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[发明专利]一种周期排列的稀疏阵列天线及排列方法-CN201910189833.X有效
发明人：孟宪虎;熊永忠;齐胜翔 -专利权人：成都聚利中宇科技有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01Q21/22 文献下载
摘要：本申请涉及一种周期排列的稀疏阵列天线及排列方法，所述阵列天线包括S个天线周期结构，每个天线周期结构包括N1个发射天线和N2个接收天线；N1个发射天线排列成第一直线，N2个接收天线排列成第二直线，第一直线与第二直线平行，且第一直线位于第二直线的上方或下方；S个天线周期结构依次排列成阵列天线，阵列天线包括M个等效相位中心，且M个等效相位中心呈等间距直线排列，其中，阵列天线中任意一个接收天线和任意一个发射天线之间的中点为因使用周期结构便于组成可重复利用的标准模块，有利于提高产品一致性，减少维修备件提高可维护性，降低产品全寿命成本。
一种周期排列稀疏阵列天线方法

[发明专利]非周期排列平板隙缝辐射阵面-CN200610039718.7有效
发明人：邱家恒;张锡林;李俊沛 -专利权人：南京璇星科技发展有限公司
申请日： 2006-04-21 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H01Q21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种非周期排列平板隙缝辐射阵面，包括第一象限阵面、第二象限阵面、第三象限阵面和第四象限阵面，第一象限阵面和第三象限阵面以阵面中心为对称点相对称，第二象限阵面与第四象限阵面以阵面中心为对称点相对称；第一象限阵面、第二象限阵面、第三象限阵面和第四象限均包括至少2个子阵，每个子阵由阵元组成，在每个阵元上设有1条辐射缝，子阵的排列为非周期性排列，阵元数随机分布，每个子阵的相位中心在阵面的方位面和仰俯面上的投影间距大于半个波长且小于本发明具有在子阵数较多的情况下，天线增益大且周期性寄生副瓣小等优点。
周期排列平板隙缝辐射

[实用新型]非周期排列平板隙缝辐射阵面-CN200620072433.9无效
发明人：邱家恒;张锡林;李俊沛 -专利权人：南京璇星科技发展有限公司
申请日： 2006-04-21 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01Q21/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种非周期排列平板隙缝辐射阵面，包括第一象限阵面、第二象限阵面、第三象限阵面和第四象限阵面，第一象限阵面和第三象限阵面以阵面中心为对称点相对称，第二象限阵面与第四象限阵面以阵面中心为对称点相对称；第一象限阵面、第二象限阵面、第三象限阵面和第四象限均包括至少2个子阵，每个子阵由阵元组成，在每个阵元上设有1条辐射缝，子阵的排列为非周期性排列，阵元数随机分布，每个子阵的相位中心在阵面的方位面和仰俯面上的投影间距大于半个波长且小于本实用新型具有在子阵数较多的情况下，天线增益大且周期性寄生副瓣小等优点。
周期排列平板隙缝辐射

[发明专利]一种避免加工圆形件与激光头碰撞的切割方法-CN201911193846.0有效
发明人：赵剑;郭伟建;邓超;邓舟泰;杨盛林;曾楷滨;陈焱;高云峰 -专利权人：大族激光科技产业集团股份有限公司;大族激光智能装备集团有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种避免加工圆形件与激光头碰撞的切割方法，包括以下步骤：设置圆形件的直径D1和切割余量H，获得加工圆的直径D2＝D1+2H，并形成宽度为H的余量环；将若干直径相同的加工圆沿卷料的长度方向排列，形成多个排列周期；使相邻两个加工圆的余量环相互咬合，形成咬合区；相邻两个排列周期之间的咬合区为跨周期咬合区；激光头先对前一个排列周期内除跨周期咬合区以外的余量环进行切割，然后再对后一个排列周期进行切割时，将前一个排列周期的跨周期咬合区切割掉，完成前一个排列周期内的所有圆形件的切割。通过跨周期咬合区与后一个排列周期连接，形成微连接作用，避免圆形件变形向上翘起，而有效避免碰撞激光头。
一种避免加工圆形激光头碰撞切割方法

[发明专利]安全元件-CN200680048634.8有效
发明人：威蒂克·考尔;沃尔夫冈·劳舍尔 -专利权人：德国捷德有限公司
申请日： 2006-12-21 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： B42D15/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有微光学莫尔放大排列的安全元件(20)，可用于保护安全纸、重要文件等。所述微光学莫尔放大排列含有一种由平面的或应用于曲面的多个缩微图形元件(28)周期性或至少局部周期性排列组成的图形图像，以及平面的或应用于曲面的多个缩微调焦元件(24)的周期性或至少局部周期性排列，用于图形图像的缩微图形元件所述缩微图形元件(28)排列和/或所述缩微调焦元件(24)排列，在平面状态下，在周期性或至少局部周期性区域的排列平面上没有对称轴。
安全元件

[发明专利]一种高隔离度5G基站天线、无线通信终端-CN202110315406.9有效
发明人：樊芳芳;王丽琳;范潇;秦楷;徐云学 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01Q1/52 文献下载
摘要：本发明属于基站天线阵列技术领域，公开了一种高隔离度5G基站天线、无线通信终端，金属地板通过介质螺柱固定有第一层周期性排列贴片结构和第二层周期性排列贴片结构；每层周期性排列贴片结构上设置有周期性排列的方形贴片；第一层周期性排列贴片结构和第二层周期性排列贴片结构位于天线单元之上，天线单元线阵之间设置有金属隔离墙，金属隔离墙通过螺丝固定在金属地板上。本发明通过对天线阵列加载开缝的金属隔离墙和两层周期性排列贴片结构，使5G基站天线阵列单元之间的隔离度得到了很大改善，可应用于5G通信系统中。
一种隔离基站天线无线通信终端

[发明专利]一种基于速度计算的速度提示方法及系统-CN201710121592.6有效
发明人：黄树伟 -专利权人：惠州TCL移动通信有限公司
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G01P3/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于速度计算的速度提示方法及系统，所述的方法包括：按预设的速度检测周期，依时间先后顺序获取与每一速度检测周期一一对应的运动速度，并判断按时间先后顺序排列的多个速度检测周期所一一对应的运动速度是否为降序排列；当按时间先后顺序排列的多个速度检测周期所一一对应的运动速度不是降序排列时，则提示按时间先后顺序排列的多个速度检测周期中最后一个速度检测周期超速。本发明实现了对当前的速度检测周期的当前速度进行检测，并与上一速度检测周期对应的速度进行比较判断是否减速，当当前速度超速时则提示用户调整当前速度，以保护人体运动机能。
一种基于速度计算提示方法系统

[发明专利]一种利用二次排列熵识别周期微弱脉冲信号的方法-CN201410399104.4有效
发明人：杨绍普;申永军;王俊锋;温少芳;唐智斌 -专利权人：石家庄铁道大学;北京必创科技有限公司
申请日： 2014-08-14 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： G06F17/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用二次排列熵识别周期微弱脉冲信号的方法，可以检测出非常微弱的周期脉冲突变信息，其步骤如下：首先对试验或者现场采集到的振动信号(如加速度信号等)计算排列熵，然后以所得的排列熵序列为基础计算其二次排列熵，并可以引申计算二次排列熵的Fourier变换并得到二次排列熵谱。本发明的优点是可以提取出微弱周期脉冲信号的特征信息，包括脉冲时刻和脉冲周期，计算简单且抗噪能力强，在多个领域可以得到应用。
一种利用二次排列识别周期微弱脉冲信号方法

[发明专利]半导体元件-CN201210061291.6有效
发明人：斋藤涉;小野升太郎;仲敏行;谷内俊治;渡边美穗;山下浩明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的半导体元件，具备：在第1半导体层之上，沿着与第1半导体层的主面平行的方向，分别周期性地排列了第2半导体层和第3半导体层的周期的排列构造；设置在第3半导体层之上的第4半导体层；选择性地设置在第4半导体层的表面的第5半导体层；控制电极；设置在周期的排列构造的外侧的第1半导体层之上、且杂质浓度低于周期的排列构造所含的杂质浓度的第6半导体层；与第1半导体层电连接的第1主电极；与第4半导体层和第5半导体层连接的第从与第1半导体层的主面垂直的方向看，第2半导体层和第3半导体层分别呈点状地配置，周期的排列构造的最外周的周期构造不同于最外周以外的周期的排列构造的周期构造。
半导体元件

[发明专利]一种乱序图像传感器数据的重排方法、装置及存储介质-CN202310683010.9在审
发明人：王淑文;张光宇;杨晨飞;曹桂平;董宁 -专利权人：合肥埃科光电科技股份有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G06T1/60 文献下载
摘要：其中，乱序图像传感器数据的重排方法，包括：基于周期性乱序图像传感器数据，以周期数据的数量作为单缓冲区的存储空间的数量；按照第N‑1周期数据读取存储空间的顺序，第N周期数据直出排列写入存储空间；正序排列读取第N周期数据；其中，N为正整数且N1。当N=2，第一周期数据直出排列写入存储空间；正序排列读取第一周期数据。本发明充分利用同一缓冲区资源，通过以上一周期数据的读取顺序，写入本周期数据的重排方式，保证了数据先读取后写入，实现了数据重排，节省了存储单元。
一种图像传感器数据重排方法装置存储介质

[发明专利]光调制器以及曝光头-CN201410452775.2有效
发明人：冈崎雅英;栖原敏明 -专利权人：斯克林集团公司;国立大学法人大阪大学
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： G02F1/29 文献下载
摘要：设置有分别具有第一周期极化反转结构和第二周期极化反转结构的第一光电晶体基板及第二光电晶体基板。光通过第一周期极化反转结构之后在通过第二周期极化反转结构。第一周期极化反转结构是通过以第一周期沿与行进方向垂直或倾斜的第一排列方向排列受到电场的作用而产生的极化方向彼此相反的第一极化对而成的。第二周期极化反转结构是通过以第二周期沿与行进方向垂直的或倾斜的第二排列方向排列受到电场的作用而产生的极化方向彼此相反的第二极化对而成的。至少满足第一周期和第二周期彼此不同这样的第一条件和第一排列方向和第二排列方向彼此不同这样的第二条件中的一个条件。
周期极化反转结构排列方向光电晶体基板电场方向垂直极化方向极化行进第一条件光调制器光调制曝光头消光比

[发明专利]一种电磁波宽带选择性吸收微纳结构及其制备方法-CN202210078403.2在审
发明人：杨晓龙;郭何涛;朱荻;桓恒;于真鹤;程玉贤 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电磁波宽带选择性吸收微纳结构及其制备方法，微纳结构包括连续相接的基体、反射体和吸收体；基体材料为电介质或金属；反射体为金属层，覆盖在基体上方；吸收体位于反射体上方，是由金属层和电介质层交叠形成的倒锥周期结构或者排列式多尺度共面单元周期结构；其中，倒锥周期结构是由若干倒锥单体呈矩阵周期性排列而成的结构，倒锥单体由至少两组金属层和电介质层交叠形成，顶层为金属层；排列式多尺度共面单元周期结构为连续电介质层的排列式多尺度共面单元周期结构或者非连续电介质层的排列式多尺度共面单元周期结构
一种电磁波宽带选择性吸收结构及其制备方法

[发明专利]光器件及分析装置-CN201110124500.2有效
发明人：尼子淳;山田耕平 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2011-05-13 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：该光器件包括沿着与假想平面平行的方向排列导电体突起而成的突起群。突起群中的突起的排列周期至少包括第一周期及与第一周期不同的第二周期。第一周期及第二周期是比入射光的波长短的周期。
器件分析装置

[发明专利]一种全介质透射型超表面全相位调控器-CN202010266889.3在审
发明人：伍铁生;刘智慧;杨丹;杨祖宁;王学玉;张慧仙;王宜颖 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种全介质透射型超表面全相位调控器，包括所述周期性排列粒子、所述涂层和所述基底，位置从上往下依次重叠设置的是所述涂层、周期性排列的所述周期性排列粒子以及所述基底，所述周期性排列粒子包括所述水平臂和所述竖直臂
一种介质透射表面相位调控

[实用新型]一种全介质透射型超表面全相位调控器-CN202020492188.7有效
发明人：伍铁生;刘智慧;杨丹;杨祖宁;王学玉;张慧仙;王宜颖 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种全介质透射型超表面全相位调控器，包括所述周期性排列粒子、所述涂层和所述基底，位置从上往下依次重叠设置的是所述涂层、周期性排列的所述周期性排列粒子以及所述基底，所述周期性排列粒子包括所述水平臂和所述竖直臂
一种介质透射表面相位调控

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