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[发明专利]一种多电源域电荷泵的开关管衬底的动态偏置电路及方法-CN202010945430.6在审
发明人：陈光明;胡海军;夏群兵 -专利权人：深圳市爱协生科技有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种多电源域电荷泵的开关管衬底的动态偏置电路及方法，包括开关管PM0、开关管PM1、衬底偏置MOS管PM2、衬底偏置MOS管PM3、开关管PM4、衬底偏置MOS管PM5、衬底偏置MOS管PM6、开关管PM7、衬底偏置MOS管PM8、衬底偏置MOS管PM9、开关管PM10、衬底偏置MOS管PM11、衬底偏置MOS管PM12、NMOS管NM0和NMOS管NM1。本发明提出的一种多电源域电荷泵的开关管衬底的动态偏置电路及方法，能动态调整开关管的衬底偏置；在时钟不同相位，开关管两边的电压变化的时候，准确区分高低电位；对不同电源域之间的开关管的衬底进行有效合理的偏置
一种电源电荷开关衬底动态偏置电路方法

[发明专利]带有闩锁抑制的可调节晶体管衬底偏置发生电路-CN200710084732.3有效
发明人： S·佩里塞地 -专利权人：阿尔特拉公司
申请日： 2007-02-28 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： H03K3/00 文献下载
摘要：本发明提供了带有衬底偏置或体偏置发生电路的集成电路。衬底偏置发生电路产生衬底偏置信号，其施加到衬底偏置路径上的晶体管。衬底偏置发生电路包括有源闩锁抑制电路，当潜在的闩锁状态检测出来时，其箝位衬底偏置路径处于安全电压。衬底偏置电路产生的衬底偏置信号电平是可调的。通过使用p沟道控制晶体管，衬底偏置发生电路调节衬底偏置路径上的衬底偏置电压。隔离晶体管耦合在p沟道控制晶体管和衬底偏置路径之间。在潜在闩锁状态期间，隔离晶体管被断开来隔离衬底偏置路径和地。控制电路调节衬底偏置电压，衬底偏置电压被施加到p沟道控制晶体管和隔离晶体管中的衬底端。
带有抑制调节晶体管衬底偏置发生电路

[发明专利]一种基于激光刻蚀的直立碳纳米管阵列转移方法-CN202010165304.9有效
发明人：邓少芝;张维明;张宇;梁庆安 -专利权人：中山大学
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于激光刻蚀的直立碳纳米管阵列转移方法，所述转移方法包括步骤如下：选择生长衬底，将直立碳纳米管阵列生长在所述的生长衬底上；采用粘结剂作为连接介质，将远离衬底的直立碳纳米管阵列的端部粘贴至目标衬底上；采用激光透过生长衬底直接刻蚀直立碳纳米管阵列与衬底的接触界面，使碳纳米管阵列从生长衬底上脱落，实现直立碳纳米管阵列转移到目标衬底上。本发明所述转移方法操作简单，成本低廉，技术难度小，其采用激光透过生长衬底直接刻蚀直立碳纳米管阵列与生长衬底的接触界面，使得直立碳纳米管阵列从生长衬底上脱离，解决了直立碳纳米管无损转移的问题。
一种基于激光刻蚀直立纳米阵列转移方法

[实用新型]一种多电源域电荷泵的开关管衬底的动态偏置电路-CN202021966882.4有效
发明人：陈光明;胡海军;夏群兵 -专利权人：深圳市爱协生科技有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多电源域电荷泵的开关管衬底的动态偏置电路，包括开关管PM0、开关管PM1、衬底偏置MOS管PM2、衬底偏置MOS管PM3、开关管PM4、衬底偏置MOS管PM5、衬底偏置MOS管PM6、开关管PM7、衬底偏置MOS管PM8、衬底偏置MOS管PM9、开关管PM10、衬底偏置MOS管PM11、衬底偏置MOS管PM12、NMOS管NM0、NMOS管NM1、电容C1、电容C2、比较器CMP0本实用新型提出的多电源域电荷泵的开关管衬底的动态偏置电路，能动态调整开关管的衬底偏置；在时钟不同相位，开关管两边的电压变化的时候，准确区分高低电位；对不同电源域之间的开关管的衬底进行有效合理的偏置。
一种电源电荷开关衬底动态偏置电路

[发明专利]电池保护芯片及其功率开关管-CN202210933652.5在审
发明人：苏丹;杨敏;秦鹏举;孙添平 -专利权人：深圳市爱协生科技股份有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种电池保护芯片及其功率开关管，包括两个以上并联的开关单元，开关单元包括主功率开关管、衬底选择管和衬底，衬底选择管均匀插入主功率开关管两侧，且主功率开关管和衬底选择管设置于衬底之间；主功率开关管的第一端和第二端分别用于连接电池保护芯片的GND端口和VM端口，主功率开关管的控制端用于连接电池保护芯片的驱动电路；衬底选择管的控制端用于连接电池保护芯片的驱动电路，衬底选择管的第一端连接衬底，且位于主功率开关管一侧的衬底选择管的第二端用于连接电池保护芯片的GND端口，位于主功率开关管另一侧的衬底选择管的第二端用作连接电池保护芯片的VM端口。
电池保护芯片及其功率开关

[发明专利]PMOS管衬底选择电路-CN201410325012.1有效
发明人：刘银 -专利权人：刘银
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明属于集成电路技术领域，涉及一种PMOS管衬底选择电路，该电路包括：基准电流源电路、比较器电路和高电压选择电路，其特点是自动选择两个电压源中较高的一个电压提供给PMOS管作为衬底电平，防止PMOS管关闭时在衬底端产生漏电
pmos 衬底选择电路

[实用新型]一种开关电路-CN202222292446.9有效
发明人：杨家奇 -专利权人：杰平方半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：本实用新型提供一种开关电路，开关电路的第一PMOS管的源极和衬底以及第一NMOS管的源极和衬底均连接输入端，第二NMOS管的源极和衬底以及第二PMOS管的源极和衬底均连接输出端。使得开关电路导通时，由于第一PMOS管的衬底和第一NMOS管的衬底均与输入端短接，第二PMOS管的衬底和第二NMOS管的衬底均与输出端短接，促使第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管没有偏置，从而解决了开关电路中PMOS管和NMOS管的衬底偏置效应产生的对阈值电压的影响以及导通电阻增大等问题，还解决了输出端串扰所述输入端造成的漏电风险。
一种开关电路

[发明专利]一种碳纳米管平行阵列的制备方法-CN201910992764.6有效
发明人：梁学磊;刘芳 -专利权人：北京元芯碳基集成电路研究院;北京大学;北京华碳元芯电子科技有限责任公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B81B7/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳纳米管平行阵列的制备方法，该方法通过将第一衬底倒置在第二衬底上方，使得第一衬底的凸起结构朝向第二衬底的沉积平面设置，并在第一衬底与第二衬底之间引入碳纳米管溶液，以使碳纳米管溶液在凸起结构的顶部与第二衬底之间形成毛细桥，此时第一衬底的凸起结构对由碳纳米管溶液形成的毛细桥产生钉扎作用，使得碳纳米管溶液蒸发时在第一衬底和第二衬底上均沉积碳纳米管平行阵列，在碳纳米管溶液完全蒸发后，通过平行沉积平面移动第一衬底并重新引入碳纳米管溶液即可实现大面积制备碳纳米管平行阵列的目的，并且制备的碳纳米管平行阵列的覆盖面积可控，可以实现有效区域的完全覆盖。
一种纳米平行阵列制备方法

[发明专利]电池保护电路、电池保护芯片和电池系统-CN202110994165.5有效
发明人：陈钢;白青刚;杨小华;王蒙 -专利权人：深圳市创芯微微电子有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：该电池保护电路中，衬底切换电路的输入端与充放电保护电路相连，第一输出端通过第一衬底切换开关管与充放电控制开关管的衬底相连，第二输出端通过第二衬底切换开关管与充放电控制开关管的衬底相连；负压检测电路的输入端与电源供电端和接地端相连，输出端与充放电控制开关管、第一衬底切换开关管和第二衬底切换开关管相连，用于进行负压检测，并控制充放电控制开关管、第一衬底切换开关管和第二衬底切换开关管的导通或关断。该电路可避免寄生二极管或者其他元器件过热而烧毁的情况发生，从而保障电池保护电路和/或充电器的使用寿命。
电池保护电路芯片系统

[实用新型]一种模拟开关-CN202222389805.2有效
发明人：杨家奇 -专利权人：杰平方半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：本实用新型提供一种模拟开关，通过第一PMOS管的源极和衬底、第二PMOS管的源极和衬底、第三PMOS管的衬底、第四NMOS管的源极、第五NMOS管的源极和第六PMOS管的漏极连接在第一节点处，使得第一PMOS管、第二PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六PMOS管构成第三PMOS管的偏置电路；第一NMOS管的源极和衬底、第二NMOS管的源极和衬底、第三NMOS管的衬底、第四PMOS管的源极和衬底、第五PMOS管的源极和衬底以及第六NMOS管的漏极连接在第二节点处，使得第一NMOS管、第二NMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管和第六NMOS管构成第三NMOS管的偏置电路，从而解决了输出端串扰输入端造成的漏电风险以及第三PMOS管和第三NMOS管因衬底偏置效应产生的问题。
一种模拟开关

[发明专利]使用反向体偏压操作晶体管的方法和设备-CN200610106894.8无效
发明人：尹恩贞;李成泳;金成玟;朴东健;崔东郁 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-08-09 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明的某些实施例提供用于操作晶体管的方法和设备，该晶体管包括在衬底中和/或衬底上的至少一个完全耗尽的沟道区。该方法包括当导通晶体管时，施加反向体偏压到衬底。该衬底可以是体晶片衬底。该反向体偏压可以允许晶体管导通，同时防止衬底内的寄生晶体管导通。
使用反向偏压操作晶体管方法设备

[实用新型]一种开关电路-CN202222365142.0有效
发明人：杨家奇 -专利权人：杰平方半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：本实用新型提供一种开关电路，开关电路的第一PMOS管的源极和衬底、第二PMOS管的源极和衬底、第四PMOS管的衬底和第三PMOS管的漏极均连接在第一节点处，第一NMOS管的源极和衬底、第二NMOS管的源极和衬底、第四NMOS管的衬底和第三NMOS管的漏极均连接在第二节点处，使得开关电路关闭时第一NMOS管、第二NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和第四PMOS管可以完全关闭，从而解决了输出端串扰输入端造成的漏电风险；在导通时通过第一节点处的电压来确定第四PMOS管的衬底电压，第二节点处的电压来确定第四NMOS管的衬底电压，从而解决第四PMOS管和第四NMOS管因衬底偏置效应产生的问题。
一种开关电路

[发明专利]混合取向技术中静态随机存储器及写入冗余度改善的方法-CN201310491998.5无效
发明人：俞柳江 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种混合取向技术中的静态随机存储器，包括：硅基衬底，并在所述硅基衬底上形成（100）衬底晶向<110>沟道取向之第一衬底和（110）衬底晶向<110>沟道取向之第二衬底；浅沟槽隔离，间隔设置在所述硅基衬底内；NMOS器件，设置在所述硅基衬底之第一衬底上；PMOS器件，设置在所述硅基衬底之第二衬底上；上拉晶体管，为PMOS晶体管，并设置在所述硅基衬底之第一衬底上。本发明通过对所述NMOS器件采用（100）衬底晶向<110>沟道取向之第一衬底，对所述PMOS器件采用（110）衬底晶向<110>沟道取向之第二衬底，对所述上拉晶体管采用（100）衬底晶向<110>沟道取向之第一衬底，降低所述上拉晶体管的载流子迁移率，增大所述上拉晶体管的等效电阻，进而提高所述静态随机存储器之写入冗余度。
混合取向技术静态随机存储器写入冗余改善方法

[发明专利]形成具有竖直集电极触点的双极晶体管的方法-CN202180057786.9在审
发明人：米格尔·乌特亚加;安迪·卡特 -专利权人：特励达科学与成像有限责任公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种形成具有竖直集电极触点的双极晶体管的方法，需要提供晶体管，该晶体管包括在第一衬底上的多个外延半导体层，并提供主体衬底。金属集电极触点被图案化在主体衬底的顶部表面上，并且多个外延半导体层从第一衬底转移到主体衬底上的金属集电极触点。第一衬底适于用于多个外延半导体层的生长衬底。主体衬底优选具有比第一衬底更高的导热性，这改善了晶体管的散热特性，并允许其在更高的功率密度下工作。可以将多个晶体管转移到公共主体衬底上以形成多指晶体管。
形成具有竖直集电极触点双极晶体管方法

[发明专利]具有改进的ESD保护的半导体器件-CN200880112711.0无效
发明人：让-马克·延努;约翰内斯·范兹瓦尔;埃马纽埃尔·萨万 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2008-10-22 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，包括具有小于100微米的厚度以及具有第一衬底侧和相对的第二衬底侧的半导体衬底(102)。在半导体衬底中限定具有小于20V的反向击穿电压的至少四个的多个单片集成齐纳二极管或雪崩二极管(164，166，168，170)，并且该二极管彼此串联连接。在半导体衬底中的多个相互隔离的衬底岛(120，122，124，126)中限定这些二极管，每一个衬底岛至少一个二极管。衬底岛由穿透衬底的隔离横向围绕，该穿透衬底的隔离从第一衬底侧延伸到第二衬底侧，并且包括将相应的衬底岛与半导体衬底的相应的横向围绕区域电隔离的填充物(128)。
具有改进 esd 保护半导体器件

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