“透明导电氧化层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3988822个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]发光器件、发光器件包装和光设备-CN201380030104.0有效
发明人：丁焕熙 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2013-05-22 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：根据一个实施方式的一种发光器件，所述发光器件包含透明导电氧化物层；与所述透明导电氧化物层的底面接触的有源层；与所述有源层的底面接触的第一导电半导体层；电连接到所述第一导电半导体层的反射电极；和电连接到所述透明导电氧化物层的第一电极
发光器件包装设备

[实用新型]一种透明导电薄膜及具有该透明导电薄膜的触摸屏-CN201620109946.6有效
发明人：阮国宇;张玉春;王平 -专利权人：张家港康得新光电材料有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种透明导电薄膜及具有该透明导电薄膜的触摸屏，包括基材和透明导电氧化物层，所述基材的一面设置有水汽阻隔层，所述水汽阻隔层位于基材和透明导电氧化物层之间。该透明导电薄膜具有紫外吸收功能和水汽阻隔功能，紫外阻隔层可以减少基材对紫外光的吸收，防止硬化涂层因为紫外光而老化脱落；同时设置水汽阻隔层阻止基材及涂层中析出的小分子，减少其对透明导电氧化物层影响，避免透明导电氧化物层的老化和脱落使得透明导电薄膜自身的耐候性能得到提升。
一种透明导电薄膜具有触摸屏

[发明专利]透明导电性基材-CN201180023712.X有效
发明人：河添昭造;桥本健司 -专利权人：名阪真空工业株式会社
申请日： 2011-05-11 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种在基材的单面或者双面上依次层积透明导电性薄膜层、透明金属氧化物层的透明导电性基材及其制备方法，所述透明导电性基材的特征在于，该透明金属氧化物层具有贯通表面和背面的多个微细空孔，该空孔的孔径为相反面侧大于与该透明导电性薄膜邻接面侧，所述透明导电性基材的制备方法的特征在于，通过倾斜蒸镀法，在所述透明导电性薄膜层的表面上，形成所述透明金属氧化物层。
透明导电性基材

[实用新型]异质结电池-CN202223588555.1有效
发明人：李硕;钟观发;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种异质结电池，包括晶硅体，依次设置于所述晶硅体表面的本征非晶硅层、掺杂层、透明导电氧化层、金属电极，所述异质结电池还包括位于所述透明导电氧化层和所述掺杂层之间的金属网格层。其中，所述金属网格层用于辅助载流子的传输，降低横向传输的串阻损失，等效降低透明导电氧化层的方阻；因此可以在沉积透明导电氧化层时，提高氧的含量来提高光学透射率。
异质结电池

[实用新型]太阳能电池-CN200820136652.8无效
发明人：黄泳钊;郑博仁;简谷卫;黄导阳 -专利权人：北儒精密股份有限公司
申请日： 2008-12-18 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种太阳能电池，包含：一透明的基板、一呈透明状并铺设于该透明基板顶面的第一导电层、一铺设于该第一导电层顶面的金属氧化层、一铺设于该金属氧化层顶面的光电转换层，及一铺设于该光电转换层顶面的第二导电层。金属氧化层是以透明状并可导电的掺铝氧化锌材料制成，且金属氧化层的顶面是蚀刻成尖锐凹凸的形状。通过位于该第一导电层顶面并以掺铝氧化锌材料制成的金属氧化层，以降低传导电流的阻抗，同时通过金属氧化层可蚀刻的特性以于其顶面上蚀刻出可减少光源反射的锯齿形状或角锥形状，提升光电转换效率。
太阳能电池

[实用新型]一种柔性智能调光调色器件结构-CN202222229566.4有效
发明人：姚婷婷;李刚;王天齐;彭塞奥;沈洪雪;金克武;徐佳馨;汤永康;甘治平;张冲;马立云 -专利权人：中建材玻璃新材料研究院集团有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G02F1/15 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种柔性智能调光调色器件结构，包括柔性基底（1），在柔性基底上表面从下到上依次设有第一透明导电电极层（2）、电致变色层（3）、离子存储层（4）、电解质层（5）、第二透明导电电极层（6）；其特征在于：第一透明导电电极层（2）和第二透明导电电极层（6）均为掺氢氧化铟薄膜；本实用新型优点：本实用新型中第一透明导电电极层和第二透明导电电极层为掺氢氧化铟，比目前用的ITO（氧化铟锡）载流子迁移率高，导电性能更好
一种柔性智能调光调色器件结构

[发明专利]具有夹心式电流阻挡结构的发光二极管-CN201010590655.0有效
发明人：潘群峰;吴志强;林科闯;黄少华 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2010-12-16 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：具有夹心式电流阻挡结构的发光二极管，包括蓝宝石衬底及在其上外延有由n-GaN层、有源层和p-GaN层构成的发光外延层；第一透明导电氧化物层形成于p-GaN之上；透明绝缘层定位于第一透明导电氧化物层上且相对其内缩1～50微米；第二透明导电氧化物层覆盖透明绝缘层并且相对其向外扩展与第一透明导电氧化物层电学连接；p电极与第二透明导电氧化物层连接；n电极与n-GaN层连接。透明绝缘层的“内缩”定位，使第一透明导电氧化物层中的电流传输方式为“由外向内”具有一定电阻的横向传输，因此电流注入更多地分布于芯片的外环区域并使该区域的发光远大于芯片中央区域，芯片外环区域的光子侧面取出概率较高
具有夹心电流阻挡结构发光二极管

[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置-CN202211742772.3在审
发明人：杨依林;康报虹 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，制备方法包括提供基板，沉积第一透明金属氧化物导电层；采用第一道光罩对第一透明金属氧化物导电层图案化，形成公共电极与透明导电层；采用等离子还原性气体对透明导电层还原形成底栅；沉积缓冲层和有源层；采用第二道光罩对有源层图案化形成导电沟道；沉积第二透明金属氧化物导电层；采用第三道光罩对第二透明金属氧化物导电层图案化形成第一导电层和第二导电层；采用等离子还原性气体对第一导电层和第二导电层还原得到源极和漏极；沉积第一钝化层与栅极金属层；采用第四道光罩对栅极金属层图案化形成顶栅。
阵列及其制备方法显示装置

[实用新型]硅异质结太阳电池及叠层透明导电氧化物薄膜-CN201922326551.8有效
发明人：王伟;赵晓霞;宫元波;田宏波;宗军;周永谋;李洋;杨文魁 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司;国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型提供了用于硅异质结太阳电池的叠层透明导电氧化物薄膜。用于硅异质结太阳电池的叠层透明导电氧化物薄膜包括：氢掺杂氧化铟层；TCO接触层，TCO接触层设置在氢掺杂氧化铟层的一个表面上。由此，氢掺杂氧化铟层具有较高的载流子迁移率，其可以大大提高叠层透明导电氧化物薄膜的整体载流子迁移率，进而降低叠层透明导电氧化物薄膜的电阻率，提升硅异质结太阳电池的使用性能；而且，在硅异质结太阳电池中，TCO接触层的设置可以保证叠层透明导电氧化物薄膜与硅异质结太阳电池中的金属电极良好的接触，以降低两者之间的接触电阻；再者，轻掺杂氧化铟层具有较高的透光率，故而不会影响叠层透明导电氧化物薄膜的透光效果。
硅异质结太阳电池透明导电氧化物薄膜

[发明专利]导电性层叠体、带图案布线的透明导电性层叠体、以及光学器件-CN201280029923.9有效
发明人：藤野望;拝师基希;多田光一郎;坂田义昌 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2012-06-14 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明的目的在于，抑制在透明导电层上形成有金属层的导电性层叠体中通过蚀刻而去除金属层时的透明导电层的电阻的升高。导电性层叠体在透明基材（1）的至少一面上依次形成有由至少2层透明导电性薄膜形成的透明导电性薄膜层叠体（2）和金属层（3）。在透明导电性薄膜层叠体（2）中，最接近金属层（3）的第一透明导电性薄膜（21）为金属氧化物层或含有主金属和1种以上的杂质金属的复合金属氧化物层，第一透明导电性薄膜以外的透明导电性薄膜（22）为含有主金属和1种以上的杂质金属的复合金属氧化物层。第一透明导电性薄膜（21）中的杂质金属的含有比例在构成前述透明导电性薄膜层叠体（2）的各透明导电性薄膜中的杂质金属的含有比例之中不为最大，由此可解决上述课题。
导电性层叠图案布线透明以及光学器件

[实用新型]一种银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜-CN201821896166.6有效
发明人：顾宏伟;戚芬强;冀月田 -专利权人：顾氏纳米科技（浙江）有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，属于光学技术领域。本实用新型导电膜依次包括一种衬底、附着衬底上的银纳米线透明导电涂层、保护层、透明导电氧化物层。银纳米线透明导电层厚度为10‑500纳米；保护层厚度为5‑5000nm；透明导电氧化物层厚度为2‑500nm。本实用新型导电膜可实现高光透过率、低方阻、高化学稳定性、高耐磨性和高匹配性等优点。
银纳米线本实用新型透明导电氧化物层复合透明导电膜透明导电氧化物保护层导电膜衬底高化学稳定性光学技术领域透明导电涂层透明导电层高耐磨性匹配性透过率方阻附着高光

[发明专利]透明导电氧化物薄膜及异质结太阳能电池-CN202111080593.3在审
发明人：石建华;张海川;袁强;蒙春才;孟凡英;刘正新;程琼;周华;周丹 -专利权人：中威新能源(成都)有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请提供一种透明导电氧化物薄膜及异质结太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域领域。透明导电氧化物薄膜包括种子层、导电层和保护层，种子层包括氧化铟锡膜或镓/铝共掺杂氧化锌膜，导电层为镓/铝共掺杂氧化锌膜，保护层为氧化铟锡膜；透明导电氧化物薄膜中的氧化铟锡膜的厚度小于镓/铝共掺杂氧化锌膜的厚度
透明导电氧化物薄膜异质结太阳能电池

[发明专利]氧化锌系导电性层合体及其制造方法以及电子器件-CN201180023926.7有效
发明人：永元公市;近藤健;纲野由美子;永绳智史;山本哲也;山田高宽 -专利权人：琳得科株式会社;公立大学法人高知工科大学
申请日： 2011-05-11 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供氧化锌系导电性层合体(1)，其在基材(11)的至少一面上形成有底涂层(12)和透明导电膜(13)，其中，透明导电膜为由氧化锌系导电材料构成的透明导电层多层形成，且透明导电膜的载流子密度为2.0×1020～9.8×1020cm-3，氧化锌系导电性层合体，对直径15mm圆棒，以透明导电膜为内侧进行弯曲，弯曲前后的薄膜电阻值变化率在50以下。
氧化锌导电性合体及其制造方法以及电子器件

[发明专利]一种透明导电膜及其制备方法-CN201010587396.6有效
发明人：智林杰;罗彬;梁明会;王杰;邱腾飞 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2010-12-13 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供一种透明导电膜，其特征在于，该透明导电膜包括透明基底层和附着在该基底层上的导电层，该导电层含有石墨烯和金属氧化物，所述导电层的方块电阻为0.1-5000Ω/sq，所述导电层在可见光区域的透光率为本发明的基于石墨烯和金属氧化物的透明导电膜与单纯的石墨烯基透明导电膜相比，具有更好的透光性和导电性，与单纯的金属氧化物透明导电膜相比，具有更好的抗弯折性能，可以作为柔性透明电极。
一种透明导电及其制备方法

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN201310359009.7有效
发明人：户谷真悟;出口将士 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2013-08-16 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：制造半导体发光元件的方法包括如下步骤在衬底的主表面上形成由第III族氮化物基化合物半导体构成的半导体层；在半导体层上形成透明导电金属氧化物膜；在透明导电金属氧化物膜上方形成电极；形成用于覆盖透明导电金属氧化物膜的一部分的掩模层；以及在含氧气氛中对其上形成有掩模层的透明导电金属氧化物膜进行热处理；其中，在热处理步骤中，使透明导电金属氧化物膜的未被掩模层覆盖的剩余部分的氧浓度高于透明导电金属氧化物膜的被掩模层覆盖的部分的氧浓度。
半导体发光元件及其制造方法