专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种电极太阳能电池及其制备方法-CN201711079881.0有效
  • 杨冠军;楚倩倩;丁斌;黄世玉;李长久;李成新 - 西安交通大学
  • 2017-11-06 - 2019-08-23 - H01L51/42
  • 本发明公开了一种电极太阳能电池及其制备方法,在透明导电基底上依次制备电子传输层、薄膜、(空穴传输层)后涂覆浆,对浆进行抽气干燥,即制得高效稳定碳电极太阳能电池。浆中溶剂对的腐蚀时间即是浆的干燥时间,加速浆中溶剂挥发,降低浆干燥时间,可以有效的降低浆中溶剂对的腐蚀。本发明针对不同种类浆,提出了一种普适方法来解决浆中溶剂对的腐蚀问题,利用抽气法促使从浆中挥发出的溶剂由于压差作用能够迅速离开,从而促使溶剂进一步快速挥发为气相,大大降低了浆干燥时间,降低溶剂对的腐蚀,为制备稳定、高效电极太阳能电池打下良好基础。
  • 一种电极钙钛矿太阳能电池及其制备方法
  • [发明专利]弱腐蚀浆、太阳能电池及其制备方法-CN201711078948.9在审
  • 杨冠军;楚倩倩;黄世玉;李长久;李成新 - 西安交通大学
  • 2017-11-06 - 2018-03-27 - H01B1/24
  • 本发明提供了一种用于制备太阳能电池的弱腐蚀浆,按照重量百分比计,弱腐蚀浆由2~20%的粘结剂、30~75%的有机溶剂、0~5%的辅助溶剂和20~40%的材料导电填料组成,粘结剂溶解在有机溶剂中;所述有机溶剂对太阳能电池的材料的溶解度低于0.1g,有机溶剂的沸点为大于60℃小于500℃;所述辅助溶剂对太阳能电池的材料的溶解度为大于0.1g,沸点为大于60℃小于500℃。该弱腐蚀浆不仅能够减少对薄膜的腐蚀,而且可以使所形成的电极与薄膜之间接触良好。本发明还提供了一种太阳能电池及其制备方法,该太阳能电池的薄膜完整性更好,与电极之间接触良好。
  • 腐蚀钙钛矿太阳能电池及其制备方法
  • [发明专利]一种PEG修饰的电极、其制备方法及利用其制得的电池-CN202110024257.0有效
  • 张普涛;刘梅月;陈增;李胜军 - 河南大学
  • 2021-01-08 - 2022-01-28 - H01L51/44
  • 本发明公开一种PEG修饰的电极、其制备方法及利用其制得的电池,属于太阳能电池技术领域。该太阳能电池器件依次由透明导电衬底、电子传输层、活性层、电极组成,本发明用PEG的乙醇溶液对电极层表面进行修饰处理,使得表面覆盖一层PEG,能够有效避免表面极性基团与的直接接触,有效提高的稳定性本发明中电极的制备用无水乙醇替换商业导电浆中的有机溶剂,促使膜从基板脱落,并且此过程中在表面吸附了钝化层材料PEG,减少了电极表面极性基团对的破坏,其工艺简单、成本低廉、并且提高了电池的稳定性,适合于各种结构的型太阳能对电极。
  • 一种peg修饰电极制备方法利用钙钛矿电池
  • [发明专利]一种具有界面修复能力的浆配制方法及应用-CN202310435959.7在审
  • 周聪华;林思远;马姣 - 中南大学
  • 2023-04-21 - 2023-08-01 - H01B1/24
  • 本发明公开了一种具有界面修复能力的浆配制方法及应用,其特征在于:采用惰性溶剂异丙醇作为浆溶剂,采用烷基碘化铵分子对浆进行掺杂活化处理。该新型浆可用于平面结构太阳电池的顶电极使用。烷基碘化铵分子掺杂可以提高电极的功函。浆在活性层上沉积以后,烷基碘化铵分子与活性层表面反应形成2D相,钝化活性层表面缺陷,从而实现对“/电极”界面的修复作用,提升平面结构太阳电池的光电转换效率。同时由于烷基链的疏水性,该浆可以大幅度提高器件的抗湿度稳定性。该方法在光电器件当中具有广泛的应用前景。
  • 一种具有界面修复能力配制方法应用
  • [发明专利]一种基于肖特基结的辐射探测器及其制备方法-CN202310228359.3在审
  • 肖正国;张以涵 - 中国科学技术大学
  • 2023-03-10 - 2023-05-30 - H10K71/12
  • 本公开提出了一种制备基于肖特基结的辐射探测器的方法,包括:将浆在第一衬底上刮涂成膜,经过退火处理,得到电极层;将浆在第二衬底上刮涂成膜,在有机溶剂中浸泡10分钟以上,将膜从第二衬底上剥离,在空气中静置,直至有机溶剂完全挥发,得到多孔膜;将有机铵盐或铯盐与金属卤化物溶解于极性有机溶剂中,得到溶液,将溶液浇注在多孔膜上,在压力条件下,使得溶液向多孔膜渗透,经过退火处理后得到由多孔复合材料组成的辐射吸收层;将辐射吸收层与电极层压合;在辐射吸收层上依次制备制备钛矿层、空穴注入层和顶电极层,得到基于肖特基结的辐射探测器。
  • 一种基于肖特基结钙钛矿辐射探测器及其制备方法
  • [发明专利]一种点诱导薄膜结晶的方法及发光二极管-CN202211081719.3在审
  • 张晓宇;白雪薇;李迪 - 吉林大学
  • 2022-09-06 - 2022-12-06 - H01L51/56
  • 本发明公开了一种利用点实现室温结晶同时提升发光二极管效率的方法,涉及光电技术领域。实现薄膜室温结晶的方法是通过将含有碱金属离子的点薄膜用作发光二极管的界面修饰层,用于载流子传输层与发光层之间;点作为异质形核的中心来增强的结晶,实现在活性层不退火的条件下使发光二极管薄膜结晶:本发明通过设计一种廉价、简易、表面富含碱金属离子的点,以这种点的薄膜作为准二维发光二极管的界面修饰层,达到了薄膜不需要热退火,室温下也能实现良好的结晶,有提升器件性能,简化发光二极管制备工艺的作用
  • 一种诱导钙钛矿薄膜结晶方法发光二极管

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