专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种测量轻元素的几何检测装置-CN202320055668.0有效
  • 杨苹;温炜杰 - 广州阿尔法精密设备有限公司
  • 2023-01-09 - 2023-06-02 - G01N21/01
  • 本实用新型涉及一种测量轻元素的几何检测装置,属于轻元素检测技术领域,包括外壳、底座、LIBS分析器和固定机构,所述LIBS分析器安装在外壳的顶部,所述固定机构固定于底座的顶面上,所述外壳安装于底座的顶面,所述LIBS分析器的分析区域覆盖固定机构固定样品的区域,本实用新型通过在底座上安装固定机构,在外壳上安装LIBS分析器来对固定在固定机构上的样品进行检测,通过LIBS分析器来对样品进行轻元素的检测,可以具有更快的检测时间和更加简单测试方式以及更好的检测结果
  • 一种测量轻元素几何检测装置
  • [发明专利]单晶硅的培育方法-CN201880063993.3在审
  • 星亮二 - 信越半导体株式会社
  • 2018-09-20 - 2020-05-15 - C30B29/06
  • 法培育高电阻率单晶硅的方法,该培育方法中,培育所述单晶硅时,计算有助于所述单晶硅的目标电阻率的掺杂剂浓度的1/3的值,以使施主所造成的载流子浓度变化量为所述计算值以下的方式,设定培育条件以控制培育的单晶硅中的轻元素杂质的浓度,并基于该设定的培育条件来培育具有所述目标电阻率的单晶硅,所述施主起因于可能在制造器件时形成于培育后的所述单晶硅中的所述轻元素杂质。由此,提供一种即使经过器件工序也能够抑制产生起因于轻元素杂质的施主、且能够抑制偏离目标电阻率的变化量的高电阻率单晶硅的培育方法。
  • 单晶硅培育方法

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