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[发明专利]介孔二氧化硅改性压敏胶及其应用-CN202111359416.9有效
发明人：金明实;张林;张嘉琪;申晨 -专利权人：延边大学
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C09J133/08 文献下载
摘要：本发明公开了介孔二氧化硅改性压敏胶，它包括：介孔二氧化硅纳米粒子0.5~2.0份、改性介孔二氧化硅纳米粒子0.5~2.0份、软单体55~70份，硬单体30~40份，功能单体0~5份，引发剂0.5份，溶剂100份；所述的改性介孔二氧化硅纳米粒子是由六甲基二硅胺表面处理介孔二氧化硅纳米粒子得到的；一种透皮贴剂，它包括：背衬层、载药层和防粘层；所述的载药层，是在所述的介孔二氧化硅改性压敏胶中掺入1.5wt%吲哚美辛制备的；本发明的介孔二氧化硅改性压敏胶粘结性能提高、耐水性良好且剥离强度高、吸水率低、透气率高；制备的透皮贴剂，吲哚美辛在3天内释放70%，效果好。
二氧化硅改性压敏胶及其应用

[发明专利]单分散介孔二氧化硅制法及纳米复合发泡剂、制法和应用-CN201710287285.5有效
发明人：郭灿雄;梅莉 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C08J9/10 文献下载
摘要：本发明提供一种单分散介孔二氧化硅制法及纳米复合发泡剂、制法和应用。以单质硅粉为硅源制备硅溶胶，通过补充硅粉和氢氧化钠溶液调整硅溶胶颗粒大小，并将硅溶胶通过聚合诱导胶体凝聚法合成脲醛树脂/SiO2复合微球，煅烧后得到单分散介孔二氧化硅通过单分散介孔二氧化硅和偶氮二甲酰胺复合制备纳米复合发泡剂。本发明制备的复合发泡剂不仅颗粒尺寸小，而且对化学发泡剂的担载量高，从而能获得发泡质量更好的微孔泡沫塑料，具有广阔的应用前景。
分散二氧化硅制法纳米复合发泡剂应用

[发明专利]半导体存储器电路的电容器的制造方法-CN00133189.2无效
发明人：曾鸿辉 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2000-10-24 - 公布日： 2002-05-22 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：形成字线和转移栅晶体管后,沉积第一介电层、薄的氮化硅与第二介电层。蚀刻以形成存储单元接触窗。沉积第一多晶硅,在接触窗内形成第一多晶硅插塞物。去除第二介电层以露出一部分第一多晶硅插塞物。形成第二多晶硅和第三介电层,对第三介电层回蚀刻以形成第三介电层侧壁间隔物。形成第三多晶硅,回蚀刻第三多晶硅和第二多晶硅,以形成第三多晶硅侧壁间隔物与第二多晶硅侧壁间隔物。去除第三介电层侧壁间隔物,剩余的第一多晶硅插塞物、第二多晶硅侧壁间隔物与第三多晶硅侧壁间隔物构成了电容器的电荷储存电极。
半导体存储器电路电容器制造方法

[发明专利]一种内表面涂层型结构介孔钛硅分子筛材料及其制备方法和应用-CN200810202803.X无效
发明人：华子乐;施剑林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2008-11-14 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： C01B39/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种内表面涂层型结构介孔钛硅分子筛材料及其制备方法，属于分子筛材料领域。本发明按材料设计硅钛摩尔比(1000-2)，量取氧化硅溶胶和含钛溶液，共同滴入醇类溶剂当中，搅拌混合均匀0.5-3小时。按钛含量0.1-30mol％与介孔氧化硅基体均匀混合，持续搅拌0.5-12小时，经室温陈化3-12小时后，静置，充分干燥后，450℃-600℃焙烧并保温2-10小时，得到白色的介孔钛硅分子筛材料。本发明制备的介孔钛硅分子筛材料主要由基体有序介孔氧化硅所确定，内表面涂覆的是一层纳米级(0.5-2nm)的钛硅复合物活性涂层，其中涂层中的钛掺杂量为0.1-30mol％。
一种表面涂层结构介孔钛硅分子筛材料及其制备方法应用

[发明专利]一种小分子烯烃环氧化的方法-CN201911133020.5有效
发明人：彭欣欣;夏长久;朱斌;林民;罗一斌;舒兴田 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C07D301/19 文献下载
摘要：一种小分子烯烃环氧化的方法，其特征在于该方法包括在包括A和B的至少两段的反应温度的环氧化反应条件下与使得小分子烯烃、有机过氧化物与一种钛硅复合氧化物进行接触得到含环氧烷烃的产物，其中，所述的A为80‑95℃，所述的B为100‑120℃；所述的钛硅复合氧化物为无定型结构，由纳米颗粒聚集而成，具有16‑50nm范围的介孔，且介孔体积与总孔体积之比≥80％，介孔体积≥0.5cm3硅钛硅复合氧化物为催化剂结合至少两段不同反应温度的条件，与现有技术相比，催化剂结构稳定，成本低，烯烃环氧化反应活性高，产物选择性好。
一种分子烯烃氧化方法

[发明专利]一种有序介孔非均相钯催化剂的原位还原制备方法-CN201010165326.1有效
发明人：张昉;殷洁炜;柴委;李和兴 -专利权人：上海师范大学
申请日： 2010-04-29 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： B01J31/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种有序介孔非均相钯催化剂的原位还原制备方法，在加热条件下，将表面活性剂、强酸、水及4-双三乙氧基硅烷苯混合，并持续搅拌混合反应物，而后将混合反应物过滤，滤饼依次经洗涤和干燥处理后，形成有序介孔有机硅载体，该载体与有机溶剂混合，并在加热且伴以氮气保护的条件下与具有硅氢键的硅烷反应，形成功能化的有序介孔有机硅载体，该功能化载体与钯盐的乙醇-水溶液反应形成有序介孔非均相钯催化剂。本发明工艺简单，制备的有序介孔非均相钯催化剂具有高效持久的催化活性，可有效提高反应速度，降低生产成本，提升产品的品质，并可回收使用，降低环境污染。
一种有序介孔非均相催化剂原位还原制备方法

[发明专利]一种介孔铈镨复合氧化物的制备方法-CN201210511070.4有效
发明人：郝仕油;侯杰;叶群峰 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C05F17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种介孔铈镨复合氧化物的制备方法，将P123完全溶解在HCl中后加入正硅酸乙酯，经水浴、晶化、过滤、洗涤洪干后得预产物，预产物经煅烧后获得SBA-15介孔材料；然后在Ce(NO3)3和Pr(NO3)3的乙醇混合溶液中分别加入SBA-15介孔材料，经磁力搅拌、水浴、经烘干、煅烧获得铈镨硅复合氧化物；再把这些复合氧化物与Ce(NO3)3和Pr(NO3)3的乙醇混合溶液充分搅拌，经水浴、烘干、煅烧后第二次获得铈镨硅复合氧化物，最后用NaOH溶液除去复合氧化物中的SBA-15，经过滤、洗涤、烘干后即得到介孔铈镨复合氧化物。该方法制备的介孔铈镨复合氧化物对可见光具有强吸收性能。
一种介孔铈镨复合氧化物制备方法

[发明专利]含有球形复合介孔材料的催化裂化助剂及其制备方法和在烃油催化裂解反应中的应用-CN201911228592.1有效
发明人：亢宇;王定博;刘红梅 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司北京化工研究院
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B01J29/40 文献下载
摘要：本发明涉及石油化工领域，公开了一种含有球形复合介孔材料的催化裂化助剂及其制备方法和在烃油催化裂解反应中的应用。该催化裂化助剂包括催化剂前体和第二氧化物，催化剂前体包括具有MFI骨架结构的沸石分子筛、球形复合介孔材料和第一氧化物；球形复合介孔材料为包含硅胶、硅藻土、三维立方全硅介孔分子筛和一维六方全硅介孔分子筛的复合材料；且以催化裂化助剂的总重量为基准，具有MFI骨架结构的沸石分子筛为40‑60重量％，球形复合介孔材料为25‑55重量％，第一氧化物为10‑20重量％，第二氧化物的含量为2‑7重量％。在助剂中添加球形复合介孔材料能够有效提高丙烯选择性和汽油辛烷值。
含有球形复合材料催化裂化助剂及其制备方法催化裂解反应中的应用

[发明专利]一种重质石油馏分加氢处理催化剂及其制备方法-CN201511019187.0有效
发明人：王刚;周亚松;马守涛;魏强;葛冬梅;张志华;孙发民;张文成;郭金涛;吴显军;陆雪峰;倪术荣;靳丽丽;郭立艳;李凤铉;谢方明;夏恩冬;李瑞峰;徐铁钢;孟祥彬;王锐;张铁珍 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： B01J23/888 文献下载
摘要：本发明涉及一种高活性重质石油馏分加氢处理催化剂及其制备方法，提出一种以钛改性的硅铝复合氧化物为载体制备催化剂的方法，其中以共沉淀法制得的介孔硅铝复合氧化物为基质材料，采用同步法或分步法在硅铝复合氧化物中引入氧化钛、或硫酸钛、或四氯化钛、或正丙氧基钛、或异丙醇钛、或钛酸异丁酯等，获得具有较大比表面积和孔容的钛改性载体，载体的比表面积为200～310m²/g，孔容为0.5～1.2ml/g。金属活性组分在载体上的担载采用溶液浸渍技术，本发明的催化剂对重质石油馏分具有较好的加氢脱硫和加氢脱氮活性。
硅铝复合氧化物重质石油加氢处理催化剂孔容制备载体制备催化剂加氢脱氮活性溶液浸渍技术钛改性载体钛酸异丁酯基质材料加氢脱硫金属活性四氯化钛异丙醇钛正丙氧基高活性共沉淀硫酸钛同步法氧化钛钛改性担载介孔催化剂引入

[发明专利]一种目标物介导的荧光比率型传感器检测赭曲霉素A的检测方法-CN201910147148.0有效
发明人：许惠凤;朱希;余丽双;王丽丽;张诗琪 -专利权人：福建中医药大学
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种目标物介导的荧光比率型传感器检测赭曲霉素A的检测方法，该方法利用目标物赭曲霉素A诱导介孔硅球释放钌联吡啶以及荧光硅量子点与钌联吡啶之间具有荧光能量转移的特点，构建荧光比率型传感器对赭曲霉素A进行检测；其中，所述介孔硅球为适配体封闭钌联吡啶填充的氨基功能化的介孔硅球，所述适配体的序列为：5’‑GATCGGGTGTGGGTGGCGTAAAGGGAG CATCGGACA‑3'。
一种目标物介导荧光比率传感器检测曲霉方法

[发明专利]一种介孔硅复合铅离子印迹聚合物的制备方法及应用-CN201410355391.9有效
发明人：刘占超;胡兆勇;高延敏;孟祥国 -专利权人：江苏科技大学
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： C08G77/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种介孔硅复合铅离子印迹聚合物的制备方法及应用，属材料制备和分离技术领域。以十六烷基三甲基溴化铵作为模板剂，铅离子作为模板离子，氨丙基三乙氧基硅烷或N‑氨乙基‑γ‑氨丙基三甲氧基硅烷为功能单体，正硅酸四乙酯为交联剂，2mol/L氢氧化钠水溶液作为引发剂，制备介孔硅复合铅离子印迹聚合物选择动态吸附实验研究了制备的离子印迹聚合物的选择性识别性能，结果表明利用本发明获得的介孔硅复合铅离子印迹聚合物具有优越的铅离子识别性能。
一种介孔硅复合离子印迹聚合物制备方法应用

[发明专利]介孔二氧化硅材料的制备方法-CN200610016086.2无效
发明人：陈铁红;肖强;丁大同 -专利权人：南开大学
申请日： 2006-09-30 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：本发明涉及介孔二氧化硅的制备方法，它具有典型介孔结构，氮气吸附等温线为IV型曲线，比表面积为500～1600m²/g，最可几孔径为2～4nm。用有机硅氧烷为硅源，硝酸盐为有机硅氧烷的水解缩合催化剂，在四元体系CTAB－TEOS－MNO₃－H₂O中室温合成。该方法的仿生合成特性，使得其在生物大分子的原位包敷、酶的原位固载等领域内有着重要的应用前景。
二氧化硅材料制备方法

[发明专利]一种响应型枝状介孔有机硅纳米复合物及其制备方法-CN202310399430.4在审
发明人：林君;边玉龙;马平安 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： A61K9/14 文献下载
摘要：一种响应型枝状介孔有机硅纳米复合物及其制备方法，涉及医用纳米载体技术领域，解决了现有材料时空选择性差、副作用大和特异性低的问题。三乙醇胺、表面活性剂、硅酸四乙酯和双‑[3‑(三乙氧基硅)丙基]‑二硫化物反应后得到DMONs；将DMONs和乙酰丙酮锰分散于油胺中，反应得到负载四氧化三锰的枝状介孔有机硅纳米粒子；再分散于无水乙醇中，加入3‑氨丙基三乙氧基硅烷，得到MnD；在MnD上负载Epacadostat和葡萄糖氧化酶，得到MnDIG；将MnDIG分散到去离子水中加入DSPE‑PEG，得到响应型枝状介孔有机硅纳米复合物。
一种响应型枝状介孔有机硅纳米复合物及其制备方法

[发明专利]快速制备介孔ZSM-5分子筛宏观体的方法-CN202110028862.5有效
发明人：骞伟中;刘其武;崔超婕;郭成玉;侯一林;张忠东;宋文龙;李兆飞;王挥遒;邢昕 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司;清华大学
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C01B39/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速制备介孔ZSM‑5分子筛宏观体的方法，该快速制备介孔ZSM‑5分子筛宏观体的方法将含ZSM‑5晶种的稀溶液与淀粉或环糊精与铝源，硅源，模板剂充分搅拌混合，制成浆状物，然后进行挤条，制备在一起，制备成片状或条状物。将片状或条状物，放在轮屉式容器中，然后在高温高压水蒸汽气氛下处理，将硅源与铝源均生成ZSM‑5宏观体。再在含氧气体气氛下焙烧，生成介孔ZSM‑5宏观体。该方法具有制备速度快，硅铝比可调，成本低等优点。
快速制备 zsm 分子筛宏观方法

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN201010131820.6有效
发明人：孙武;王新鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-03-15 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种制作半导体器件的方法，包括：a)在前端器件层上依次形成停止层、高应力覆盖层、第一介电层、第二介电层、含硅的底部抗反射涂层以及带有图案的光刻胶层；b)以光刻胶层作为掩模，刻蚀含硅的底部抗反射涂层和第二介电层，露出第一介电层的上表面；c)以含硅的底部抗反射涂层和第二介电层为掩膜，对第一介电层和高应力覆盖层进行干法刻蚀，并停止在停止层；d)通入包含氟代烃气体和氧气的反应气体，以去除含硅的残留物；以及e)对第二介电层进行剥离根据本发明的方法能有效去除接触孔或通孔刻蚀之后器件表面残留物，使晶片表面变得平整，并提高器件的长期可靠性和良品率。
半导体器件制作方法