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[发明专利]一种超高纯铝铸造用夹取装置及其夹取方法-CN202111598438.0在审
发明人：姚力军;潘杰;王学泽;张勇;陈雄威;黄引驰 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： B25J15/02 文献下载
摘要：本发明提供一种超高纯铝铸造用夹取装置及其夹取方法，所述夹取装置包括依次连接的支撑单元、拉伸单元和夹取单元；所述夹取单元包括依次活动连接的伸缩组件、传动组件和夹取组件；所述伸缩组件采用压缩气缸进行驱动；所述夹取组件采用硬质陶瓷材料制备而成所述夹取方法包括以下步骤：(1)将夹取装置安放于水平地面，启动拉伸单元，将夹取单元调整至目标高度；(2)启动夹取单元，伸缩组件依次带动传动组件和夹取组件对超高纯铝进行夹取操作。本发明提供的夹取装置避免了铝与夹取装置上的其他金属之间发生化学反应，防止了超高纯铝的污染，同时保证了装夹稳定性，提升了操作安全性。
一种高纯铸造用夹取装置及其方法

[发明专利]一种花生形超高纯硅溶胶的制备方法与应用-CN202310000484.9在审
发明人：王建宇;卫旻嵩 -专利权人：万华化学集团股份有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C01B33/141 文献下载
摘要：本发明公开了一种花生形超高纯硅溶胶的制备方法与应用，包括以下步骤：1）制备得到活性硅酸溶液；2）将部分活性硅酸溶液加入到碱液中，滴加结束后老化反应，调节pH至9‑11，得到种子母液；3）向种子母液中加入定量有机铵盐在搅拌下将剩余的活性硅酸溶液加入到初始硅溶胶中，加入完毕后继续老化反应，得到硅溶胶；5）采用超纯水对反应生成的醇进行溶剂置换，并浓缩至二氧化硅质量含量为20‑50%；6）过滤除去浓缩液中固体，得到花生形超高纯硅溶胶所述方法可以提供花生形超高纯硅溶胶，在CMP抛光液中可具有广泛应用。
一种花生高纯硅溶胶制备方法应用

[发明专利]红外光谱在鉴别超高分子量聚乙烯复合材料中的应用和方法-CN202310199439.0在审
发明人：陈星汝;王晓格;陈航锋;彭苏捷;张广宇;杨柳榴;杨帆;汪厚军 -专利权人：浙江方圆检测集团股份有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G01N21/35 文献下载
摘要：本发明红外光谱在鉴别超高分子量聚乙烯复合材料中的应用和方法，以鉴别超高分子量聚乙烯复合材料中是否含有高密度聚乙烯；步骤为：1）分别制备纯超高分子量聚乙烯和纯高密度聚乙烯；2）按照一定的比例共混制备UHMWPT/HDPE复合材料；3）采集纯品和对照品的光谱图，作为标准图谱；4）采集待测样品的光谱图，并将得的待测样品的光谱图与标准图谱进行对照，通过特定波数处的峰面积来确定待测样品中是否含有高密度聚乙烯及初步判定含量范围
红外光谱鉴别超高分子量聚乙烯复合材料中的应用方法

[发明专利]一种超高纯铝靶材的制备方法-CN201610846416.4有效
发明人：冉继龙;李谢华;黄瑞银;徐始祥;罗筱雄;陈国生;詹开严;刘华春 -专利权人：中铝瑞闽股份有限公司
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种超高纯铝靶材的制备方法，包括以下步骤：（1）将纯度大于99.999wt%的超高纯铝铸锭进行表面铣削，去除表面的氧化层；（2）将铸锭加热至230～400℃；（3）将加热后的铸锭进行10~20单道次压下量控制在20~60mm，控制最后道次的终轧温度在350℃以下；（4）对完成热轧的铝板进行温度为200～300℃，保温时间为1～2h的退火处理；（5）对板材矫平后进行铣削加工，获得平均晶粒在80～150um的超高纯铝靶材
超高纯铝靶材铸锭制备加热热轧大规模工业化生产单道次压下量晶粒平均晶粒退火处理铣削加工织构取向氧化层减小矫平铝板铣削终轧去除保温能耗

[发明专利]一种超高纯合成中间相沥青的制备方法-CN201610917501.5有效
发明人：李轩科;伍孝;郭建光;沈威威;张福全;刘金水 -专利权人：湖南东映碳材料科技有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： C10C3/02 文献下载
摘要：本发明属于合成沥青制备方法技术领域，具体涉及一种纺丝级超高纯合成中间相沥青的制备方法。本发明采用芳烃化合物与过量催化剂无水氟化氢和三氟化硼在40‑100℃生成烷基化中间体，然后将烷基化中间体与饱和三氟化硼‑芳烃络合物在150‑260℃聚合反应，再经过催化剂回收、脱泡去除残余催化剂和小分子化合物，软化点重整获得超高纯合成中间相沥青本发明反应可控度高，催化剂重复利用可靠度高，采用聚四氟乙烯内衬可获得灰分<20ppm超高纯合成中间相沥青，解决了现有制备合成中间相沥青方法中存在的反应条件苛刻、对设备腐蚀强、成本高、提纯困难、催化剂回收难等问题
一种高纯合成中间沥青制备方法

[发明专利]一种制备超高纯铟的装置及其制备方法-CN201910606312.X有效
发明人：李明旭;郑红星;张云虎;翟启杰 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C22B58/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备超高纯铟的装置及其制备方法，包括真空腔体，设于该真空腔体内的蒸馏系统及位于蒸馏系统右下方的垂直区熔系统；制备时先将金属铟原料置于石墨坩埚内，通过第一导杆下移冷凝板，进行真空蒸馏，随后待石墨坩埚内的金属铟熔体降温冷却后，上移冷凝板，旋转装置使坩埚倾转一定角度将金属铟熔体浇注于石英管内，通过三段独立式加热装置及冷却装置分别设置加热温度、冷却温度，并通过第二导杆带动石英管上下移动和自旋，进行垂直区熔，制得超高纯铟。本发明通过将真空蒸馏法与垂直区熔法有机结合，进而能够实现7N及7N以上的超高纯铟的高效稳定生产。
一种制备高纯装置及其方法

[发明专利]一种碘化法生产超高纯钛的装置-CN201310171243.7无效
发明人：不公告发明人 -专利权人：方敏
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： C22B34/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种碘化法生产超高纯钛的装置，主要包括原料罐（1）、超高纯钛沉积管（13）、加碘罐（5）、沉积罐（17），原料罐与沉积罐为分开的两个独立罐体，原料罐与沉积罐均通过密封垫分别与相应的罐盖连接，原料罐内装有海绵钛，沉积罐内部设有超高纯钛沉积管，可通过加碘罐在反应初始和反应过程中补加原料碘。
一种碘化生产高纯装置

[发明专利]一种超高纯POCL₃的制备方法-CN201310180545.0无效
发明人：殷福华;朱龙;邵勇 -专利权人：江阴江化微电子材料股份有限公司
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： C01B25/10 文献下载
摘要：一种超高纯POCL3的制备方法，黄磷与工业氯气在第一反应釜中加热制成PCL3并翻倒入第二反应釜；PCL3经第二反应釜加热蒸馏；取75.5℃～78℃馏份PCL3成品；将经过初次加热蒸馏过的PCL3成品经氯化水解法制成POCL3一次品；加热蒸馏温度设置为100℃～105℃，取104℃～109℃馏份得POCL3二次品；将POCL3二次品经精馏得到超高纯POCL3。对原材料的要求不高，所用黄磷为普通黄磷，所用氯气为工业氯气，降低工业生产成本，在常温常压下生产制备的超高纯POCL3能满足集成电路(IC)和多晶硅太阳能电池以及光纤等产品生产加工要求。
一种高纯 pocl sub 制备方法

[发明专利]一种超高纯硝酸的制备工艺-CN201010607023.0无效
发明人：沈哲瑜;魏永明;蒋旭亮 -专利权人：上海化学试剂研究所
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C01B21/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高纯硝酸的制备工艺。和SO42-反应，析出沉淀，膜过滤净化，精馏去除无机盐，精馏液用超纯水调配到浓度为69-70wt％硝酸，在吹白塔中用净化空气吹白，用饱和氢氧化钠水溶液吸收吹脱的氮氧化物，吹白液进入粗品槽，经膜过滤得到超高纯硝酸经检测，用本发明制备工艺得到的超高纯硝酸含量达到69-70wt％，产品各项指标均符合SEMI C8标准。
一种高纯硝酸制备工艺

[发明专利]一种超高纯铝硅钛溅射靶材合金的制备方法-CN202210095951.6在审
发明人：姚力军;潘杰;王学泽;仝连海 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种超高纯铝硅钛溅射靶材合金的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)原料硅、原料钛和原料铝进行预处理；(2)设备和工具进行表面涂层处理；(3)预处理后的原料进行熔炼；(4)熔炼后的合金进行依次除气和结晶成型；(5)合金材料进行变形工艺，形成所述超高纯硅钛溅射靶材合金；所述制备方法通过优选高纯度原料和合金熔融步骤，同时在设备和工具表面涂层处理，实现了金属元素的纯度控制和均匀分布，得到了杂质H元素的含量水平符合要求、晶粒均匀的超高纯度铝靶材。
一种高纯铝硅钛溅射合金制备方法

[发明专利]旋转外部加热式高频感应超高纯锗单晶制备方法及设备-CN202110068511.7在审
发明人：白尔隽 -专利权人：白尔隽
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了锗单晶制备领域中的一种旋转外部加热式高频感应超高纯锗单晶制备方法及设备，该方法包括原料铸锭及初级纯化的步骤、精区熔提纯的步骤，先在第一石英舟中对市场商品锗锭作为原料进行铸锭，后在第二石英舟内进行精区熔提纯，得到高纯锗多晶，后拉制出超高纯锗单晶；该设备包括籽晶提拉转动装置、石英管炉体和旋转的外加热装置，籽晶提拉转动装置包括套在石英管内的石英坩埚和籽晶杆，外加热装置包括加热器和套在加热器外部的加热线圈，加热器通过加热器旋转轴与机座连接本发明适应了统一精提纯的要求，避免在操作过程中带来任何不利的因素，同时减少了坩埚杆等结构的应用，避免这些结构带来的杂质污染，有利于超高纯锗单晶的纯度提高。
旋转外部加热高频感应高纯锗单晶制备方法设备

[发明专利]一种钢渣的选别方法-CN201910525307.6有效
发明人：周涛;袁永珍;刘明利;杨科;邓星星;吴崇高 -专利权人：周涛;袁永珍;四川鑫隆合冶金科技有限公司
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： B03B9/06 文献下载
摘要：并将脱磁后的一次磁选精矿进行二段球磨至粒度180～200目，将球磨后的精矿进行第二次磁选，得到二次磁选精矿和尾矿，备用；步骤三：将二次磁选精矿进行脱磁处理，然后将脱磁后的精矿进行三段球磨和多次的磁选和重选处理，得到超高纯磁铁精矿和高品位铁精矿本发明主要用于钢渣选别超高纯磁铁精矿，属于纯物理法，在生产过程中不使用化学药剂，绿色环保；在生产成本上，是传统化学法生产超高纯磁铁精矿成本的35％，具有显著的经济效益和市场推广价值。
一种钢渣方法

[发明专利]一种由工业纯镁制备超高纯金属镁的装置和方法-CN201210288444.0无效
发明人：罗天骄;杨院生;史宝良;冯小辉;李应举;胡壮麒 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2012-08-14 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： C22B26/22 文献下载
摘要：本发明属于金属材料制备领域，具体涉及一种由工业纯镁制备超高纯金属镁的方法和装置。在真空室的底部设置真空室炉盖，真空室炉盖上设有原料石墨坩埚、高纯镁收集器石墨坩埚，原料石墨坩埚的外侧设置与温度控制器Ⅰ相连的加热炉Ⅰ，加热炉Ⅰ的顶部设置与温度控制器Ⅱ相连的加热炉Ⅱ，加热炉Ⅱ的内部设置冷凝器，冷凝器通过溜槽连至高纯镁收集器石墨坩埚。该方法直接对工业镁锭或者添加少量铁粉的工业纯镁锭进行真空蒸溜，真空室的真空度控制在2－15Pa，冷凝区域温度控制在660－750℃，原料区域温度控制在760－850℃，从而直接生成超高纯金属镁锭。本发明获得纯度大于或等于99.99wt%超高纯金属镁，完全能够满足国防、电子及生物工程材料等领域的需求。
一种工业制备超高金属镁装置方法

[实用新型]一种由工业纯镁制备超高纯金属镁的装置-CN201220402538.1有效
发明人：罗天骄;杨院生;史宝良;冯小辉;李应举;胡壮麒 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2012-08-14 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C22B26/22 文献下载
摘要：本实用新型属于金属材料制备领域，具体涉及一种由工业纯镁制备超高纯金属镁的装置。在真空室的底部设置真空室炉盖，真空室炉盖上设有原料石墨坩埚、高纯镁收集器石墨坩埚，原料石墨坩埚的外侧设置与温度控制器Ⅰ相连的加热炉Ⅰ，加热炉Ⅰ的顶部设置与温度控制器Ⅱ相连的加热炉Ⅱ，加热炉Ⅱ的内部设置冷凝器，冷凝器通过溜槽连至高纯镁收集器石墨坩埚。本实用新型可以直接对工业镁锭或者添加少量铁粉的工业纯镁锭进行真空蒸溜，真空室的真空度控制在2－15Pa，冷凝区域温度控制在660－750°C，原料区域温度控制在760－850°C，从而直接生成超高纯金属镁锭本实用新型获得纯度大于或等于99.99wt%超高纯金属镁，完全能够满足国防、电子及生物工程材料等领域的需求。
一种工业制备超高金属镁装置

[发明专利]一种半导体超高纯膜片制作模具及制作方法-CN202310611321.4在审
发明人：王杰;刘家乐;刘海挺;李应涵;任志强;薛鑫磊;曹玉娜;陆杲;杨文 -专利权人：上海皓固机械工业有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B29C67/00 文献下载
摘要：本申请涉及膜片加工模具的领域，尤其是涉及一种半导体超高纯膜片制作模具及制作方法；包括外部接头以及锁紧块；所述外部接头设有气体通道，所述外部接头一端与充气设备连接；所述锁紧块可拆卸连接于所述外部接头的另一端，阀体膜片设于所述外部接头与所述锁紧块之间；通过将阀体膜片放置在外部接头内，锁紧块将阀体膜片与外部接头固定，再将高压气体通入到外部接头内，在高压气体的作用下实现对阀体膜片的加工，加工过程中可以通过控制高压气体的通入量
一种半导体高纯膜片制作模具制作方法