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- [发明专利]一种高密度低寄生的电容装置-CN201010123024.8无效
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冯鹏;吴南健
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中国科学院半导体研究所
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2010-03-11
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2010-08-25
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H01L27/04
- 本发明公开了一种电容装置,包括:一个由多晶硅栅、栅氧及连接到一起的源、漏和N阱构成的PMOS电容,其中源、漏和N阱连接到电容装置的A端口,多晶硅栅连接到电容装置的B端口;同一层金属之间的第一电容,该同一层金属由两个连接到电容装置A端口和B端口的金属叉指构成;相邻层金属之间的第二电容,其中上层金属叉指与其投影下方的金属叉指分别连接到电容装置的A端口和B端口;MIM电容,具有上极板和下极板,上极板和下极板分别连接到电容装置的A端口和本发明通过在MOS电容上实现同层金属之间的电容、相邻金属层之间的电容、MIM电容等,最大限度的实现了单位面积上的电容。
- 一种高密度寄生电容装置
- [发明专利]电工手套-CN201610362944.2在审
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吴炜
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江阴市恒通电器有限公司
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2016-05-30
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2017-12-08
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A41D19/015
- 本发明公开了一种电工手套,包括本体,本体为棉纱材质,大拇指部位设有橡胶绝缘层,其余四指部位为硅胶结构,四指部位与本体连接,四指部位上表层裸露,食指之间部位设有金属块,金属块连接本体上的灯珠。穿戴的时候将本体套在手掌和大拇指上,四指的指尖插入硅胶结构中,这样手指的上表面裸露在空气中,保持手指部位的通风,减少手汗产生,将四指部位弯折,就可以直接徒手操作,当需要检测漏电的时候,将食指与疑似漏电部位进行接触
- 电工手套
- [发明专利]一种基于硅酸镓镧基底的高温声表面波传感器-CN201710864319.2在审
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肖夏;徐梦茹
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天津大学
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2017-09-22
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2018-03-20
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G01D5/48
- 本发明涉及一种基于硅酸镓镧基底的高温声表面波传感器,包括叉指换能器、四组反射栅和压电基底,压电基底采用硅酸镓镧材料;叉指换能器与反射栅的金属电极长度为1000μm,电极高度为0.1μm,叉指换能器的金属电极周期为压电基底长度为3200μm,宽度为1100μm,高度为60μm,第一组反射栅电极数目为50,单个金属栅的宽度为5μm;第二组反射栅电极数目为51,单个金属栅的宽度为5/1.02=4.9μm,第三组反射栅的电极数目为52,单个金属栅宽度为5/1.04=4.8μm,第四组反射栅的电极数目为53,单个金属栅宽度为5/1.06=4.7μm。
- 一种基于硅酸基底高温表面波传感器
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