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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体元件和确定温度的方法-CN200910159335.7有效
发明人： P·巴金斯基;R·贝耶勒;H·鲁辛;D·多梅斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2009-07-07 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：一个实施例提供一种集成在半导体主体中的电路装置。提供至少一个功率半导体元件，其集成在半导体主体中并具有控制连接和负载连接。电阻元件热耦合到功率半导体元件并且同样集成在该功率半导体元件主体中并且配置在该功率半导体元件的控制连接和负载连接之间。该电阻元件具有温度依赖的电阻特征曲线。将驱动和评估单元设计成评估经过该电阻元件的电流或者在该电阻元件上的电压降并且提供依赖其上的温度信号。
半导体元件确定温度方法

[实用新型]便携式半导体激光脱毛仪-CN201420346970.2有效
发明人：杨林;李曦;殷超云 -专利权人：武汉洛芙科技股份有限公司
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： A61N5/067 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种便携式半导体激光脱毛仪，该半导体激光脱毛仪壳体前端设置出光口，半导体激光脱毛仪上设置有液晶显示屏，半导体激光脱毛仪还设置有LED指示装置，半导体激光脱毛仪还设置有能量选择按钮和开关，能量选择按钮调节激光强度，开关用于控制半导体激光脱毛仪电源通断，该半导体激光脱毛仪壳体后端还设置有皮肤检测窗口,其相对于传统激光脱毛仪采用人体工学结构设计，整体结构紧凑，操作方便，激光强度可调解，性能安全可靠，适用于多种肤色的人群
便携式半导体激光脱毛

[实用新型]一种多用途半导体加工处理装置-CN201921851443.6有效
发明人：陈磊 -专利权人：南通国尚精密机械有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多用途半导体加工处理装置，主体包括有半导体处理装置本体、异型真空吸盘、镂空支撑柱、端部微小真空吸盘、半导体切割线、半导体切割线支架、半导体加工平台、加工平台金属隔板，半导体处理装置本体设置有半导体加工平台，半导体加工平台顶部设置有异型真空吸盘，半导体处理装置本体侧面边缘设置有半导体切割线支架，半导体切割线支架头部设置有半导体切割线，异型真空吸盘侧面设置有端部微小真空吸盘，半导体加工平台侧面设置有加工平台金属隔板，半导体加工平台内部设置有镂空支撑柱。
一种多用途半导体加工处理装置

[发明专利]半导体集成电路及其设计方法-CN201310108964.3有效
发明人：白尚训;徐在禹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：公开了一种半导体集成电路及其设计方法。根据本发明思想的示例性实施例，设计半导体集成电路的方法包括：创建对多个半导体器件当中的至少一个半导体器件作出指示的标记层，所述至少一个半导体器件将在宽度、高度及其与相邻半导体器件的间隔的至少一个方面发生改变；以及将标记层应用到先前创建的布局，以便生成在宽度、高度和与相邻半导体器件的间隔的至少一个方面发生了改变的所述至少一个半导体器件的新的库。标记层可以是基于所述多个半导体器件当中的所述至少一个半导体器件的特性的改变。
半导体集成电路及其设计方法

[发明专利]半导体芯片设计方法-CN01138536.7有效
发明人：约翰·M·科恩;阿尔瓦·A·迪安;戴维·J·哈萨卫;戴维·E·拉基;托马斯·M·莱普西克;苏珊·K·利希滕斯泰格;斯科特·A·泰特劳尔特;塞巴斯蒂安·T·文特伦 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2001-11-15 - 公布日： 2002-06-12 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：半导体芯片结构被分割成作为设计区域的仓室。半导体芯片结构可被切割成各个区域,并被赋予各种电压电平。每个仓室可看作电压岛。设计中的电路被加到各个仓室中或从中移出,由此提高或降低电路的速率和功率如电路置于被赋予较高电压的仓室,则速率和功率提高,如放到具有较低电压的仓室,则降低速率和功率。也可以改变仓室的尺寸和位置。本发明可适用于诸如退火布局工具之类的任何布局环境,它是通过在设计上连续精细调整电路位置而进行的,并且该布局处理可被中断以改变逻辑布局。
半导体芯片设计方法

[发明专利]半导体发光装置、其转移头及转移半导体发光装置的方法-CN201510726024.X有效
发明人：张永鹤;全支那 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本申请涉及半导体发光装置、其转移头及转移半导体发光装置的方法。该转移半导体发光装置的方法包括以下步骤：面对具有未掺杂半导体层的半导体发光装置定位具有头电极的转移头，所述半导体发光转置布置在载体基板上；将所述转移头的头电极移动至接近所述半导体发光装置的所述未掺杂半导体层；将电压施加到所述头电极，以便通过静电力将附着力提供到所述未掺杂半导体层；以及拾取所述半导体发光装置并且向基础基板转移所述半导体发光装置。
半导体发光装置转移方法

[发明专利]半导体封装组件及其制造方法-CN201610289142.3在审
发明人：林子闳;萧景文;彭逸轩 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体封装组件及半导体封装组件的制造方法。半导体封装组件包含第一半导体封装，第一半导体封装包含第一半导体晶片，第一重布层结构与第一半导体晶片耦接。半导体封装组件也包含第二半导体封装与第一半导体封装接合，第二半导体封装包含第二半导体晶片，第二半导体晶片的主动面朝向第一半导体晶片的主动面。第二重布层结构与第二半导体晶片耦接，第一重布层结构位于第一半导体晶片与第二重布层结构之间。本发明有利于改善设计的弹性。
半导体封装组件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202110570493.2在审
发明人：杨智铨;徐国修 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。一种半导体装置的范例包含第一半导体堆叠以及第二半导体堆叠、虚设间隔物和栅极结构，这些堆叠位于基板上方，其中各第一半导体堆叠与第二半导体堆叠包含层叠的且相互分开的半导体层；虚设间隔物位于第一半导体堆叠以及第二半导体堆叠之间，其中虚设间隔物接触第一半导体堆叠与第二半导体堆叠的各半导体层的第一侧壁；栅极结构环绕第一半导体堆叠与第二半导体堆叠的各半导体层的第二侧壁、顶面以及底面。
半导体装置

[发明专利]半导体装置结构-CN201611024334.8在审
发明人：李东颖;叶致锴;徐振峰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本公开提供半导体装置结构。半导体装置结构包括第一半导体层及第二半导体层，纵向地堆叠于半导体基底上。第一半导体层及第二半导体层包括不同的材料。半导体装置结构也包括栅极堆叠，覆盖第一半导体层的第一部分。半导体装置结构还包括间隔元件，位于栅极堆叠的侧壁上。间隔元件覆盖第二半导体层以及第一半导体层的第二部分。第二半导体层的厚度不同于第二部分的厚度。
半导体装置结构

[发明专利]光电子半导体器件和装置-CN201980074312.8在审
发明人：马提亚斯·希恩;马提亚斯·哥德巴赫 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种光电子半导体器件(1)，其包括：具有主放射面(A)和设计用于发射电磁辐射的有源区域(100)的半导体本体(10)；和布置在半导体本体(10)的背离主放射面(A)的一侧上的接收元件(20)。为接收元件(20)分配接收频率，并且设计用于：从电磁交变场中提取用于运行有源区域(100)的能量。还提出一种包括至少两个光电子半导体器件(1)的装置(2)。
光电子半导体器件装置

[发明专利]半导体封装结构及其制造方法-CN202010724266.6在审
发明人：马克·杰柏 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：公开一种半导体封装结构及其制造方法。所述半导体封装结构包括第一半导体装置、重新分布结构、第二半导体装置及多个导电组件。所述第一半导体装置具有有源表面。所述重新分布结构与所述第一半导体装置电连接。所述第二半导体装置结合到所述第一半导体装置的所述有源表面及安置于所述第一半导体装置与所述重新分布结构之间。所述导电组件位于所述第一半导体装置的所述有源表面上及所述第二半导体装置之外，其中所述第一半导体装置通过所述导电组件电连接所述重新分布结构。
半导体封装结构及其制造方法

[外观设计]半导体器件测试系统自校准装置-CN201730184789.5有效
发明人：刘冲;李洁;张珊;阚劲松;王酣 -专利权人：中国电子技术标准化研究院
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： 10-05 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称半导体器件测试系统自校准装置。2．本外观设计产品的用途本外观设计产品用于通过半导体器件测试系统自校准装置，配合自校准软件，用于CESI系列半导体器件测试系统内部直流电压、直流电流、脉冲电流等参数的内部自校准。3．本外观设计产品的设计要点该外观设计产品的整体形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片立体图。
半导体器件测试系统校准装置

[发明专利]半导体装置结构-CN201710480724.4在审
发明人：萧锦涛;曾健庭;杨超源;许义明;郑存甫;王薏涵 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L29/775 文献下载
摘要：本公开实施例提供半导体装置结构。半导体装置结构包含介电层。半导体装置结构亦包含栅极堆叠结构于介电层中。半导体装置结构更包含半导体线，且栅极堆叠结构围绕部分的半导体线。此外，半导体装置结构包含接点电极于介电层中，且接点电极电性连接至半导体线。接点电极与栅极堆叠结构自半导体线朝相反方向延伸。
半导体装置结构半导体线栅极堆叠结构接点电极介电层电性连接方向延伸

[外观设计]半导体测试系统切换箱（PST6747A）-CN202230615889.X有效
发明人：赵艳鹏;任志军;陈彦锐;丛欣 -专利权人：浙江博测半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： 10-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：半导体测试系统切换箱（PST6747A）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于半导体测试系统，用于放置待测半导体器件，用于测试分析半导体器件。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
半导体测试系统切换 pst6747a

[实用新型]半导体器件-CN201320575197.2有效
发明人：菊池卓;菊池隆文 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件，提高将平面尺寸不同的多个半导体芯片层叠的半导体器件的各半导体芯片的设计自由度。该半导体器件，包括：布线基板，其具有第1面以及与所述第1面相反侧的第2面；第1半导体芯片；第2半导体芯片；第3半导体芯片；以及多个外部端子，其形成于所述布线基板的所述第2面，所述第3半导体芯片的平面尺寸大于所述第1半导体芯片的平面尺寸。
半导体器件

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