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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]太阳能电池以及太阳能电池模块-CN201810584996.3有效
发明人： 西原孝史;藤村慎也;根上卓之 -专利权人：松下控股株式会社
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明提供可以具有高光电转换效率的太阳能电池以及太阳能电池模块。所述太阳能电池具有：第1电极；第1空穴传输层，其位于所述第1电极上且含有镍；无机材料层，其位于所述空穴传输层上且含有钛；光吸收层，其位于所述无机材料层上，与所述无机材料层接触并将光转换为电荷；以及第2电极，其位于所述光吸收层上且与所述第1电极相对置；其中，所述光吸收层含有在将A设定为1价阳离子、将M设定为2价阳离子、将X设定为1价阴离子时，用组成式AMX3表示的钙钛矿型化合物。
太阳能电池以及模块

[发明专利]太阳能电池-CN201810588206.9有效
发明人： 西原孝史;藤村慎也;根上卓之 -专利权人：松下控股株式会社
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10K30/00 文献下载
摘要：本发明提供可以具有高光电转换效率的太阳能电池。所述太阳能电池具有：第1电极；空穴传输层，其位于所述第1电极上且含有镍、锂以及氧；光吸收层，其位于所述空穴传输层上并将光转换为电荷；以及第2电极，其位于所述光吸收层上；其中，所述光吸收层含有在将A设定为1价阳离子、将M设定为2价阳离子、将X设定为1价阴离子时，用组成式AMX3表示的钙钛矿型化合物；在所述空穴传输层内，面向所述光吸收层的部分的锂浓度小于面向所述第1电极的部分的锂浓度。
太阳能电池

[发明专利]太阳能电池-CN202180040466.2在审
发明人：松井太佑;关本健之;西原孝史;山本辉明;内田隆介 -专利权人：松下控股株式会社
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本公开的太阳能电池(100)依次具备第1电极(2)、光电转换层(3)、中间层(4)、空穴输送层(5)及第2电极(6)，其中，上述空穴输送层(5)包含空穴输送材料及氧化剂，上述光电转换层(3)包含含有碘的钙钛矿化合物，并且，上述中间层(4)包含选自由溴化物、氯化物及氟化物组成的组中的至少一者。
太阳能电池

[发明专利]太阳能电池模块-CN201980093788.6在审
发明人： 西原孝史;山本辉明 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明提供一种可具有高的耐久性的太阳能电池模块。本发明的太阳能电池模块(100)具备：基板(1)、光电转换层(5)、位于基板(1)与光电转换层(5)之间的第一密封层(4)、位于基板(1)与第一密封层(4)之间的第二密封层(3)及覆盖基板(1)的端部的至少一部分和第二密封层(3)的端部的至少一部分的端面密封结构(7)。这里，光电转换层(5)含有有机材料，且将光转换成能量，第二密封层(3)具有比第一密封层(4)更低的水蒸气透过率，且第一密封层(4)的至少一部分与端面密封结构(7)隔离。
太阳能电池模块

[发明专利]质子导体-CN201480000787.X有效
发明人：钱谷勇磁;西原孝史;浅野哲也 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2014-01-31 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明提供质子导体，其具有以组成式A_aB_1‑xB’_xO_3‑δ表示的钙钛矿型晶体结构，A是选自2族元素中的至少1种，B是4族的元素或Ce，B’是3族元素、13族元素或镧系元素，0.5＜a≤1.0，0.0≤x≤0.5，并且0.0≤δ＜3，组成式的电荷在‑0.13以上且小于+0.14的范围中偏离电中性。
质子导体

[发明专利]质子传导体-CN201480000773.8有效
发明人：钱谷勇磁;西原孝史 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01B1/08 文献下载
摘要：一种具有组成式AaB1‑xB’xO3‑δ所示的钙钛矿型晶体结构的质子传导体，其中，A元素为碱土金属，表示该元素的组成比率的a值为0.4＜a＜0.9的范围，B’元素为3价的3族和13族元素，表示该元素的组成比率的x值为0.2＜x＜0.6的范围。
质子传导

[发明专利]信息记录介质及其制造方法-CN201280001113.2有效
发明人：槌野晶夫;西原孝史;草田英夫;儿岛理惠;山田升 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2012-02-24 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： G11B7/24038 文献下载
摘要：本发明提供一种光学信息记录介质，其包含三层以上的信息层，被配置在光入射侧的至少一个信息层是能够改写信息的信息层，在从光入射侧按如下顺序至少具有记录膜、由包含Bi、Ti以及O的电介质构成的透过率调整膜、以及隔离膜的信息记录介质中，将所述隔离膜设置为：在所述透过率调整膜和在与光入射侧相反侧使所述信息层与其它信息层分离的中间分离层之间且与它们相接，并且将所述隔离膜的波长405nm处的光学常数的折射率设为1.8以下，且衰减系数设为0.05以下，防止在严酷的环境下的反复改写特性的变差。
信息记录介质及其制造方法

[发明专利]信息记录介质及其制造方法-CN201280001449.9有效
发明人：儿岛理惠;槌野晶夫;草田英夫;西原孝史;山田升 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-02-24 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： G11B7/2433 文献下载
摘要：本发明提供一种信息记录介质及其制造方法。该信息记录介质包括3个以上的信息层，且至少一个信息层包括记录层和核生成层，记录层含有由化学式(1)即[(Ge0.5Te0.5)x(In0.4Te0.6)1-x]ySb100-y(mol％)表示且x满足0.8≤x＜1.0、y满足95≤y＜100的材料，并且核生成层含有由化学式(2)即(Ge0.5Te0.5)z(Bi0.4Te0.6)100-z(mol％)表示且z满足10≤z≤71的材料，并且核生成层与记录层相接的信息记录介质，即使形成较小的记录标记，也能够得到足够的信号振幅，并稳定地保存较小的记录标记。
信息记录介质及其制造方法

[发明专利]信息记录介质及其制造方法以及靶-CN200880019786.4有效
发明人：儿岛理惠;山田升;松永利之;西原孝史 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-06-09 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： B41M5/26 文献下载
摘要：本发明公开一种信息记录介质(100)，能够利用光的照射或电能的施加而记录信息，其中，至少备有能够产生相变化的记录层(115)。记录层包含锑(Sb)、碳(C)、原子量小于33的轻元素(L)。优选为，轻元素(L)是从B、N、O、Mg、Al以及S中选择的至少一种元素。例如，记录层(115)由用式(1)所表示，且由x和y满足x+y≤50的材料构成，Sb_100-x-yC_xL_y (1)；其中，下标100-x-y、x以及y，表示由原子％表示的Sb、C以及L的组成比。
信息记录介质及其制造方法以及

[发明专利]信息记录介质及其制造方法、溅射靶和成膜装置-CN200880008650.3有效
发明人：高冈友康;西原孝史;儿岛理惠 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-02-01 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： B41M5/26 文献下载
摘要：本发明提供一种信息记录介质及其制造方法、溅射靶和成膜装置，在具有包含可产生相变化的记录层在内的信息层的信息记录介质中，记录层含有包含Sb和S、且用式(1)Sb_xS_100-x(原子％)来表示的材料，其中，下标x是利用原子％示出的组成比，满足50≤x≤98。
信息记录介质及其制造方法溅射装置

[发明专利]信息记录介质及其制造方法、以及溅射靶-CN200780037581.4无效
发明人： 西原孝史;儿岛理惠;山田升;松永利之 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-06-05 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： B41M5/26 文献下载
摘要：本发明提供在记录层的厚度为3nm左右的非常薄的情况下记录信息时的记录灵敏度高、且消除性能也好的信息记录介质。在通过照射光或施加电能而能记录信息的信息记录介质(15)中，至少具有引起相变化的记录层(104)，记录层(104)将选自Zn、Si和C中的至少一种元素和Sb含有共计85原子％以上，优选其组成以组成式Sb_100-a1M1_a(原子％)(其中，M1为选自Zn、Si和C中的至少一种元素，a1表示以原子％表示的组成，并且满足0＜a1≤50。)来表示。
信息记录介质及其制造方法以及溅射

[发明专利]信息记录介质及其制造方法以及其制造装置-CN200680052095.5有效
发明人：坂上嘉孝;儿岛理惠;西原孝史 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-12-18 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： G11B7/254 文献下载
摘要：本发明提供一种信息记录介质，包含：能够使用光学的途径或电气的途径引起可以检测的相变的记录层(19、26)、与记录层(19、26)相接的作为氧化物层的界面层(18、20、25、27)。记录层(19)含有以式子：Ge_αBi_βTe_γM_{100－α－β－γ}(原子％)(M表示选自Al、Ga、In及Mn中的至少一种元素，α、β及γ满足25≤α≤60、0＜β≤18、35≤γ≤55、82≤α+β+γ＜100。)表示的Ge－Bi－Te－M系材料。界面层(18、20、25、27)含有至少一种记录层(19、26)中所含的元素M的氧化物。
信息记录介质及其制造方法装置

[发明专利]信息记录介质和其制造方法-CN200680045254.9有效
发明人： 西原孝史;坂上嘉孝;儿岛理惠 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-11-09 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： G11B7/254 文献下载
摘要：一种信息记录介质，其是能够利用光的照射或电能的施加记录信息的信息记录介质15，在第一及第二电介质层102及106、及第一及反入射侧界面层103及105中，至少一层是含有Si、In、M1(M1是选自Zr及Hf的至少一种元素)、和氧(O)，且含有1原子％以上的Si的Si－In－Zr/Hf－O系材料层。该介质的记录信息时的记录灵敏度高，反复擦写性能优越，且显示高的信号强度。
信息记录介质制造方法

[发明专利]信息记录介质及其制造方法-CN200680044701.9无效
发明人：槌野晶夫;西原孝史;儿岛理惠 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-11-01 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本发明提供一种不含S元素的电介质材料，并提供一种即使在反射层和电介质层之间不设置界面层、仍能得到高信号品质且记录灵敏度及重写特性优良的信息记录介质。为此，在本申请中，信息记录介质至少具备记录层，所述记录层因照射激光束或者施加电流而发生相变，其具备包含In元素、元素M1、氧元素(O)、元素M2、氟元素(F)的氧化物－氟化物电介质层，其中，M1为选自Zr、Hf、Y、Ti、Nb、Ta、Cr、Ga及Si的至少一种元素，M2为选自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Mg、Ca及Sr的至少一种元素。
信息记录介质及其制造方法

[发明专利]信息记录介质及其制造方法-CN200680026165.X无效
发明人：坂上嘉孝;西原孝史;儿岛理惠;槌野晶夫 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-07-06 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本发明提供一种信息记录介质及其制造方法，在构成单面具有多个信息层(1、2)的信息记录介质的至少两个信息层中，一个信息层(1)中所含的记录层(7)及与之邻接设置的电介质层(6、8)的组成与另一个信息层中所含的这些层(12、11、13)的组成相同，由此，可不进行靶更换地在相同的溅射成膜室分别形成两个信息层(1、2)的记录层(7、12)及电介质层(6、11)(8、13)，从而可减少生产时的损耗时间而制造单面多层结构的介质。
信息记录介质及其制造方法

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