构的目的，使氧化物靶材具有较小的晶粒尺寸且微观结构均匀。
一种氧化物及其制备方法

[发明专利]一种新型CIGS电极用钛合金复合靶材镀膜及其制备方法-CN201811488519.3在审
发明人：王家和;黄信二 -专利权人：研创应用材料（赣州）股份有限公司
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型CIGS电极用钛合金复合靶材镀膜及其制备方法，制备该镀膜的钛合金复合靶材包括钛钠复合靶材和钛钾复合靶材中的至少一种，所述钛钠复合靶材和钛钾复合靶材分别为钛粉末与钛钠氧化物粉末、钛粉末与钛钾氧化物粉末通过热压成型工艺制成在制得钛钠复合靶材和钛钾复合靶材基础上，分别以钛钠复合靶材和钛钾复合靶材为材料，或者同时以钛钠复合靶材和钛钾复合靶材为材料通过真空溅镀的方式制得复合靶材镀膜，本发明的钛合金靶材制程温度相对较低，且材料化性及物性较稳定，原料相对便宜，既降低了靶材生产成本，又提高了靶材的产率，应用于CIGS薄膜太阳能电池组件中可以显著提高CIGS薄膜太阳能电池的光电转换效率。
复合靶材钛钾钛合金镀膜靶材制备钛粉末电极光电转换效率氧化物粉末物性材料通过钠氧化物热压成型真空溅镀材料化产率制程生产成本应用

[发明专利]一种氧化物旋转靶材及其制备方法-CN202111082716.7在审
发明人：张来稳;邵学亮;李开杰;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化物旋转靶材及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：(1)将氧化镨粉末、氧化镓粉末、氧化锌粉末和氧化铟粉末混合，加入分散剂、粘结剂、水和消泡剂球磨得到混合浆料；(2)将混合浆料进行喷雾造粒，得到氧化物转靶材用粉体；(3)将氧化物转靶材用粉体导入模具进行冷等静压成型，得到靶材坯体；(4)将靶材坯体进行脱脂热处理，冷却至常温后进行烧结处理，自然冷却后得到所述氧化物旋转靶材。本发明一方面将氧化镨掺杂铟嫁锌氧化物，提高靶材的载流子迁移率，降低靶材的电阻率。另一方面，通过本发明所述方法制备为管状氧化物旋转靶材，溅射的氧化物薄膜均匀性、稳定性更好，回收利用更经济，薄膜载流子迁移率高。
一种氧化物旋转及其制备方法

[发明专利]一种钛靶材的处理方法及处理后钛靶材和用途-CN202110190968.5在审
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;李宁 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种钛靶材的处理方法及处理后钛靶材和用途，所述处理方法包括采用第一刀具对钛靶材进行第一车削，得到粗处理钛靶材；采用材质为金刚石的第二刀具对所述初处理钛靶材进行第二车削，得到精处理钛靶材；对所述精处理钛靶材进行抛光处理，得到处理后钛靶材，所述处理方法能够降低钛靶材表面的应力层厚度与粗糙度，处理后钛靶材应用于溅射成膜中，提高钛靶材在溅射中的使用质量与使用寿命，减少溅射过程中的初期功耗。
一种钛靶材处理方法后钛靶材用途

[发明专利]靶材与背板的焊接方法-CN201110329889.4无效
发明人：潘杰;姚力军;王学泽;周友平 -专利权人：余姚康富特电子材料有限公司
申请日： 2011-10-26 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： B23K20/02 文献下载
摘要：一种靶材与背板的焊接方法，包括：提供钛靶材和铝背板；将钛靶材焊接面加工成螺纹状，对铝背板焊接面进行粗糙度加工；在所述铝背板外侧套上第一模具，在所述钛靶材焊接面的相对面覆盖第二模具；采用热压方法将所述钛靶材与铝背板进行焊接形成靶材组件；对所述靶材组件进行热处理。本发明技术方案的靶材与背板的焊接方法，焊接后的钛靶材和铝背板之间的结合强度较高，且实现了钛靶材和铝背板的大面积焊接，降低了生产钛靶材和铝背板的靶材组件的成本。
背板焊接方法

[发明专利]一种钛靶材晶粒细化的方法及钛靶材-CN202110758654.0在审
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;周敏 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种钛靶材晶粒细化的方法及钛靶材，所述方法包括以下步骤：(1)在400‑500℃下对钛靶材进行预热；(2)将步骤(1)所得钛靶材进行三向锻造；(3)冷却步骤(2)所得钛靶材，得到晶粒尺寸为10‑20μm的钛靶材。本发明提供的方法专用于钛靶材的晶粒细化，改善了钛靶材溅射性能和溅射环境，提升了镀膜质量的同时简化了工艺流程，降低了加工成本。
一种钛靶材晶粒细化方法

[发明专利]钨钛靶材的制造方法和钨钛靶材组合的制造方法-CN201210374822.7有效
发明人：姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;宋佳 -专利权人：宁波江丰电子材料有限公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： B22F3/16 文献下载
摘要：本发明公开了钨钛靶材的制造方法和钨钛靶材组合的制造方法。其中，所述钨钛靶材的制造方法包括：在模具中装入钨粉和钛粉的混合粉末；对所述混合粉末进行冷压成型处理，形成钨钛靶材坯料；将所述钨钛靶材坯料进行真空热压烧结处理，形成钨钛靶材。本发明所公开的钨钛靶材的制造方法通过冷压成型处理和真空热压烧结及相关工艺参数的设定，制得的靶材致密度大于或者等于99%的钨钛靶材，并且所获得的钨钛靶材微观结构均匀，具有优异的溅射使用性能。
钨钛靶材制造方法组合

[发明专利]钨钛铝靶材组件的焊接方法-CN201310754922.7有效
发明人：姚力军;赵凯;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;张涛 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： B23K20/14 文献下载
摘要：一种钨钛铝靶材组件的焊接方法，包括以下步骤：提供钨钛靶材、铝背板，所述铝背板具有容纳部分所述钨钛靶材的凹槽，所述凹槽的深度为1～2mm；将钨钛靶材置于所述凹槽内，所述钨钛靶材的待焊接面与所述凹槽底面接触，形成靶材组件坯料；将所述靶材组件坯料放入真空包套；利用热等静压工艺将所述钨钛靶材的待焊接面与所述凹槽底面焊接形成钨钛铝靶材组件；焊接完成后，对所述真空包套进行冷却，去除所述真空包套以获得所述钨钛铝靶材组件采用本发明的方法能够实现靶材高强度的焊接。
钨钛铝靶材组件焊接方法

[发明专利]复合钙钛矿靶材及其制备方法、钙钛矿太阳电池的制备方法-CN202310685265.9在审
发明人：易典;王荣福 -专利权人：深圳市汉嵙新材料技术有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本公开提供了一种复合钙钛矿靶材及其制备方法、钙钛矿太阳电池的制备方法。该复合钙钛矿靶材包括：第一子靶材和第二子靶材，第一子靶材和第二子靶材均含有钙钛矿材料，且第一子靶材和第二子靶材中的钙钛矿材料不同；复合钙钛矿靶材呈柱状，柱状的复合钙钛矿靶材的侧表面包括第一侧表面以及位于第一侧表面之外的第二侧表面，至少部分第一子靶材露出于第一侧表面，至少部分第二子靶材露出于第二侧表面。相较于传统的溶液法，该复合钙钛矿靶材是一种溅射用的靶材，能够实现通过溅射法制备钙钛矿薄膜，该复合钙钛矿靶材能够用于制备含有多种钙钛矿材料的钙钛矿薄膜，并且在具有较高的制备效率同时，还能够保证钙钛矿薄膜的均匀性
复合钙钛矿靶材及其制备方法钙钛矿太阳电池

[发明专利]钨钛靶材的车削方法-CN201510315997.4在审
发明人：姚力军;潘杰;相原俊夫;大岩一彦;王学泽;马松 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： B23B1/00 文献下载
摘要：一种钨钛靶材的车削方法，包括：提供钨钛靶材和背板；将所述钨钛靶材和背板焊接在一起，形成钨钛靶材组件；采用第一刀具对所述钨钛靶材组件中的所述钨钛靶材进行第一车削，所述第一刀具切削刃的夹角为80°；在所述第一车削后，对所述钨钛靶材组件的所述背板进行加工；在对所述钨钛靶材组件的所述背板进行加工后，采用第二刀具对所述钨钛靶材的坯料进行第二车削，所述第二刀具切削刃的夹角为35°～55°。所述车削方法以提高所形成的钨钛靶材的质量，并且减缓刀具的磨损。
钨钛靶材车削方法

[发明专利]钼钛靶材的制造方法-CN201510195487.8在审
发明人：姚力军;潘杰;相原俊夫;大岩一彦;王学泽;段高林 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2015-04-22 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：一种钼钛靶材的制造方法，包括：提供钼粉和钛粉；将所述钼粉和所述钛粉进行混合，形成混合粉末；采用保温温度为1200℃～1300℃的真空热压工艺将所述混合粉末制成钼钛靶材坯料；将所述钼钛靶材坯料制成钼钛靶材本发明通过采用真空热压工艺，将经过混合的钼粉和钛粉制成钼钛靶材，而且1200℃～1300℃的保温温度有利于钼原子和钛原子的扩散，因此能够有效的降低所制成钼钛靶材内部的空隙率，提高靶材的致密度和强度。所以本发明的制造方法能够获得致密度大于或等于99％的高致密度钼钛靶材，并且所获得的钼钛靶材微观结构均匀，能够满足磁控溅射对靶材纯度和密度的要求。
钼钛靶材制造方法

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