“钙钛矿型铁电体”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2637468个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]形成铁电体薄膜的方法-CN200510075559.1无效
发明人：朴柱哲;崔时卿;郑元雄 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-06-06 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： C04B41/50 文献下载
摘要：本发明提供一种形成铁电体薄膜的方法，用于抑制a－畴的形成并提供充分的层覆盖。该方法包括将具有空切(miscut)表面的基材浸到反应溶液中，所述反应溶液包括钙钛矿型铁电体的前体化合物和水；及在低于钙钛矿型铁电体的相变温度的温度下，在反应溶液中进行水热反应，从而在基材的空切表面上形成钙钛矿型铁电体薄膜
形成铁电体薄膜方法

[发明专利]一种晶体管器件及其制造方法-CN200910089793.8无效
发明人：赵柏儒;付跃举;袁洁;许波;朱北沂;李俊杰;金爱子;曹立新;邱祥冈 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2009-07-24 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明提供一种叠层钙钛矿结构氧化物p-i-n结和一种叠层钙钛矿结构氧化物双极型晶体管及其制造方法，该晶体管包括：氧化物单晶衬底；在衬底上形成的第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层；在第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层的至少一部分上形成的两个分隔开的钙钛矿结构氧化物铁电体势垒层；在该两个钙钛矿结构氧化物铁电体势垒层上分别形成的第二导电类型的钙钛矿结构氧化物层；在该两个分隔开的第二导电类型氧化物层上分别形成的第一和第二金属电极；在未被钙钛矿结构氧化物铁电体势垒层和第二导电类型的钙钛矿结构氧化物层占据的第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层上形成的第三金属电极
一种晶体管器件及其制造方法

[发明专利]钙钛矿型氧化物铁电体－金纳米微粒复合材料及其制备方法-CN97103840.6无效
发明人：周济;李龙土;桂治轮;张孝文 -专利权人：清华大学
申请日： 1997-04-04 - 公布日： 1998-01-21 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：一种钙钛矿型氧化物铁电体-金纳米微粒复合材料,属功能材料领域。该材料是在钙钛矿型氧化物铁电体中含有弥散相的金纳米微粒。其制备方法是首先分别将组成铁电体基体的材料制成前驱体溶液和金溶液,再将两种溶液按一定的配比混合,两种溶液充分混合后产生水解反应形成溶胶,然后按得到薄膜铁电体－金纳米微粒复合材料或粉末状铁电体－金纳米微粒复合材料或块状铁电体本复合材料其热释电性质和二次非线性光学性质与相应的单纯铁电体材料相比有显著改善。
钙钛矿型氧化物铁电体纳米微粒复合材料及其制备方法

[发明专利]钙钛矿型氧化物、铁电体膜及其制备方法、铁电体器件和液体排出装置-CN200810214857.8无效
发明人：新川高见;藤井隆满 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2008-09-03 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：本发明提供钙钛矿型氧化物、铁电体膜及其制备方法、铁电体器件和液体排出装置。在PZT类的钙钛矿型氧化物中，能够在不掺杂烧结助剂或受体离子的情况下，在A位以至少5摩尔％的掺杂浓度掺杂给体离子。所述钙钛矿型氧化物由式(P)：(Pb_1-x+δM_x)(Zr_yTi_1-y)O_z表示，其中M表示选自Bi和镧系元素中的至少一种元素，0.05≤x≤0.4，并且0＜y≤0.7，标准组成是使得δ＝0和z＝3这样的组成，条件是在能够获得所述钙钛矿结构的范围内，δ值和z值分别可以偏离0和3的标准值。
钙钛矿型氧化物铁电体及其制备方法器件液体排出装置

[发明专利]钙钛矿型氧化物铁电体-C60复合材料及其制备方法、-CN97103877.5无效
发明人：周济;李龙土;桂治轮;肖荣福 -专利权人：清华大学
申请日： 1997-04-04 - 公布日： 1997-10-08 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：一种钙钛矿型氧化物铁电体-C60复合材料，属功能材料领域。该材料是在钙钛矿型氧化物铁电体中含有均匀弥散分布的C60分子或微晶。其制备方法是用溶胶-凝胶法，首先分别将组成铁电体基体的材料制成前驱体溶液和C60溶液，再将两种溶液按一定的配比混合、搅拌，使两种溶液形成均匀的单相，再将该混合溶液水解形成溶胶，然后按得到薄膜铁电体-C60复合材料或粉末状铁电体-C60复合材料或块状铁电体-C60复合材料而采用相应的工艺。本复合材料其热释电性质和二次非线性光学性质与相应的单纯铁电体材料相比有明显改善。
钙钛矿型氧化物铁电体 c60 复合材料及其制备方法

[发明专利]一种A位复合离子钙钛矿型铁电体燃料陶瓷纳米粉体材料制备方法及其应用-CN201910378328.X在审
发明人：杨艳玲;宫引引;侯小江;冯雷;锁国权;叶晓慧;张荔;陈志刚;朱建锋 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种A位复合离子钙钛矿型铁电体燃料陶瓷纳米粉体材料制备方法及其应用，将氢氧化钠溶于去离子水中，待其冷却得到溶液A；在溶液A中先后加入钛源、铋源和锂源，使其充分搅拌均匀溶解在溶液中，将搅拌均匀的混合溶液分别转移到反应釜中，密封好后将反应釜放入烘箱中反应，通过反应得到掺杂的钛酸铋钠粉体；将掺杂钛酸铋钠粉体静置，然后通过离心使其达到中性为止，得到粉体；将粉体在烘箱里干燥制备成A位复合离子钙钛矿型铁电体燃料陶瓷纳米粉体材料，
钙钛矿型铁电体陶瓷纳米粉体复合离子钛酸铋钠粉体材料制备燃料粉体反应釜放入烘箱烘箱发明材料高温制备混合溶液晶形转变氢氧化钠水热合成制备工艺掺杂的反应釜挥发水中钛源铋源锂源制备密封离子应用冷却掺杂溶解分解

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN03800949.8无效
发明人：有隅修;今井馨太郎;山川晃司;文范基 -专利权人：株式会社东芝;英芬能技术公司
申请日： 2003-05-28 - 公布日： 2004-11-24 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：半导体器件包含底电极、顶电极和位于底电极和顶电极之间、由含有Pb、Zr、Ti和O的钙钛矿型铁电体制成的介电膜，介电膜包含由许多晶粒形成的第一部分，这些晶粒被具有许多方向的晶粒边界分隔开。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]基于铁电体体光伏效应的自驱动偏振光探测器及制备方法-CN202111304368.3在审
发明人：刘希涛;邬发发;李霄琪;罗军华 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明涉及基于铁电体体光伏效应的自驱动偏振光探测器及其制备方法，本发明的探测器包括玻璃基底层、粘附于所述玻璃基底层上的二维有机无机杂化钙钛矿铁电体单晶层及镀制在二维有机无机杂化钙钛矿铁电体单晶层自由面的一组金属电极组本发明构造的器件基于高质量的二维有机无机杂化钙钛矿铁电体单晶，具有易于制备、成本低等优点，同时稳定性好。
基于铁电体体光伏效应驱动偏振光探测器制备方法

[发明专利]一种113型和125型复合钙钛矿多级结构材料及其制备方法和应用-CN202110934626.X有效
发明人：赵高凌;李华正;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C01G21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种113型和125型复合钙钛矿多级结构材料及其制备方法和应用，该复合钙钛矿多级结构材料包括113型钙钛矿纳米材料与125型钙钛矿纳米材料；113型钙钛矿纳米材料为纳米晶，125型钙钛矿纳米材料为纳米片，113型钙钛矿纳米材料嵌合在125型钙钛矿纳米材料中；113型钙钛矿纳米材料的结构分子式为CsPbX3，125型钙钛矿纳米材料的结构分子式为CsPb钙钛矿多级结构材料，由113型钙钛矿纳米晶嵌入125型钙钛矿纳米片中复合而成，具有高稳定性与载流子迁移距离长等优点，有望在光电探测器、太阳能电池以及LED等光电领域有着广泛的应用前景。
一种 113 125 复合钙钛矿多级结构材料及其制备方法应用

[发明专利]铁电体膜、铁电存储器、以及压电元件-CN200510002523.0有效
发明人：木岛健;宫泽弘;滨田泰彰 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2005-01-20 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明提供一种可以得到可靠性高的铁电装置的铁电体膜，其由用ABO₃表示的钙钛矿结构铁电体构成，在A位上包括作为A位补偿离子的Si²⁺、Ge²⁺
铁电体存储器以及压电元件

[发明专利]一种碳电极介观钙钛矿电池的制备方法及钙钛矿电池、组件、发电系统-CN202210400161.4在审
发明人：何嘉伟;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开一种碳电极介观钙钛矿电池的制备方法及钙钛矿电池、组件、发电系统，包括：步骤S1：选取FTO导电玻璃作为透明导电基底或者选取玻璃基底，在玻璃基底上制备透明导电薄膜，由在玻璃基底与透明导电薄膜组成透明导电基底；步骤S2:在透明导电薄膜上制备致密电子传输层；步骤S3:在致密电子传输层上制备介孔电子传输层；步骤S4：采用无机铁电体在介孔电子传输层上制备铁电间隔绝缘层；步骤S5：在铁电间隔绝缘层上制备碳电极；步骤S6:碳电极上制备钙钛矿光吸收层；步骤S7：对铁电间隔绝缘层施加自钙钛矿光吸收层指向玻璃基底1的方向的铁电极化场，施加的铁电极化场的强度大于铁电间隔绝缘层的铁电矫顽场；本发明提升了钙钛矿内建场，进而提升了传统钙钛矿电池的开路电压及其光电转化效率
一种电极介观钙钛矿电池制备方法钙钛矿组件发电系统

[发明专利]低温制备弛豫基铁电体铌钪酸铅纳米粉末的方法-CN200610114665.0无效
发明人：朱满康;唐剑兰;侯育冬;陈川;汪浩;王波;严辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2006-11-21 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：低温制备弛豫基铁电体铌钪酸铅纳米粉末的方法，属于超细粉体制备技术领域。固相反应法制备铌钪酸铅，在1000℃的较高的煅烧温度下也难于得到纯钙钛矿相的粉体，且颗粒尺寸大(微米级)，尺寸分布不均匀，且这种粉体而要求高的烧结温度(1350℃)以获得致密的陶瓷。本发明利用表面活性剂在沉淀物表面的吸附作用，防止颗粒的团聚，抑制了钙钛矿粉体的长大，有效地提高了沉淀产物的活性，在700－800℃的煅烧温度下获得了粒径50－150nm的钙钛矿相铌钪酸铅粉末，其烧结温度下降到
低温制备弛豫基铁电体铌钪酸铅纳米粉末方法

[发明专利]钙钛矿电池、光伏组件、光伏发电系统及用电设备-CN202211201799.1在审
发明人：涂保;孙娟娟;陈国栋;郭文明;陈长松;刘召辉;郭永胜 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H10K30/40 文献下载
摘要：本申请公开了一种钙钛矿电池，钙钛矿电池的电子传输层和钙钛矿吸光层之间设有插入层，其中，插入层含有n型半导体材料，n型半导体材料的霍尔效应测试结果为n型。在钙钛矿电池中，插入层含有霍尔效应测试结果为n型的n型半导体材料，能有效抑制钙钛矿吸光层的离子迁移，从而能提高钙钛矿电池的稳定性，钙钛矿电池的光电转换效率损失速度降低，从而使得钙钛矿电池的寿命增加。
钙钛矿电池组件发电系统用电设备

[发明专利]氧化物稀磁半导体/铁电体异质结构及其制备方法-CN200810031141.4无效
发明人：王金斌;何春;钟向丽;周益春;郑学军 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2008-04-24 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化物稀磁半导体/铁电体异质结构，由如下三层结构组成：底层为衬底，中层为氧化物稀磁半导体薄膜，上层为铁电体薄膜。所述的衬底为Si、蓝宝石、SrRuO₃或其它钙钛矿氧化物衬底；所述的氧化物稀磁半导体薄膜为宽禁带氧化物ZnO、TiO₂或SnO₂薄膜，掺杂有过渡金属元素Mn、Fe、Co、Ni或Cr；所述的铁电体薄膜为锆钛酸铅、钛酸钕铋或钛酸锶钡薄膜。本发明还公开了2种所述氧化物稀磁半导体/铁电体异质结构的制备方法：脉冲激光沉积法和溶胶凝胶法。所述的氧化物稀磁半导体/铁电体异质结构在外加电场的作用下可对其铁磁性进行非挥发性调制，能广泛应用于电子计算机领域、自旋电子学领域及非挥发性存储器领域。
氧化物半导体铁电体结构及其制备方法

[发明专利]一种金属有机杂化钙钛矿铁电体薄膜的制备方法-CN202010243258.X有效
发明人：王守宇;贾云东;刘卫芳;雷蕴麟 -专利权人：天津师范大学
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属有机杂化钙钛矿铁电体薄膜的制备方法，包括以下步骤：先制备前驱体溶液，再将其涂覆在基底表面，之后向涂覆层加入反溶剂使材料析出，最后经过干燥制得金属有机杂化钙钛矿铁电体薄膜。本发明采用涂覆的方式将含有4’4‑联吡啶、铋源、卤化甲烷的前驱体溶液制成金属有机杂化钙钛矿铁电体薄膜，可大大缩短反应周期，仅需40～150s，且无需升温，操作方便简单，安全性高。此外，本发明制得的金属有机杂化钙钛矿铁电体薄膜色岛厚度在25～46nm之间，相邻微岛之间的区域厚度小于12nm。
一种金属有机杂化钙钛矿铁电体薄膜制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条