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[发明专利]半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法-CN202080103412.1在审
发明人：高山华梨;菅野裕士;武木田秀人 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：半导体存储装置具备：层叠体，具有多个导电层与多个绝缘层，多个导电层包含连接于第一选择晶体管的栅极的第一选择栅极线、设于第一选择栅极线的上方并且连接于存储器晶体管的栅极的字线、及设于字线的上方并且连接于第二选择晶体管的栅极的第二选择栅极线；芯绝缘层，具有相对于半导体基板的表面比第二选择栅极线的上表面低的上表面；半导体层，包含具有存储器晶体管和第一以及第二选择晶体管各自的沟道形成区域的第一半导体部、及设于芯绝缘层的上表面的第二半导体部；以及在第一方向上设于半导体层与层叠体之间的存储器层第一半导体部具有含有杂质元素并且与第二选择栅极线重叠的杂质半导体区域。
半导体存储装置以及制造方法

[发明专利]存储阵列及其操作方法和制造方法-CN201310241828.1有效
发明人：高滨;康晋锋;陈冰;张飞飞;刘力锋;刘晓彦 -专利权人：北京大学
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一示例存储阵列可以包括成行列设置以形成阵列的多个基于第一纳米线的选择晶体管；以及在选择晶体管阵列上堆叠的多个存储单元层，每一存储单元层包括与选择晶体管阵列相对应的阻变器件的阵列。阻变器件可以包括由第二纳米线、绕第二纳米线形成的阻变材料层以及绕阻变材料层形成的电极层构成MIM配置。该存储阵列还可以包括多条选择线，每一条选择线电连接至相应的一行选择晶体管；多条位线，每一条位线电连接至相应的一列选择晶体管的一端，各选择晶体管的另一端分别电连接至相邻的存储单元层中相应的阻变器件的第二纳米线；多条字线，每一条字线电连接至相应的存储单元层的电极层。
存储阵列及其操作方法制造方法

[实用新型]一种太阳能电池及其接触结构、电池组件及光伏系统-CN202122072582.2有效
发明人：邱开富;林文杰;王永谦;杨新强;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池及其接触结构、电池组件及光伏系统，该接触结构包括间隔设置于硅衬底背面的凹槽；设置在硅衬底背面的第一电介质层，第一电介质层至少覆盖凹槽；设置在第一电介质层上，且交替设置在各个凹槽中的空穴选择性接触区域和电子选择性接触区域，空穴选择性接触区域和电子选择性接触区域中的至少一个为非硅接触层；设置于空穴选择性接触区域和电子选择性接触区域之间的第二电介质层，第二电介质层为至少一层；及设置在空穴选择性接触区域和电子选择性接触区域上的导电层。
一种太阳能电池及其接触结构电池组件系统

[发明专利]延时选择器-CN201410083003.6有效
发明人：宋丹;郝军明;潘劲东;史增博;陈双文 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： G11C11/4193 文献下载
摘要：本发明揭示了一种延时选择器，所述延时选择器包括第一连接端、第二连接端以及n个延时单元，每一所述延时单元分别选择性连接所述第一连接端和第二连接端；所述延时选择器还包括选择互连层，所述选择互连层位于所述延时单元的上层互连层，通过所述选择互连层实现所述延时单元的选择性连接，实现所述第一连接端和第二连接端之间接入m个所述延时单元。本发明的所述延时选择器通过对后段版图(所述选择互连层)的设计，不需要增加新的版图，只需改变后段低成本的光罩，通过改变所述选择互连层来实现不同所述延时单元的接入，实现灵活可变多阶延时修整，并提高了延时精度
延时选择器

[发明专利]优化电磁传输特性的双屏频率选择表面-CN201510527255.8有效
发明人：徐念喜;高劲松 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种优化电磁传输特性的双屏频率选择表面，属于微波技术领域。解决了现有技术中双屏FSS在大角度照射时，通带性能极度恶化的技术问题。本发明的双屏频率选择表面，包括依次排列的第一介质层、第一胶黏剂层、第一频率选择表面层、第二频率选择表面层、第四胶黏剂层和第二介质层；还包括，设置在第一频率选择表面层和第二频率选择表面层之间的介质柱体层，介质柱体层由周期排列的介质柱体组成，介质柱体的两端分别固定在第一频率选择表面层和第二频率选择表面层的环状缝隙单元内的贴片上。该双屏频率选择表面在电波TE70°照射下，通带、阻带依然保持优良的频率响应特性，且重量轻、结构简单、成本低易于加工。
频率选择表面双屏介质柱体电磁传输胶黏剂层介质层通带照射频率响应特性微波技术领域环状缝隙依次排列周期排列重量轻电波贴片阻带优化恶化加工

[发明专利]高寄生通带抑制四分之一模基片集成波导频率选择表面-CN201510547204.1有效
发明人：程钰间;王洪斌;吴杰;王俊 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H01P1/207 文献下载
摘要：本发明属于频率选择表面的技术领域，提供一种高寄生通带抑制四分之一模基片集成波导频率选择表面，在保证基片集成波导频率选择表面高选择性前提下，解决现有技术提供频率选择表面结构寄生通带抑制度低的问题。该基片集成波导频率选择表面，包括从上往下依次层叠的第一金属覆铜层、介质层、第二金属覆铜层；第一、第二金属覆铜层上沿边缘刻蚀有相同尺寸“L”型缝隙，所述“L”型缝隙由短边和长边构成，且第一金属覆铜层上“L”型缝隙的短边与第二金属覆铜层上“L”型缝隙的长边对应开设、相应的长边与短边对应开设。本发明在保证基片集成波导频率选择表面高选择性前提下，有效提高频率选择表面结构的寄生通带抑制度。
寄生抑制四分之一模基片集成波导频率选择表面

[实用新型]选择性吸附健康型香烟滤嘴-CN00222225.6无效
发明人：罗山 -专利权人：罗山
申请日： 2000-01-27 - 公布日： 2001-01-24 - 主分类号： A24D3/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种选择性吸附健康型香烟滤嘴,它由丙纶或醋酸纤维层、选择性吸附层构成。在丙纶或醋酸纤维层的下端设置有选择性吸附层或在选择性吸附层的上、下端分别设置有丙纶或醋酸纤维层。
选择性吸附健康香烟

[发明专利]三维半导体元件-CN201410029570.3在审
发明人：陈士弘 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-01-22 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维半导体元件，包括：多层存储器层(memory layers)，垂直叠层于一衬底上且存储器层是相互平行的；多条选择线(selection lines)，位于存储器层上方，且选择线是相互平行的；多条位线(bit lines)，位于选择线上方，且位线是相互平行并垂直于选择线；多条串行(strings)垂直于存储器层和选择线，且串行被电性连接至对应的选择线；多个存储单元(cells)分别由串行、选择线和位线所定义，且存储单元是排列为多列(rows)及多行(columns)，其中位线是平行于一行方向，而选择线是平行于一列方向。
三维半导体元件

[发明专利]用于出血检测的装置和方法-CN202111369489.6在审
发明人：侯志雄;瑞罗;赵莉南;M·肯德尔;王玉燕;于燕;李辉 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： A61B5/02 文献下载
摘要：用于出血检测的示例感测装置包括血液选择性层，该血液选择性层包括可渗透膜和由可渗透膜支撑的铁选择性导电电路。感测装置还包括与血液选择性层可操作地耦合的控制器。控制器被配置成向铁选择性导电电路供应电流，响应于由血液选择性层接收的血液来确定铁选择性导电电路的阻抗，并且基于所确定的阻抗来确定由血液选择性层接收的血液量。
用于出血检测装置方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910470606.4在审
发明人：成明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的分立的堆栈栅极结构以及选择栅极，所述堆栈栅极结构和选择栅极的侧壁上形成有侧墙层；形成覆盖所述堆栈栅极结构和选择栅极的层间介质层；刻蚀所述堆栈栅极结构和选择栅极之间的所述层间介质层，或者刻蚀所述层间介质层和侧墙层，形成开口；在所述开口中形成低K介电层。与所述层间介质层和侧墙层相比，所述低K介电层的介电常数较低，根据电容的计算公式C＝εS/d可知，当所述介电常数降低时，堆栈栅极结构和选择栅极之间的电容耦合效应降低，有利于降低编程电压和抹除电压，提高编程效率和抹除效率
半导体结构及其形成方法

[发明专利]双位闪存存储器结构及其制造方法-CN201510081567.0有效
发明人：张明丰;廖宏魁 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-02-15 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开一种双位闪存存储器结构及其制造方法，该存储器结构包含位于基材上的选择栅极氧化物层、容置于选择栅极氧化物层中的选择栅极，选择栅极两侧各有一组复合栅极层。各别复合栅极层包含浮置栅极氧化层、浮置栅极、复合材料层、控制栅极与间隙壁。浮置氧化硅位于基材上。浮置栅极位于浮置氧化层上。复合材料层位于浮置栅极上。控制栅极位于复合材料层上。间隙壁位于控制栅极上。
闪存存储器结构及其制造方法

[实用新型]一种多波长激光器阵列-CN201822052508.2有效
发明人：黄长统;薛正群;苏辉;刘阳;吴林福生;杨重英 -专利权人：深圳市特发信息股份有限公司;中国科学院福建物质结构研究所;福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本实用新型实施例涉及一种多波长激光器阵列，所述阵列包括衬底及在衬底上生长的多个波长不同的选择生长区域外延层，所述选择生长区域外延层自下而上依次包括缓冲层、下波导层、多量子阱、上波导层和覆盖层；在选择生长区域的覆盖层和在选择生长区域以外的区域自下而上依次包括腐蚀停止层、空间层、过渡层和欧姆接触层。
选择生长覆盖层外延层衬底多波长激光器阵列本实用新型腐蚀停止层激光器阵列欧姆接触层多量子阱上波导层下波导层应用成本阵列实现激光器多波长过渡层缓冲层空间层波长单片减小输出生长

[发明专利]局部开槽工艺-CN00807779.7无效
发明人： B·S·李 -专利权人：因芬尼昂技术北美公司
申请日： 2000-04-20 - 公布日： 2002-05-29 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：根据本发明,一种在半导体制造中开孔的方法包括下列步骤在衬底(102)上提供焊点叠层(104);在焊点叠层上制作硬掩模层(106),此硬掩模层相对于焊点叠层可选择性地清除;在硬掩模层上图形化抗蚀剂层(108),此抗蚀剂层相对于硬掩模层可被选择性地清除并具有足以防止凹陷的厚度;相对于抗蚀剂层选择性地腐蚀硬掩模层直至焊点叠层;以及清除抗蚀剂层。在清除抗蚀剂层之后,相对于硬掩模层选择性地腐蚀焊点叠层,致使孔被一直开到衬底。
局部开槽工艺

[发明专利]非挥发性存储器件的结构及其制造方法-CN202111185637.9在审
发明人：王宁;张可钢 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：方法包括；使得存储区位置处的衬底层上表面覆盖有第一介质结构，逻辑区位置处覆盖有逻辑氧化层；在衬底层上制作第一多晶硅层和掩模层；使得掩模层定义出存储单元图案；使得存储单元图案的侧壁上形成存储管顶部氧化层；以存储管顶部氧化层和掩模层为掩模，刻蚀第一多晶硅层和第一介质结构，形成选择管生长空间；使得选择管生长空间中形成选择管多晶硅栅；在选择管多晶硅栅上生长形成选择管顶部氧化层；去除剩余掩模层，使得逻辑区位置处覆盖有光刻胶；以光刻胶、选择管顶部氧化层和存储管顶部氧化层为掩模，刻蚀第一多晶硅层和第一介质结构。
挥发性存储器件结构及其制造方法

[实用新型]一种在大角度下高透波率的频率选择结构-CN201720084325.1有效
发明人：张岭;陈志勇 -专利权人：武汉灵动时代智能技术股份有限公司
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种在大角度下高透波率的频率选择结构，包括第一超材料片层、第二超材料片层和填充层，所述第一超材料片层和填充层设有两层，所述第二超材料片层位于两层第一超材料片层间，所述第二超材料片层与两层第一超材料片层通过填充层连接；所述第一超材料片层包括两层介质层和设置在两层介质层间的频率选择结构A；所述第二超材料片层包括两层介质层和设置在两层介质层间的频率选择结构B。本实用新型频率选择结构A中的铜层形成了一个等效电容；频率选择结构B中的金属线框形成了一个等效电感，通过超材料等效电路LC滤波器理论，利用非谐振结构设计，提高在大角度下的稳定性。
一种角度下高透波率频率选择结构