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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]动态随机存取存储器的电容器的制造方法-CN98105559.1无效
发明人：洪允锭;陈立哲 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 1998-03-13 - 公布日： 2003-04-16 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：存储器电容器的制造方法在衬底上形成第一氧化层、氮化硅层、第二氧化层与第一多晶硅层；形成光刻胶层限定电容器外框；蚀刻第一多晶硅层与第二氧化层至氮化硅层；去光刻胶层；硅衬底上方淀积第三氧化层并蚀刻至氮化硅层；蚀刻第一氧化层露出硅衬底并在其上方形成第二多晶硅层及第四氧化层；用化学机械法研磨第四氧化层、第二多晶硅层及第一多晶硅层；去除第一多晶硅层；湿蚀刻去剩余的第四氧化层与第二化层至氮化硅层；硅衬底上方形成绝缘层；其上形成第三多晶硅层。
动态随机存取存储器电容器制造方法

[发明专利]一种场氧化隔离制造方法-CN200910032419.4无效
发明人：罗泽煌;郭立 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-06-13 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导体制造方法，特别是关于埋入式场氧化隔离工艺的制作方法，其包括如下步骤：提供一硅衬底，在硅衬底上形成一层氧化层，然后在氧化层上形成一层氮化硅层；通过掩模光刻以及腐蚀在预定区域对氧化层及氮化硅层进行蚀刻，以形成开口，露出硅衬底；在开口的硅衬底上形成一层热氧化层，然后蚀刻掉该热氧化层，在硅衬底表面形成浅槽；在整个硅片表面生长一层氮化硅膜，蚀刻该氮化硅膜，在浅槽的内壁形成氮化硅侧墙；然后在浅槽内生长场氧化层根据本发明的方法，在浅槽的内壁形成有氮化硅侧壁，在生长场氧化层时可以调整氮化硅的厚度来控制鸟嘴的厚度，修正鸟嘴的形貌。
一种氧化隔离制造方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN201010240109.4有效
发明人：刘佳;骆志炯;王鹤飞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-07-28 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：其中该制作方法包括下列步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成鳍片；向所述半导体衬底的表面和鳍片顶部注入氟离子；在所述半导体衬底的表面和鳍片表面形成氧化层，鳍片两侧的半导体衬底上以及鳍片顶部的氧化层的厚度远大于鳍片两侧的氧化层的厚度；刻蚀去除鳍片两侧的氧化层。本发明能将鳍片两侧的氧化硅层去除干净，提高了晶体管的电性能。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]分栅闪存单元及其形成方法-CN201110335656.5有效
发明人：高超 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种分栅闪存单元及其形成方法，所述分栅闪存单元包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的源线多晶硅层；位于与源线多晶硅层正对的半导体衬底内的源极；依次位于源线多晶硅层两侧的半导体衬底表面的耦合氧化层、浮栅；电隔离所述源线多晶硅层与耦合氧化层、浮栅的侧墙介质层；位于所述浮栅远离所述源线多晶硅层的侧壁的耦合氧化层；位于所述耦合氧化层远离源线多晶硅层的一侧的半导体衬底表面的外延层；位于所述外延层表面和侧墙介质层远离源线多晶硅层的侧壁的隧穿氧化层；位于所述隧穿氧化层表面的字线多晶硅层；位于字线多晶硅层远离浮栅一侧的外延层和半导体衬底内的漏极。
闪存单元及其形成方法

[发明专利]一种半导体器件的制作方法-CN202310042318.5有效
发明人：汪华;杨宗凯;程洋 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：所述制作方法至少包括：提供一衬底；在所述衬底上形成氧化层；在所述衬底内形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构与所述氧化层之间形成台阶；对所述氧化层和所述浅沟槽隔离结构进行疏水性处理；在所述衬底上形成光刻胶层，所述光刻胶层暴露部分所述氧化层；干法刻蚀部分所述氧化层；湿法刻蚀所述氧化层至所述衬底；在所述氧化层上形成栅极结构；在所述栅极结构一侧形成第一掺杂区；以及在所述栅极结构另一侧形成第二掺杂区，且所述第二掺杂区形成在所述栅极结构和所述浅沟槽隔离结构合围的所述衬底内
一种半导体器件制作方法

[发明专利]肖特基二极管制备方法及肖特基二极管-CN202310286583.8在审
发明人：吕元杰;王元刚;刘宏宇;秦哲;李保弟;孙保瑞;周国;卜爱民;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：该方法包括：利用高温热氧化工艺对目标N+型氧化镓衬底进行氧化处理，得到形成在目标N+型氧化镓衬底上表面的第一N‑型氧化镓漂移层，以及在目标N+型氧化镓衬底下表面的第二N‑型氧化镓漂移层；在第一N‑型氧化镓漂移层的上表面和第二N‑型氧化镓漂移层的下表面制备阳极电极；对目标N+型氧化镓衬底进行裁切，得到第一N+型氧化镓衬底和第二N+型氧化镓衬底；在第一N+氧化镓层导致的二极管器件性能差、成品率低和生产成本高等问题。
肖特基二极管制备方法

[发明专利]制造高电阻率半导体衬底的工艺-CN201710375239.0在审
发明人： C·马拉坎;L·埃卡尔诺;D·帕里西 -专利权人： SOITEC公司
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及制造高电阻率半导体衬底的工艺，所述工艺包括以下步骤提供具有在深度内的弱化层(102)的第一衬底(101)；提供在表面具有氧化物层(104)的第二衬底(103)；将所述第一衬底(101)附接至所述第二衬底(103)以形成包括隐埋氧化物层(104)的复合衬底(105)；以及在所述弱化层(102)的水平劈裂所述复合衬底(105)。在弱化层(102)的水平的劈裂步骤之前，所述工艺还包括对具有氧化层(104)的第二衬底(103)的至少一个稳定化步骤，特别是稳定化热处理。
制造电阻率半导体衬底工艺

[发明专利]用于后照式图像传感器的激光退火方法-CN202210022068.4在审
发明人：宗立超;王星杰;顾培楼 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种用于后照式图像传感器的激光退火方法，提供衬底，对衬底的背面减薄，再对衬底进行湿洗；在衬底的正面形成第一二氧化硅层；对衬底进行掺杂，在衬底的顶端生成掺杂层；采用高能激光对衬底进行退火，使得第一二氧化硅层转化为硅层本发明对衬底进行激光退火前淀积有二氧化硅层，减少砷离子注入过程中的隧道效应；在激光退火过程中保护硅，防止衬底局部区域在激光退火产生的高温下熔融；二氧化硅有激光增透的作用，退火效果更好；二氧化硅将与炭反应并在增强的激光退火中转变为纯硅
用于后照式图像传感器激光退火方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法-CN201210556439.3在审
发明人：王硕;许忠义 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成若干隔离沟槽；在750℃~900℃温度条件下，通过热氧化工艺在所述隔离沟槽的底部和侧壁以及隔离沟槽两侧的半导体衬底上形成衬垫氧化层；在所述衬垫氧化层上形成氧化层，所述氧化层填满底部和侧壁形成有衬垫氧化层的隔离沟槽；平坦化所述氧化层和衬垫氧化层，至暴露出所述半导体衬底，形成浅沟槽隔离结构。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置-CN201610457929.6有效
发明人：陈德艳;郑大燮 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：该方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底的表面上形成阻挡层；在预定形成局部场氧化层区域所对应的阻挡层中形成第一开口和第二开口，第一开口和第二开口暴露半导体衬底的表面；进行氧化工艺，以在第一开口中的半导体衬底内形成第一场氧化层，在第二开口中的半导体衬底内形成第二场氧化层，在第一开口和第二开口之间、阻挡层下方的半导体衬底内形成第三场氧化层，其中，第三场氧化层的厚度小于第一场氧化层和第二场氧化层的厚度；去除阻挡层。根据本发明的方法，形成的场氧化层其中间区域厚度较薄，提高了通态电流，减小了导通电阻，并使器件的击穿电压保持不变甚至更高。
一种半导体器件及其制造方法电子装置

[发明专利]重掺杂P型衬底背封工艺方法-CN201310382900.2有效
发明人：白晓娜;王根毅 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-08-28 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种重掺杂P型衬底背封工艺方法，包括以下步骤提供重掺杂P型衬底，重掺杂P型衬底包括层叠的重掺杂P型基片和N型外延层；在重掺杂P型衬底的外面形成氧化层，氧化层包覆重掺杂P型衬底；在氧化层的外面形成多晶硅层，多晶硅层包覆氧化层；去除N型外延层远离重掺杂P型基片的一侧的多晶硅；去除N型外延层远离重掺杂P型基片的一侧的氧化物。上述重掺杂P型衬底背封工艺方法，重掺杂P型基片远离N型外延层的一侧的表面、重掺杂P型基片的侧面以及N型外延层的侧面都被层叠的氧化物和多晶硅覆盖。层叠的氧化物和多晶硅作为保护层，能够有效防止重掺杂P型基片中的P型杂质扩散到N型外延层。
掺杂衬底工艺方法

[发明专利]一种蚀刻栅极介电层的方法-CN201310597012.2在审
发明人：刘佳磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻栅极介电层的方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上沉积氧化物层；执行去耦极等离子体氮化工艺，在氧化物层中掺杂氮以形成氮氧化物层；在半导体衬底上形成图案化的光刻胶层，露出部分氮氧化物层；以图案化的光刻胶层为掩膜，蚀刻去除露出的氮氧化物层；采用臭氧水或者SC1溶液处理露出的半导体衬底的表面；采用湿法清洗去除光刻胶层，其中，光刻胶层下方的氮氧化物层构成栅极介电层。根据本发明，可以在半导体衬底的实现不同功能的器件区域形成具有不同厚度的栅极介电层，且所述形成过程不会对栅极介电层造成损伤。
一种蚀刻栅极介电层方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210404050.0在审
发明人：徐屹东;张超;许乐;陈林;付文 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域、第二区域以及第三区域；形成第一栅氧化层，所述第一栅氧化层覆盖所述半导体衬底的表面；去除所述第二区域表面的第一栅氧化层，或者去除所述第二区域以及第三区域表面的第一栅氧化层；形成第二栅氧化层，所述第二栅氧化层覆盖所述半导体衬底；去除所述第三区域表面的栅氧化层；形成第三栅氧化层，所述第三栅氧化层覆盖所述半导体衬底；其中，所述第二区域表面的栅氧化层的厚度以及所述第三区域表面的栅氧化层的厚度均小于所述第一区域表面的栅氧化层的厚度本发明可以在不增加晶体管面积的情况下改变部分晶体管的栅氧化层的厚度，提高晶体管的品质。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202310253007.3在审
发明人：刘晨子 -专利权人：上海鼎泰匠芯科技有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体结构的制备方法包括：提供初始半导体结构，初始半导体结构包括衬底、栅极结构、第一氧化层和介质层；其中，栅极结构位于衬底之上；第一氧化层位于栅极结构的侧壁之上、以及栅极结构边缘的衬底之上；介质层覆盖第一氧化层的表面；于衬底暴露出的表面以及栅极结构的顶部生长第二氧化层；于介质层的表面以及初始第二氧化层的表面形成第三氧化层；至少刻蚀第三氧化层，以形成侧墙结构，侧墙结构包括位于栅极结构边缘的第二氧化层、第一氧化层、介质层以及第三氧化层
半导体结构制备方法

[发明专利]场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管-CN201610094697.2有效
发明人：马万里 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-02-19 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管，其中，制备方法包括：在衬底上依次形成氧化层和图形化的氮化硅层；对衬底进行热氧化处理；依次对图形化的氮化硅层和场氧化层进行刻蚀至暴露出衬底的指定区域为止；在指定区域上形成栅氧化层；形成图形化的掩膜复合层；在形成掩膜复合层的衬底上形成第一离子掺杂区；在形成第一离子掺杂区的衬底上形成氮化硅介质层，并依次进行氧化硅层的淀积处理和刻蚀处理；在形成侧墙结构的衬底上，形成第二离子掺杂区；在形成第二离子掺杂区后，刻蚀氮化硅介质层和栅氧化层；在暴露出第二离子掺杂区的衬底上形成金属电极。
场效应晶体管制备方法

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