专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]真空多功能连续镀膜装置-CN200820200000.6无效
  • 杨滨 - 昆明理工大学
  • 2008-11-18 - 2009-09-30 - C23C14/56
  • 本实用新型属于电子机械技术领域,涉及一种高真空多功能离子溅射与电子蒸发连续镀膜装置。本装置的真空镀膜室为单室结构,离子溅射源和电子蒸镀源的发生器设置在真空镀膜室外,二者通入镀膜室的入口对应设置有离子溅源射挡板和电子蒸镀源挡板;恒张力可逆卷绕单元的收/放卷轴及随动过渡轴固定于镀膜室内的连接支撑装置上本实用新型结构紧凑,在单真空室内具有多种镀膜及连续镀膜功能,并可实现镀膜过程中间断或全时的离子辅助增强沉积,能将溅射靶材特别是贵重金属靶材和难加工类靶材利用率提高60%~100%,还可通过镶嵌型靶获得特殊功能的包覆型复合膜产品
  • 真空多功能连续镀膜装置
  • [实用新型]一种多功能的单色化X射线源-CN202222371675.X有效
  • 汪晓平;王振中 - 长三角先进材料研究院
  • 2022-09-07 - 2023-05-02 - H05G1/02
  • 本实用新型公开了一种多功能的单色化X射线源,包括导体基座,设置在基座上的靶材、刀口和法拉第杯,设置在基座上部的电子源、X射线单色器;本申请利用滑动机构改变电子源与基座的相对位置会发生变化,由此可以使得电子源产生的电子轰击的位置在靶材向法拉第杯基座连接电流检测仪,本申请通过检测电子源轰击不同位置时基座的电子流大小,实现原位精确测量电子流大小、原位检测电子斑大小;此外,本申请还可以通过设置光斑检测装置,实现对X射线光斑大小的原位检测。
  • 一种多功能单色射线
  • [发明专利]彩色显像管用电子-CN95116834.7无效
  • 李庚燮 - LG电子株式会社
  • 1995-09-18 - 2001-12-12 - H01J29/50
  • 本发明提供一种为了解决在荧光屏的周边部发生的电子焦点不一致、通过使电子通过孔的中心与设置在这电子通过孔周围的隔板底面孔的中心互相偏心、使电子透镜效果强化、从而能使电子的焦点相互一致的彩色显像管用电子枪它是使三个电子通过的电子通过孔与设置在它周围的隔板底面孔相互间偏心地构成的。
  • 彩色显像管用电子枪
  • [发明专利]一种低电子轰击速度的扫描电子显微镜-CN202211655163.4在审
  • 牛义;刘偲;刘治国;张小龙 - 安徽泽攸科技有限公司
  • 2022-12-21 - 2023-03-07 - H01J37/065
  • 本发明公开了一种低电子轰击速度的扫描电子显微镜,包括电子发射装置、镜筒、电子减速机构、高电压箱和连接架机构,所述电子发射装置用于朝向特定方向发射高压电子;所述镜筒位于所述电子发射装置的下方,并且所述镜筒的内侧用于汇聚所述电子发射装置发射的电子;所述连接架机构设置在所述镜筒的外侧并与所述电子发射装置连接,其用于调整所述电子发射装置发射电子进入所述镜筒内侧的角度;通过在镜筒和电子发射装置之间设有连接架进行连接,可通过连接架快速调整电子发射装置与镜筒的间距,从而在保持电子发射角度的情况下进行快速的调整加速区,另外,也可通过连接架调整电子发射的角度。
  • 一种电子束轰击速度扫描电子显微镜
  • [发明专利]碳纳米管电子电离源-CN200480033283.4有效
  • 彼得·J·崔诺;罗伯特·G·瑞特 - 美国热电集团
  • 2004-11-12 - 2007-05-09 - H01J49/14
  • 一种用在质谱分析器中的离子源,包括:电子发射器,配置其以发射电子,其中电子发射器组件包括固定在衬底上用于发射电子的碳纳米管束、配置以控制电子发射的第一控制栅格和配置以控制电子能量的第二控制栅格;电离腔,其具有使电子进入电离腔的电子入口、用于样本引入的样本入口和为电离样本分子提供出口的离子出口;电子透镜,其位于电子发射器组件和电离腔之间以聚集电子;和至少一个电极,其位于离子出口附近以聚集排出电离腔的电离样本分子
  • 纳米电子电离
  • [发明专利]一种片上微型电子源及制造方法、电子源系统、电子设备-CN202010055354.1在审
  • 魏贤龙 - 北京大学
  • 2020-01-17 - 2021-07-20 - H01J3/02
  • 本申请公开了一种片上微型电子源及其制造方法、电子源系统、电子设备,其中片上微型电子源包括衬底,衬底上形成有驱动电极对,驱动电极对存在间隙,间隙中形成有电子隧穿结,驱动电极对可以用于驱动电子隧穿结发出电子,在衬底上方可以固定聚焦电极,聚焦电极上形成有纵向贯穿聚焦电极的聚焦通道,用于在电子通过时减小电子斑尺寸。也就是说,本申请实施例中,可以通过驱动电极驱动电子隧穿结发出电子电子隧穿结无需穿过多个材料层,具有更高的发射效率,通过聚焦电极可以对电子进行聚集,从而减小电子斑尺寸,这样可以得到发射电流较大,且斑尺寸较小的电子
  • 一种微型电子制造方法系统电子设备
  • [实用新型]一种片上微型电子源、电子源系统、电子设备-CN202020113062.4有效
  • 魏贤龙 - 北京大学
  • 2020-01-17 - 2020-10-20 - H01J3/02
  • 本申请公开了一种片上微型电子源、电子源系统、电子设备,其中片上微型电子源包括衬底,衬底上形成有驱动电极对,驱动电极对存在间隙,间隙中形成有电子隧穿结,驱动电极对可以用于驱动电子隧穿结发出电子,在衬底上方可以固定聚焦电极,聚焦电极上形成有纵向贯穿聚焦电极的聚焦通道,用于在电子通过时减小电子斑尺寸。也就是说,本申请实施例中,可以通过驱动电极驱动电子隧穿结发出电子电子隧穿结无需穿过多个材料层,具有更高的发射效率,通过聚焦电极可以对电子进行聚集,从而减小电子斑尺寸,这样可以得到发射电流较大,且斑尺寸较小的电子
  • 一种微型电子系统电子设备

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