专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]使用双平台光刻设备的方法以及光刻设备-CN202080095082.6在审
  • 沃特·扬·科内利斯·维塞尔;H·T·洛耶斯汀 - ASML荷兰有限公司
  • 2020-12-21 - 2022-09-06 - G03F7/20
  • 本发明提供一种使用双平台光刻设备的方法,其中,光刻设备包括:两个衬底支撑件,每个衬底支撑件被布置成移动和支撑衬底;测量场,这两个衬底支撑件中的一个衬底支撑件被选择地定位在测量场中,测量场用于测量被这两个衬底支撑件中的相应的衬底支撑件支撑的衬底的特征;以及曝光场,这两个衬底支撑件中的一个衬底支撑件被选择地定位在曝光场中,曝光场用于将被这两个衬底支撑件中的相应的衬底支撑件支撑的衬底曝光至被图案化的辐射束,其中,方法包括使被装载在这两个衬底支撑件中的一个衬底支撑件上的衬底进行热弛豫的步骤,其中,热弛豫在曝光场处被至少部分地执行,和/或在测量场与曝光场之间传递时被至少部分地执行。
  • 使用平台光刻设备方法以及
  • [发明专利]照相机-CN03149272.X有效
  • 佐藤达也 - 奥林巴斯光学工业株式会社
  • 2003-06-20 - 2004-01-28 - G03B17/18
  • 其具有:晃动检测计算装置1,检测照相机的晃动状态并对晃动量进行计算;曝光开始判定装置2a,根据晃动检测计算装置1的输出判定照相机的曝光开始动作;告知装置5,根据晃动检测计算装置1的输出,告知与照相机中发生的晃动状态有关的信息;曝光装置4,根据曝光开始判定装置2a的判定结果进行曝光动作;摄影模式设定装置43,选择地设定告知装置5的告知动作模式和基于曝光开始判定装置2a的判定结果的曝光动作模式作为照相机的摄影模式,在摄影模式设定装置43选择告知动作模式的情况下和选择告知动作模式与曝光动作模式的情况下,变更告知装置5的告知形式。
  • 照相机
  • [发明专利]分光测量装置及分光测量方法-CN201410545537.6在审
  • 多津田哲男 - 精工爱普生株式会社
  • 2014-10-15 - 2015-04-29 - G01J3/51
  • 分光测量装置(1)具备:从入射光选择地出射规定的波长的光且能够改变出射的光的波长的波长可变干涉滤波器(5);通过曝光从波长可变干涉滤波器(5)出射的光而输出与曝光量对应的检测信号的受光元件(11);对多个波长分别获取曝光量不同的多个检测信号的检测信号获取部(23);以及在获取的多个检测信号中选择信号电平小于与受光元件(11)的饱和曝光量对应的最大信号电平的、且为最大的检测信号。
  • 分光测量装置测量方法
  • [发明专利]一种半导体的标记方法及半导体-CN202111134372.X在审
  • 宿志影 - 东莞新科技术研究开发有限公司
  • 2021-09-27 - 2023-03-31 - H01L23/544
  • 本发明公开了一种半导体的标记方法及半导体,包括:将感光物质涂覆在半导体的待标记表面上;根据预设的曝光强度对待标记表面上的感光物质进行选择曝光,以在待标记表面上形成曝光区域,曝光区域的形状为预设的标识图形的形状;曝光完成后对感光物质进行烘烤;烘烤完成后将待标记表面暴露于感光区域,对曝光区域进行显影,以去除感光区域内的感光物质;显影完成后对曝光区域进行蚀刻,以在待标记表面上形成标识图形;蚀刻完成后对待标记表面上的感光物质进行清除处理采用本发明的技术方案能够通过半导体表面上标记的标识图形,简单、方便地识别半导体表面,提高了标记方案的通用,并且标识图形容易识别记忆,方便后续加工操作。
  • 一种半导体标记方法
  • [发明专利]一种空气桥的制备方法-CN202310731446.0在审
  • 张儒辉;梁潇;孟铁军;项金根 - 深圳量旋科技有限公司
  • 2023-06-19 - 2023-10-03 - H10N60/01
  • 本发明公开了一种空气桥的制备方法,涉及量子芯片技术领域,包括以预设的曝光剂量分布对电子束光刻胶中的空气桥区域进行灰度曝光,在空气桥区域中形成桥撑结构;曝光剂量分布中,对应桥墩区域的曝光剂量大于对应桥面区域的曝光剂量,且从桥墩区域至桥面区域的曝光剂量均匀变化;空气桥区域外侧不进行曝光;在进行曝光之后,对电子束光刻胶进行显影,在空气桥区域中制成桥撑;在设置超导层后,去除设置在侧壁表面的超导层,剥离电子束光刻胶,制成空气桥基于电子束灰度曝光,可以在一次曝光显影过程中形成具有斜面的桥撑结构,以及在桥撑四周形成垂直的侧壁。之后可以选择去除侧壁表面的超导层,最后在剥离电子束光刻胶,以减少工艺步骤。
  • 一种空气制备方法

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