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[发明专利]一种具有超低介电损耗的PTFE/MgTiO3-CN201911002441.4在审
发明人：林慧兴;彭海益;姚晓刚;顾忠元;张奕;赵相毓;何飞 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C08L27/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有超低介电损耗的PTFE/MgTiO3复合介质材料及其制备方法，所述PTFE/MgTiO3复合介质材料包括四氟乙烯基体以及填充在所述四氟乙烯基体中的微波介质陶瓷
一种具有超低介电损耗 ptfe mgtio base sub

[发明专利]一种化学机械抛光液-CN201110445932.3有效
发明人：姚颖;宋伟红;孙展龙 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明的化学机械抛光液对超低k介电材料的去除速率有抑制作用，但对钽、铜和二氧化硅(Teos)的去除速率无明显的影响，因此可以大大提供衬底的抛光选择性。
一种化学机械抛光

[发明专利]高介电层金属栅器件的制造方法-CN201210415303.0有效
发明人：谢欣云 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电层金属栅器件的制造方法，在去除伪多晶硅及介电层后执行氟离子注入，并在形成衬垫氧化物后进行第一次退火，在形成高介电层后执行第二次退火，使氟离子由衬底的沟道区扩散至衬垫氧化层和高介电层，与不稳定的氢键结合形成氟硅基团，降低了氟离子由伪多晶硅扩散入高介电层过程中工艺的不可控性和工艺难度。
高介电层金属器件制造方法

[发明专利]栅极堆叠形成期间于高介电栅极介电层中钝化点缺陷-CN201310112210.5有效
发明人： E·艾尔本;M·特伦特斯奇;R·J·卡特 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2013-04-02 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本揭示内容涉及栅极堆叠形成期间于高介电栅极介电层中钝化点缺陷，大体针对借由在栅极堆叠形成期间钝化点缺陷来改善有高介电常数栅极介电层的半导体装置的可靠性的技术。揭示于本文的一个示范方法包含下列步骤：执行多个材料沉积循环以形成高介电常数介电层于半导体材料层上面，以及在该多个材料沉积循环中的至少一者期间，将钝化材料引入用来形成该高介电常数介电层的气体前驱物。
栅极堆叠形成期间高介电介电层中钝化点缺陷

[发明专利]一种应用于天线振子的低介电改性PPS及其制备方法-CN202211114367.7在审
发明人：邢霞;邓鑫星;刘止林;冉祥鑫;张家豪 -专利权人：山东产研明泉新材料研究院有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C08L81/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于天线振子的低介电改性PPS，包括以下组分：PPS树脂、低介电玻璃纤维、偶联剂、低介电填充料、低介电增韧剂、低介电润滑剂以及抗老化剂。本发明采用上述结构的应用于天线振子的低介电改性PPS，由低介电玻璃纤维、低介电填充料、低介电增韧剂以及低介电润滑剂改性PPS树脂，不仅保留了PPS树脂的固有的耐高温、高尺寸稳定性、低吸水率、高阻燃性能，而且改性后的PPS树脂具有优异的低介电性能，从而更加适用于天线振子中。
一种应用于天线低介电改性 pps 及其制备方法

[发明专利]一种介孔泡沫杂化材料检测铜离子的电化学方法-CN202310338481.6在审
发明人：梁静;牙禹;闫飞燕;蒋翠文;谢丽萍;王彦力;宁德娇;唐莉;李焘 -专利权人：广西壮族自治区农业科学院
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种介孔泡沫杂化材料检测铜离子的电化学方法，操作步骤：(1)芘甲醛腙介孔泡沫杂化材料的制备；(2)介孔泡沫的制备；(3)介孔泡沫杂化材料的制备；(4)介孔泡沫杂化材料修饰碳糊电极的制备；(5本发明通过对介孔泡沫进行改性，得到一种介孔泡沫杂化材料，用于高选择性、高灵敏、低成本、快速检测铜离子。
一种泡沫材料检测离子电化学方法

[发明专利]高介电纤维材料、粉末涂料组合物及制备方法-CN202310374801.3在审
发明人：沈晓燕;胡林政;李杰 -专利权人：苏州锦艺新材料科技股份有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： D01F9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电纤维材料、粉末涂料组合物及制备方法，所述高介电纤维材料包括纤维材料BaTi2O5，无机填料及改性剂0.1‑5％，CaO:2‑10％，MgO:1‑5％，B2O3:5‑15％，所述改性剂包括至少一种或者多种硅烷改性剂，所述高介电粉末组合物包括所述高介电纤维材料及粉末涂料，本发明高介电纤维材料和粉末涂料组合物具有很高的介电性能，填补了功能性粉末涂料高介电性能的空缺。
高介电纤维材料粉末涂料组合制备方法

[发明专利]一种基于MOF-AuNPs涂层的超低阻抗电极界面的制备方法-CN202010870935.0在审
发明人：张友雄;吴清平;张菊梅;韦献虎;孙铭;李兵;丁郁;薛亮;陈谋通;王涓;古其会;叶青华 -专利权人：广东省微生物研究所（广东省微生物分析检测中心）
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： G01N27/416 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MOF‑AuNPs涂层的超低阻抗电极界面的制备方法。本方法利用聚乙烯酰胺分散的MOF材料作为导电基底修饰层，接着原位电化学沉积金纳米粒子，形成具有超低阻抗的MOF‑AuNPs涂层界面；制备过程简单、易控，效率高，稳定性好。本发明所制备的MOF‑AuNPs涂层界面中的MOF材料提供了高传质能力，同时作为AuNPs的固定载体，能使电极界面具有高比表面积、高导电性、更多活性位点、均匀分布的AuNPs涂层。本发明所制备的超低阻抗电极界面能够更多的吸附生物分子，在生物传感器构建中具有良好的应用效果。
一种基于 mof aunps 涂层阻抗电极界面制备方法

[发明专利]一种超低硬度高阻尼橡胶复合材料及其制备方法、应用-CN201810534552.9有效
发明人：杨军;张保生;李斌;唐军辉;王雪飞;黄良平;王进;宁响亮;庾光忠 -专利权人：株洲时代新材料科技股份有限公司
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C08L9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超低硬度高阻尼橡胶复合材料，以重量份计，包括橡胶本体100份，补强剂5‑40份，增塑剂10‑50份，硫化剂0.5‑3份，硫化促进剂2‑5份，活性剂3‑17份、防老剂2‑6份和高阻尼添加剂本发明制备得到的超低硬度高阻尼橡胶复合材料具有良好的物理机械性能，其具有超低硬度的同时还具有高阻尼性能，能满足EN15129‑2009和GB/T 20688《橡胶支座第2部分：桥梁隔震橡胶支座》的技术要求
一种硬度阻尼橡胶复合材料及其制备方法应用

[发明专利]超低碳钢的冶炼方法-CN201610173797.4有效
发明人：罗衍昭;李海波;青靓;干明;崔阳;庞在刚;倪有金;陈建光;刘慧;裴兴伟;朱建强;王东;胡卫东;尹娜;赵东伟;马文俊 -专利权人：首钢总公司
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： C21C7/076 文献下载
摘要：本发明公开了一种超低碳钢的冶炼方法，包括将铁水通过转炉冶炼，在转炉出钢时，根据转炉终点氧含量加入高钙铝渣球降低顶渣中的TFe含量，从而获得钢水；将所述钢水通过RH真空精炼，在RH破空结束时，在渣面均匀撒入高钙铝渣球，进一步降低所述渣中的TFe含量，从而获得洁净度高的钢水；将所述洁净度高的钢水通过连铸获得成品。本发明提供的一种超低碳钢的冶炼方法可显著降低超低碳钢钢包顶渣的氧化性，改善钢水的可浇性，提高钢水洁净度。
低碳钢冶炼方法

[实用新型]一种宽带带通滤波器-CN201420360154.7有效
发明人：周文婷;崔力民;乔涵;刘杰;王辉;巩锐;顾同江;李明 -专利权人：国网新疆电力公司信息通信公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：它包括由上至下依次层叠布置的第一介质层、第二介质层、第三介质层、第四介质层、第五介质层和第六介质层以及第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器和第四谐振器；第一谐振器的低阻抗部印制在第一介质层上，所述第一谐振器的高阻抗部、第二谐振器的高阻抗部和第三谐振器的高阻抗部均印制在第二介质层上，第二谐振器的低阻抗部和第三谐振器的低阻抗部均印制在第三介质层上，第四谐振器的高阻抗部和低阻抗部分别印制在第四介质层和第五介质层上，第五介质层上还印制有两个耦合带线，第六介质层上印制有两个共面波导线；共面波导线上设置有金属链孔；其结构简单紧凑，体积小、性能可靠。
一种宽带带通滤波器

[发明专利]高介电性膜-CN201380051473.8在审
发明人：立道麻有子;太田美晴;横谷幸治;小松信之;仲村尚子;茂内普巳子;硲武史;木下雅量;高明天 -专利权人：大金工业株式会社
申请日： 2013-10-16 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明的高介电性膜的特征在于，其含有偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物(A)，该偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物(A)中，偏二氟乙烯/四氟乙烯以摩尔比计为95/5～80/20；并且该高介电性膜由α型结晶结构和β型结晶结构构成
高介电性膜

[发明专利]高K介电膜-CN200480033499.0有效
发明人：拉温德拉纳特·德鲁帕德 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2004-10-22 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：一种介电层(14，22，24，32)，由两个导体或导体(14，20，34)和衬底(12，26，30)之间形成的镧、镥和氧构成。在一个实施例中，介电层形成在衬底上，不需要额外的界面层。在另一个实施例中，介电层(22，42，46)渐次变化镧或镥的含量，或者还包括铝的含量。在另一个实施例中，绝缘层形成在导体或衬底和介电层之间，或者形成在导体和衬底以及介电层之间。介电层优选的由分子束外延来形成，但是也可以由原子层化学气相淀积、物理气相淀积、有机金属化学气相淀积或脉冲激光淀积来形成。
介电膜

[发明专利]高介电性膜-CN201180004932.8无效
发明人：立道麻有;高野奈菜子;太田美晴;横谷幸治;小松信之;向井惠吏;高明天 -专利权人：大金工业株式会社
申请日： 2011-01-11 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明提供高介电性膜，其为含有成膜树脂(A)和无机物颗粒(B)的膜，其中，成膜树脂(A)含有偏二氟乙烯系树脂(a1)；相对于成膜树脂(A)100质量份，无机物颗粒(B)的含量为0.01质量份以上且小于10
高介电性膜

[发明专利]电容器储能电池及其高比表面电极的制备方法-CN201010572101.8有效
发明人：萧小月 -专利权人：无锡索垠飞科技有限公司
申请日： 2010-12-03 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本发明提供一种电容器储能电池及其高比表面电极材料的制备方法，本发明将高比表面电极材料与高纯无机介电材料进行混合；将混合的高比表面电极材料和高纯无机介电材料经过高温烧结，使高纯无机介电材料形成相应尺寸的纳米晶体材料，并吸附在高比表面电极材料中形成电极-介电复合材料，两者的混合比必须大于渗析阈值以确保此复合材料的导电性；此复合材料中可加入适量的碳纤维或者石墨纤维以增强其机械韧性；然后将所制备的电极-介电复合材料，经真空冷压或真空热压成储电电极薄膜片；将所制备的电极-介电复合材料的电极薄膜片进行叠加形成电容器储能电池的电极。本发明的电池具有高电容量和高击穿电压。
电容器电池及其比表面电极制备方法