“钛酸锶钡粉体”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5656827个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种开路电压连续可调的肖特基结及其制备和应用-CN202111222870.X在审
发明人：仇杰;刘国珍;高炬 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体电子材料技术领域，具体涉及一种开路电压连续可调的肖特基结及其制备和应用，该开路电压连续可调的肖特基结，包括钛酸锶衬底和设在所述钛酸锶衬底上的La0.7Sr0.3MnO3(LSMO层)，所述LSMO层的表面部分覆盖有钛酸锶钡层，所述钛酸锶钡层的表面部分覆盖有金属电极；所述钛酸锶钡层的材质为锰掺杂钛酸锶钡，通式为Ba0.6Sr0.4Ti1‑xMn
一种开路电压连续可调肖特基结及其制备应用

[发明专利]铁电/非铁电复合柱状陶瓷材料及其制备方法-CN201110379555.8无效
发明人：董显林;廖婉芳;梁瑞虹 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁电/非铁电复合柱状陶瓷材料及其制备方法，所述铁电/非铁电复合柱状陶瓷材料包括交替层叠的钛酸锶钡层和含镁化合物层，其中，所述钛酸锶钡层的化学组成为Ba1-xSrxTiO3，且式中0.35≤通过复合含镁化合物层，有效降低了复合材料的介电常数，由于钛酸锶钡层和含镁化合物层交替层叠，例如优选并联2-2型结构，可很好地保持钛酸锶钡层的高介电调谐性。
非铁电复合柱状陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种制备掺杂或复合钛酸锶钡陶瓷粉体的方法-CN201410153715.0无效
发明人：李双滨;姚颖;贾永忠;崔振华;景燕;马军;孙进贺;谢绍雷 -专利权人：中国科学院青海盐湖研究所
申请日： 2014-04-16 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备掺杂复合钛酸锶钡陶瓷粉体的方法，包括：1)将掺杂氧化物掺杂到钛酸锶钡Ba_xSr_1-xTiO₃（0<x<1）前驱体中；所述掺杂氧化物MgO或Al₂O₃，或MgO和Al₂O₃的混合物；2)加入粘合剂，研磨，压片；3)然后将压坯放入反应室中本发明的制备方法及掺杂材料可改善钛酸锶钡的介电性质，降低材料的介电常数和介质损耗率，材料可保持较大范围的可谐调性，从而使其更好地应用于相控阵天线材料。
一种制备掺杂复合钛酸锶钡陶瓷方法

[发明专利]一种空心球状钛酸锶粉体及其制备方法-CN201710435840.4在审
发明人：丁明建;庄彤;杨俊锋;冯毅龙 -专利权人：广州天极电子科技有限公司
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种空心球状钛酸锶粉体,所述空心球状钛酸锶粉体的内径为0.6‑0.8μm，所述空心球状钛酸锶粉体的外径为0.8‑1.4μm；所述空心球状钛酸锶粉体的制备方法包括如下步骤(1)前驱体的制备将钛酸四丁酯在乙醇或乙醇和氨水中水解成无定型的球形钛源前驱体；(2)空心球状粉体的制备称取前驱体和硝酸锶，倒入到反应釜内衬中，加水和氢氧化钠溶液，搅拌一段时间密封，置于烘箱中水热反应；(3)粉体的清洗干燥；所述步骤(2)中所述氢氧化钠溶液用于调节反应体系pH值，
一种空心球状钛酸锶粉体及其制备方法

[发明专利]钛酸锶钡/聚酰亚胺介电可调复合材料厚膜的制备方法-CN200710017889.4有效
发明人：汪宏;向锋;张明辉;杨海波;李可铖;姚熹 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2007-05-18 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： C08L79/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸锶钡/聚酰亚胺介电可调复合材料厚膜的制备方法，选用聚酰亚胺作为前驱体；选用钛酸锶钡介质陶瓷粉末(Ba_1－xSr_x)TiO₃作为介电可调相，将聚酰亚胺前驱体与经过表面处理的钛酸锶钡介质陶瓷粉末按比例混合，采用普通球磨或高能球磨的方式使之充分分散，得到混合厚膜浆料；采用常规的旋涂工艺、浸渍－提拉工艺或流延工艺将混合厚膜浆料涂覆在预先处理的基底材料上，然后对涂覆后的基底材料进行热处理工艺和后续处理工艺，即可得到钛酸锶钡/聚酰亚胺介电可调复合材料厚膜。
钛酸锶钡聚酰亚胺可调复合材料制备方法

[发明专利]一种在砷化镓基片上制备钛酸锶钡介电薄膜的化学方法-CN201310377507.4有效
发明人：魏贤华;黄文;郝建华 -专利权人：香港理工大学
申请日： 2013-08-26 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在砷化镓基片上制备钛酸锶钡介电薄膜的化学方法，包括如下步骤S1对GaAs基片做表面处理形成原子级平整的砷原子为终结面的清洁表面；S2配制钛酸锶钡溶胶；S3将上述步骤S2配制得到的钛酸锶钡溶胶溶液滴加在上述步骤S1得到的砷化镓基片上，进行甩胶；S4干燥；S5烘烤预处理；S6将上述步骤S5烘烤预处理后的砷化镓基片放在石英管中通入一定比例的保护气氛中，特定温度下进行退火处理，制得钛酸锶钡介电薄膜。采用本发明的化学方法制备得到的钛酸锶钡介电薄膜结晶质量良好，表面平整和介电性能随频率保持稳定，在100KHz‑1MHz范围内，介电常数高于250，在结构上能满足金属氧化物半导体场效应晶体管器件的制作要求
一种砷化镓基片上制备钛酸锶钡介电薄膜化学方法

[发明专利]溶剂热法纳米钛酸锶粉末的合成-CN200410081349.9无效
发明人：王公应;冯秀丽;王越;曾毅 -专利权人：中国科学院成都有机化学有限公司
申请日： 2004-11-29 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备钛酸锶的快速、简洁、廉价的方法。在常压下将偏钛酸、可溶性锶盐、碱和溶剂混合，反应一定时间后将得到的沉淀处理并干燥即得到高纯超细纳米钛酸锶粉末。得到的钛酸锶粉体纯度高，晶粒发育完整，颗粒度细小，能满足电子陶瓷领域对钛酸锶粉体的要求。
溶剂纳米钛酸锶粉末合成

[发明专利]复合掺杂的钛酸锶钡陶瓷及其制备方法-CN202111422003.0在审
发明人：刘文凤;赵毅;靳一航;高静晗;孔凡一;李盛涛 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：公开了一种复合掺杂的钛酸锶钡陶瓷及其制备方法，方法中，称量预定质量比例的BaCO3、SrCO3、TiO、Fe2O3并与无水乙醇混合后球磨得到第一浆料；所述第一浆料烘干过筛并进行在第一温度下预烧反应合成第一粉料；所述第一粉料过筛并与无水乙醇混合后球磨得到第二浆料；所述第二浆料烘干过筛后加入预定质量百分比的聚乙烯醇获得粒径在60‑100目之间的第二粉料；预定压强下对所述第二粉料进行干压成型，获得粗坯；所述粗坯在第二温度下烧结得到复合掺杂的钛酸锶钡陶瓷样品，所述钛酸锶钡陶瓷样品的成分为(Ba0.65Sr0.35)1‑xLa
复合掺杂钛酸锶钡陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种锰离子部分置换钛离子高储能密度钛酸锶钡基陶瓷及其制备方法-CN201510889628.6在审
发明人：吴勇军;黄玉辉;陈湘明 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-12-05 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种锰离子部分置换钛离子高储能密度钛酸锶钡基陶瓷及其制备方法，所述陶瓷的化学式为Ba_0.5Sr_0.5(Ti_1-xMn(Ti_1-xMn_x)O₃(x＝0.001,0.003,0.005)化学式配料，研磨后烘干、过筛；(b)将步骤(a)制得的粉料1100℃～1200℃煅烧1～5小时后过筛；(c)将步骤(b)制得的粉料装入模具，利用放电等离子烧结系统在真空环境中1000℃～1050℃进行烧结，制得陶瓷烧结体；(d)氧气气氛下，将陶瓷烧结体1100℃～1250℃处理3～6小时，制得高储能密度钛酸锶钡基陶瓷。Ba_0.5Sr_0.5TiO₃的储能密度提高了0.6J/cm³，提高幅度高达54.5％，由此可见微量锰离子部分置换钛离子可以有效的提高钛酸锶钡陶瓷的储能性能
一种离子部分置换高储能密度钛酸锶钡基陶瓷及其制备方法

[实用新型]一种铁电薄膜变容器-CN201820913109.8有效
发明人：夏丰金;李惠;杨佳恒;郭广海 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铁电薄膜变容器，利用激光脉冲沉积方法在氧化镁单晶衬底上制备锰钛酸锶钡薄膜，锰钛酸锶钡薄膜和金薄膜组成一个方形，其中方形的四角分布有锰钛酸锶钡薄膜、方形的其中两边由金薄膜形成的弯曲部为直角的曲折形状连通
变容器钛酸锶钡薄膜本实用新型铁电薄膜金薄膜制备调谐激光脉冲沉积可调谐滤波器氧化镁单晶曲折形状弯曲部衬底减小连通两边

[发明专利]一种热释电传感器用敏感元材料大尺寸制备方法-CN201910785805.4在审
发明人：姚春华;郭少波 -专利权人：苏州英瑞传感技术有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及一种热释电传感器用敏感元材料大尺寸制备方法，具体涉及一种大尺寸的高密度钛酸锶钡热释电陶瓷材料及其制备方法，所述高密度钛酸锶钡热释电陶瓷材料的化学式Ba
热释电陶瓷材料钛酸锶钡制备热释电传感敏感元圆片状优选

[发明专利]在钛基体表面原位生长钛酸锶钡铁电薄膜的方法及微弧氧化电解液-CN201610509019.8在审
发明人：李文芳;王敏;张果戈 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2016-09-14 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：本发明公开了在钛基体表面原位生长钛酸锶钡铁电薄膜的方法，包括以下步骤：(1)对钛基体进行预处理；(2)将预处理后的钛基体连接到阳极，置于微弧氧化电解液中进行微弧氧化，反应5～20min，在钛基体表面生成钛酸锶钡铁电薄膜；所述微弧氧化电解液包括以下成分：氢氧化钡0.2～0.8mol/L氢氧化锶0.2～0.8mol/L电解液添加剂：PVP0.01～0.06mol/L；EDTA 0.01～0.08mol/L(3)将步骤(2)处理后的钛基体置于蒸馏水中浸泡1～2小时，最后烘干。本发明能制备表面平整、致密，铁电性能良好的钛酸锶钡铁电薄膜，制备工艺简单，可在常温下进行,无需后续热处理，环保、无污染。
基体表面原位生长钛酸锶钡铁电薄膜方法氧化电解液

[发明专利]一种钛酸锶钡修饰二氧化钛薄膜氢气传感器的制备方法-CN201610864969.2有效
发明人：夏晓红;邓梦杰;高云;黄忠兵;王卓 -专利权人：湖北大学
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明提出了一种钛酸锶钡纳米颗粒修饰二氧化钛薄膜氢气传感器及制备方法，采用磁控溅射法、旋涂法和水热法相结合，通过调控旋涂钛酸锶钡纳米颗粒的尺寸和分散性来实现对二氧化钛薄膜表面的修饰。在FTO衬底上用磁控溅射法制备二氧化钛籽晶层，用水热法在有籽晶层上制备二氧化钛薄膜，再采用旋涂法将预先用水热法制备的钛酸锶钡纳米颗粒旋涂在二氧化钛薄膜的表面，每步制备后进行退火处理，最后用磁控溅射法在其表面制备金属铂电极经钛酸锶钡纳米颗粒修饰的二氧化钛薄膜室温下氢气探测的灵敏度显著提高。本发明制备成本低，方法简单易操作，制得的氢气传感器在室温下对氢气探测灵敏度高，重复性好，稳定性好，可广泛应用于氢气新能源领域。
一种钛酸锶钡纳米颗粒修饰氧化薄膜氢气传感器制备方法

[发明专利]一种高储能密度钛酸锶钡基玻璃复相陶瓷的制备方法-CN201510694655.8在审
发明人：吴勇军;邱维君;陈湘明 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种高储能密度钛酸锶钡基玻璃复相陶瓷的制备方法，该方法首先将原料BaCO₃，SrCO₃和TiO₂按Ba_0.4Sr_0.6TiO₃化学式配料，制得Ba_0.4Sr_0.6TiO₃粉料；其次将原料SiO2O按照质量比57:17:15:9:2进行配料，制得玻璃，研磨后制得玻璃粉末；然后将Ba_0.4Sr_0.6TiO₃粉料与玻璃粉末按质量比(100-x)：x进行配料，制得陶瓷粉料；最后将陶瓷粉料装入模具，利用放电等离子烧结系统在真空环境中1000℃进行烧结，制得陶瓷烧结体，热处理后，制得高储能密度钛酸锶钡复相陶瓷。本发明方法制备的高储能密度钛酸锶钡基玻璃复相陶瓷，储能密度提高和介电击穿场强大幅提高，可用于高密度储能电容器等元器件，在大功率和脉冲功率领域有着极大的应用价值。
一种高储能密度钛酸锶钡基玻璃陶瓷制备方法

[发明专利]不同Ba²⁺/Sr²⁺比钛酸锶钡铁电薄膜的微弧氧化可控制备技术-CN201710354538.6在审
发明人：王敏 -专利权人：广东技术师范学院
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：本发明涉及不同Ba²⁺/Sr²⁺比钛酸锶钡铁电薄膜的微弧氧化可控制备技术，包括以下步骤：(1)对钛基体进行预处理；(2)将预处理后的钛基体连接到阳极，置于微弧氧化电解液中进行微弧氧化，反应5～10min，在钛基体表面生成钛酸锶钡铁电薄膜；所述微弧氧化电解液包括以下成分：氢氧化钡0.5～1.0mol/L；氢氧化锶0～0.5mol/L(3)将步骤(2)处理后的钛基体置于蒸馏水中浸泡1～本发明能在Ti基体上原位生长不同Ba²⁺/Sr²⁺比的钛酸锶钡铁电薄膜，制备工艺简单，可在常温下进行，无需后续热处理，环保、无污染。
铁电薄膜钛酸锶钡微弧氧化钛基体微弧氧化电解液预处理可控制蒸馏水钛基体表面热处理阳极氢氧化钡氢氧化锶原位生长制备工艺常温下烘干浸泡环保