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[发明专利]具有金属间介电图案的半导体元件的制作方法-CN202010079602.6有效
发明人：郭彬;顾海龙;黄清俊;谈文毅 -专利权人：联芯集成电路制造(厦门)有限公司
申请日： 2020-02-04 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种具有金属间介电图案的半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成第一金属间介电层于基底上，然后图案化第一金属间介电层以形成多个金属间介电图案于基底上、一凹槽环绕金属间介电图案以及一第二金属间介电图案环绕该凹槽，形成一金属层于凹槽内并环绕第一金属间介电图案，形成一第二金属间介电层于第一金属间介电图案、金属层以及第二金属间介电图案上，再形成多个接触洞导体于第二金属间介电层内，其中接触洞导体不重叠第一金属间介电图案
具有金属间介电图案半导体元件制作方法

[发明专利]半导体装置以及其制作方法-CN202310561422.5在审
发明人：翁宸毅;张境尹;王慧琳;谢晋阳 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，该半导体装置的制作方法包括下列步骤，在基底上形成第一金属间介电层。在第一金属间介电层上形成盖层。在基底上形成连接结构贯穿盖层与第一金属间介电层。在第一金属间介电层上形成第二金属间介电层。第二金属间介电层围绕磁性隧穿结结构。一种半导体装置包括基底、连接结构、第一金属间介电层、磁性隧穿结结构与第二金属间介电层。第一金属间介电层的介电常数低于第二金属间介电层的介电常数。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]半导体装置以及其制作方法-CN201811306131.7有效
发明人：翁宸毅;张境尹;王慧琳;谢晋阳 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，该半导体装置的制作方法包括下列步骤，在基底上形成第一金属间介电层。在第一金属间介电层上形成盖层。在基底上形成连接结构贯穿盖层与第一金属间介电层。在第一金属间介电层上形成第二金属间介电层。第二金属间介电层围绕磁性隧穿结结构。一种半导体装置包括基底、连接结构、第一金属间介电层、磁性隧穿结结构与第二金属间介电层。第一金属间介电层的介电常数低于第二金属间介电层的介电常数。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]一种改善平坦化工艺中金属挤压缺陷的方法-CN201910347751.3有效
发明人：于涛;曹秀亮 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善平坦化工艺中金属挤压缺陷的方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有金属层间介电质层，在所述金属层间介电质层内形成有独立的金属结构；刻蚀所述金属层间介电质层，使金属层间介电质层的上表面形成高度差，且所述金属结构上方对应的所述金属层间介电质层的高度，低于所述半导体衬底上所述金属结构以外的位置处对应的所述金属层间介电质层的高度；对所述金属层间介电质层进行平坦化处理。本发明通过增加刻蚀金属层间介电质层的步骤，使金属层间介电质层的上表面形成高度差，在后续的平坦化处理步骤中，研磨的应力主要集中在金属结构以外的位置处，有效减小了金属结构所受应力，从而改善金属挤压缺陷。
一种改善平坦化工金属挤压缺陷方法

[发明专利]超低介电常数金属间介电层的形成方法-CN201710929998.7有效
发明人：施伯铮;周家政;李俊德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：超低介电常数金属间介电层的形成方法包含形成第一金属间介电层于基底上，第一金属间介电层包含多个介电料材层，形成粘着层于第一金属间介电层上，形成超低介电常数介电层于粘着层上，形成保护层于超低介电常数介电层上，形成硬遮罩于保护层上且将硬遮罩图案化以产生窗口，移除窗口下的层以产生开口，被移除的层包含保护层、超低介电常数介电层、粘着层和第一金属间介电层。在开口中形成金属层。
介电常数金属间介电层形成方法

[发明专利]半导体装置-CN201711063342.8在审
发明人：杨仁盛;朱文定;张至扬;杨晋杰;涂国基;石昇弘;廖钰文;陈侠威;陈奕静 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种半导体装置，包含金属间介电层、记忆单元、储存单元、晶体管和介电层。记忆单元包含位于金属间介电层顶表面的金属‑绝缘体‑金属(metal‑insulator‑metal，MIM)结构。晶体管位于金属间介电层的下方。介电层在晶体管上延伸并沿着金属介电层的顶表面延伸。介电层自金属‑绝缘体‑金属结构分离。
金属间介电层介电层晶体管绝缘体半导体装置记忆单元顶表面金属金属介电层储存单元金属结构延伸

[发明专利]具有超通孔的半导体结构以及其制作方法-CN202110011434.1在审
发明人：许闵翔;蔡郁涵;张志圣 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开一种具有超通孔的半导体结构以及其制作方法，该半导体结构包含一基底，一第一金属层间介电层、一第二金属层间介电层以及一第三金属层间介电层依序位于该基底上，其中该第一金属层间介电层中包含有至少一第一导电层，该第二金属层间介电层中至少包含有一掩模层，该第三金属层间介电层中至少包含有至少一第三导电层，以及一超通孔(super via)，贯穿该第二层间介电层，电连接该第一导电层以及该第三导电层，且部分该超通孔直接接触该第二金属层间介电层中的该掩模层
具有超通孔半导体结构及其制作方法

[发明专利]光感测元件的结构和制作方法-CN200410092214.2无效
发明人：黄明政;徐震球 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2004-11-03 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：首先，提供一基板，基板上形成有至少一金属间介电层，金属间介电层包括多个感光区，及多个金属图案形成于金属间介电层上，其中每一金属图案不覆盖该些感光区。接着，形成一介电层于金属间介电层上，并平坦化介电层。如此，介电层经由平坦化后的表面较现有技术的有机平坦化层平坦，可克服现有技术黄色条纹(Yellowstrip)的问题。
光感测元件结构制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202111474803.7在审
发明人：郭致玮 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件，其包含第一金属间介电层设于基底上，第一金属内连线设于第一金属间介电层内，第二金属间介电层设于第一金属间介电层上，第二金属内连线设于第二金属间介电层内，下电极设于第二金属内连线上，磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)设于下电极上，上电极设于MTJ上，第三金属间介电层设于MTJ上以及第三金属内连线设于第三金属间介电层内并连接上电极以及第一金属内连线
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210113447.4在审
发明人：吴采伶;薛琇文;王伟任;黄柏翔;陈启平;王仁宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在实施例中，半导体装置的制造方法包括在第一金属间介电层中形成第一导电特征；在第一导电特征上沉积阻挡层且阻挡层物理接触第一导电特征；在第一金属间介电层上沉积第一介电层且第一介电层与第一金属间介电层物理接触；在第一介电层上沉积第二介电层且第二介电层与第一介电层物理接触；移除阻挡层；在任何物理接触第一导电特征和第二介电层的上方位置沉积蚀刻停止层；在蚀刻停止层上方形成第二金属间介电层；在第二金属间介电层和蚀刻停止层中蚀刻开口以显露第一导电特征
半导体装置制造方法

[发明专利]金属内连线结构及其制作方法-CN201510122601.4有效
发明人：刘恩铨;童宇诚;杨智伟 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-03-20 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种金属内连线结构及其制作方法。该制作方法包括，首先提供一基底，该基底上设有一第一金属间介电层，然后形成一金属内连线于第一金属间介电层中，去除部分第一金属间介电层，形成一间隙壁于金属内连线旁以及利用间隙壁为掩模去除部分第一金属间介电层以于金属间介电层中形成一开口
金属连线结构及其制作方法

[发明专利]包括金属－绝缘体－金属电容器的集成电路装置和半导体装置-CN200310102992.0有效
发明人：吴秉俊;李京泰;郑武京 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-10-31 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本发明提供集成电路装置，所述集成电路装置包括集成电路衬底和位于该集成电路衬底上的金属－绝缘体－金属(MIM)电容器的导电的下部电极层。介电层位于该下部电极层上，而该MIM电容器的导电的上部电极层位于该介电层上。第一金属间介电层位于该上部电极层上。该第一金属间介电层包括至少一个延伸至该上部电极层的通孔。第一导电互连层位于该第一金属间介电层的所述至少一个通孔上。第二金属间介电层位于该第一金属间介电层上。该第二金属间介电层包括至少一个延伸至该第一导电互连层并至少部分露出该第一金属间介电层的所述至少一个通孔的至少一个通孔。第二导电互连层被提供在电连接该第一导电互连层的该第二金属间介电层的至少一个通孔中。
包括金属绝缘体电容器集成电路装置半导体

[发明专利]改善双嵌入式层间金属介电层表面平坦度的方法-CN02103600.4无效
发明人：李世达 -专利权人：矽统科技股份有限公司
申请日： 2002-02-07 - 公布日： 2003-08-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种改善双嵌入式层间金属介电层表面平坦度的方法，适用于一半导体基底，上述基底表面具有金属线路，包括：依序沉积一金属密封层、一层间金属介电层、一保护牺牲层及一硬质罩幕层于上述金属导线上；定义去除上述硬质罩慕层及上述保护牺牲层，形成第一开口于上述层间金属介电层上；定义去除上述层间金属介电层，形成第二开口于上述层间金属介电层内部且未露出上述金属导线路，其中上述第二开口系位于上述第一开口内且对准上述金属导线路；去除上述硬质罩幕层及部分上述层间金属介电层，同时形成导线沟槽及接触通孔，使上述接触通孔底部露出于金属线路，且上述层间金属介电层构成阶梯型(或T型)剖面轮廓；去除上述保护牺牲层，露出上述层间金属介电层表面；形成一金属阻碍层于上述层间金属介电层、上述导线沟槽及上述接触通孔上；以及填充金属于上述导线沟槽及上述接触通孔内，且与上述金属线路接合。
改善嵌入式金属介电层表面平坦方法

[发明专利]电感结构-CN201811107158.3在审
发明人：廖健男;苏泊沅;张睿钧 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供一种电感结构，包括：一基板；一第一介电层，形成于该基板上；一第一金属层，形成于该第一介电层中；一第二介电层，形成于该第一介电层上；一第二金属层，形成于该第二介电层中；至少一中间介电层，形成于该第一介电层与该第二介电层之间；至少一中间金属层，形成于该至少一中间介电层中；以及多个通孔，连接该第一金属层与该至少一中间金属层，以及连接该第二金属层与该至少一中间金属层，其中该第一金属层、该通孔、该至少一中间金属层、该通孔、该第二金属层、该通孔、以及该至少一中间金属层形成一延伸路径，该延伸路径以该第一金属层为一延伸起点，依螺旋方式延伸。
电感结构

[发明专利]集成电路的内连线结构及其制作方法-CN200910166230.4有效
发明人：梁雯萍;邱钰珊;苏国辉 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2009-08-20 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：该内连线结构包含有：基材；下层金属导线，位于该基材上的第一金属层间介电层中；第二金属层间介电层，位于该第一金属层间介电层上，且覆盖着该下层金属导线；上层金属导线，位于该第二金属层间介电层上；以及介层插塞结构，位于该第二金属层间介电层中，用以连结该上层金属导线与该下层金属导线，其中该介层插塞结构包含有钨金属栓柱，形成在该下层金属导线上，以及铝插塞，堆叠在该钨金属栓柱上。本发明具备较低阻值的介层插塞结构和具有成本优势。
集成电路连线结构及其制作方法

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