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- [发明专利]金属电容-CN202010091136.3在审
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陈重光;李家庆;黄建福;胡家铭
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旺宏电子股份有限公司
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2020-02-13
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2021-08-13
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H01L49/02
- 本发明公开了一种金属电容。金属电容包含设置于衬底上方的第一金属层与第二金属层。第一金属层包含第一电极片与第二电极片。第二金属层包含第三电极片与第四电极片。第一平面电容形成于第一电极片与第二电极片之间；第二平面电容形成于第三电极片与该第四电极片之间。第四电极片的至少一部分位于第一电极片的上方，且第一纵向电容形成于第一电极片与第四电极片之间。第三电极片的至少一部分位于第二电极片的上方，且第二纵向电容形成于第二电极片与第三电极片之间。
- 金属电容
- [发明专利]一种多电容堆叠结构及多电容堆叠方法-CN202311003031.8在审
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王锐;刘强;李建军;孙孟英
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广芯微电子（苏州）有限公司
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2023-08-10
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2023-10-24
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H01L27/01
- 本发明公开了一种多电容堆叠结构及多电容堆叠方法，应用于半导体制备领域，该多电容堆叠结构包括：衬底中隔离结构的上侧制备的双多晶电容、以及在双多晶电容背向衬底的一侧堆叠形成的金属氧化物电容和金属绝缘体电容；金属氧化物电容的上极板和金属绝缘体电容的上极板与双多晶电容的上极板导电连接；金属氧化物电容的下极板和金属绝缘体电容的下极板与双多晶电容的下极板导电连接。本发明通过在衬底中隔离结构的上侧，制备双多晶电容，并在双多晶电容背向衬底的一侧制备金属氧化物电容和金属绝缘体电容，并将制备的双多晶电容、金属氧化物电容和金属绝缘体电容并联连接，形成多电容堆叠结构，提高了单位电容密度，降低了制备电容占据芯片的面积。
- 一种电容堆叠结构方法
- [发明专利]层间层内电容的分离方法-CN201110397748.6无效
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魏泰;蒋乐乐;王磊;程玉华
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上海北京大学微电子研究院
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2011-12-05
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2013-06-05
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G01R27/26
- 本发明提出了一种金属层间层内电容的分离方法，以有效的分离金属层间、层内电容。该分离方法主要包括：测量平行金属板结构和combmeander结构的层间电容，测量金属结构combmeander的层内电容，测量平行金属板结构和金属结构comb之间的层间电容，测量平行金属板结构和金属结构meander之间的层间电容；combmeander的层内电容乘二再加上平行金属板结构各与结构comb、meander之间的层间电容，再减去平行金属板结构和combmeander结构之间的总电容，便分离出金属结构combmeander的层内电容。这种金属层间层内电容的分离方法能够更加精确有效的分离出层内电容。
- 间层电容分离方法
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