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[实用新型]一种流水线机器人固定座-CN202020204752.0有效
发明人：周坤霖;顾子明 -专利权人：江苏工程职业技术学院
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： F16M11/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种流水线机器人固定座，包括底座，固定装置和连接装置，固定装置包括固定柱、连接杆和液压缸，连接装置包括限位柱、盖板和限位板，底座呈立体箱状，底座的上表面开设有工作腔，工作腔的内底壁中心固定连接有限位柱，限位柱的上表面与底座的上表面对齐。该流水线机器人固定座，通过设置在底座的表面开设工作腔，通过工作腔内由液压缸控制的固定柱固定底座和地面，通过底座表面固定连接的盖板与机械脚表面的限位板固定连接，从而将流水线机器人固定，当机器人需要迁移时，通过收缩固定柱，利用底座下表面的万向轮辅助机器人进行迁移，从而具有便于固定流水线机器人的同时辅助流水线机器人进行迁移的特点。
一种流水线机器人固定

[发明专利]栅漏电模型的优化方法及基于其的高电子迁移率器件模型-CN202010075961.4在审
发明人：王盛凯;郭子晗 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅漏电模型的优化方法及基于其的高电子迁移率器件模型，其中，该优化方法包括：基于表面势计算，建立高电子迁移率器件模型；建立栅电流模块；结合高电子迁移率器件模型的内部模块对栅电流模块进行分段近似和拟合；以及，在栅漏电模型中加入变温反馈模块，并与所述高电子迁移率器件模型相对接。本发明提供的该栅漏电模型的优化方法及基于其的高电子迁移率器件模型，实现了对不同栅漏电机制的数学整合，能够在兼顾物理意义和准确性的前提下对器件栅漏电机制进行有效的拟合；同时其变温函数的引入也使得模型对变温的预测性更加准确
漏电模型优化方法基于电子迁移率器件

[发明专利]一种间充质干细胞及其制备方法-CN202210544372.5在审
发明人：梅景顺;刘超;郑兵;曹玉福;荣大千 -专利权人：山东灵犀生物科技有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C12N5/10 文献下载
摘要：一种间充质干细胞及其制备方法，属于间充质干细胞迁移能力提升方法技术领域。现有技术中，移植后的MSCs真正有效迁移至损伤或肿瘤部位的数量极少，从而严重影响了受损部位及肿瘤的修复效果，成为MSCs临床移植中的最大瓶颈。本发明的间充质干细胞来源于正常脂肪组织，体外培养操作流程规范，获得的间充质干细胞形态均一，且符合细胞表面流式鉴定。对上述获取的间充质干细胞通过转染miR‑210，促进了c‑Met高表达，使MSCs在体外向HGF诱导的迁移能力更强，体内向骨组织损伤部位迁移效果更佳，由此，得到了一种具备高迁移能力的间充质干细胞。
一种间充质干细胞及其制备方法

[实用新型]充气式恒温迁移仪-CN201520399314.3有效
发明人：孙卓军;宋晓云;高建国;高见;高君;于洪观;孙静 -专利权人：孙卓军;高建国
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： G01N33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了充气式恒温迁移仪，包括恒温水浴锅和设于其内部的迁移罐，恒温水浴锅包括设于外部水浴箱，水浴箱内设有若干个与迁移罐相适配的水槽，水浴箱外表面设有温度调节旋钮、充气量调节旋钮和电源开关，水浴箱上还设有若干个进气管；迁移罐包括罐体和设于罐体上的罐盖，罐盖包括顶盖、中空管和带孔薄片，顶盖与带孔薄片通过该中空管连通。本实用新型的目的在于提供一种新型的食品接触塑料中有害物质迁移实验仪器，该仪器可使待测样品保持恒温并使其与食品模拟液充分接触，从而提高检测结果的准确性。
充气式恒温迁移

[发明专利]一种石英管内表面的内部杂质迁移方法-CN202310659422.9在审
发明人：陈富伦;徐卫良;尹黎明;刘守科;袁春爱;陈松;厉广强 -专利权人：江苏太平洋石英股份有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C03C23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种石英管内表面的内部杂质迁移方法，包括：对石英管的内壁进行表面处理；将石英管固定于夹持装置，将内置喷灯伸入石英管一端的内部；开启所述夹持装置，对石英管进行径向旋转；将所述内置喷灯点火，沿石英管轴向方向移动到石英管的另一端，对石英管内部进行第一次加热，使石英管内壁的杂质进行第一次迁移，静置冷却；对石英管内部进行第二次加热，使石英管内壁的杂质进行第二次迁移，静置冷却。本发明通过二次加热，对内部杂质进行远离石英管内壁的迁移，使杂质存留在安全位置，避免在使用石英管时对产品进行杂质的污染。
一种石英管表面内部杂质迁移方法

[发明专利]Lombardi模型修正方法、装置、TCAD仿真方法及系统、介质及设备-CN202210765166.7在审
发明人：李舒啸;代方 -专利权人：本源科仪（成都）科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：该方法包括：获取极低温实测下器件的开启曲线的实测开启斜率；在TCAD仿真系统中修改Lombardi模型中描述声子散射迁移率的算式参数和描述表面粗糙度迁移率的算式参数；获取器件在极低温下的开启曲线的仿真开启斜率；判断仿真开启斜率与实测开启斜率是否一致；如果是，基于仿真开启斜率对应的算式参数，获取修正后的Lombardi模型；如果否，返回在TCAD仿真系统中修改Lombardi模型中描述声子散射迁移率的算式参数和描述表面粗糙度迁移率的算式参数的步骤
lombardi 模型修正方法装置 tcad 仿真系统介质设备

[发明专利]一种具有四元势垒层的高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202310878512.7在审
发明人：白俊春;涂亮亮;汪福进;平加峰 -专利权人：江西万年晶半导体有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有四元势垒层的高电子迁移率晶体管及其制作方法，所述高电子迁移率晶体管包括衬底层、缓冲层、GaN沟道层、AlInGaN势垒层、SiN层、介质层、栅极、源极和漏极；本发明的具有极化匹配四元势垒层的增强型绝缘栅高电子迁移率晶体管采用AlInGaN势垒层材料，在外延生长过程中采用In作为表面活性剂，能够有效的增加Al原子在生长表面的迁移率，使得Al组分空间分布均匀，不存在由于局部应力过大而导致的弛豫现象，进而获得高晶体质量的高Al组分
一种具有四元势垒层电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]一种具有防覆冰功能的材料及其制备方法和用途-CN201010174289.0有效
发明人：关丽;张晖;杨延莲;王琛;张忠;陈运法 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2010-05-11 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：在该材料中，当加入的烷烃在温度接近其相变温度时与材料体相发生相分离，并从材料体相中迁移至表面，所形成的烷烃分子薄膜使材料减少和避免了由于冰覆而影响了其使用性能和使用寿命。同时，由于烷烃分子在聚合物材料中的迁移的可逆性，在外界自然温度回升时，裸露在材料表面的固态烷烃薄膜再次发生相变，向体相中迁移，并能全部迁移回到本体材料之中，从而能够减少烷烃的损耗并延长本发明的防覆冰材料的使用寿命
一种具有防覆冰功能材料及其制备方法用途

[发明专利]半导体装置-CN201880003079.X有效
发明人：内藤达也 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，具备：半导体基板，其具有第一导电型的漂移区；第二导电型的基区，其在半导体基板的内部设置于漂移区的上方；蓄积区，其在半导体基板的内部设置在漂移区与基区的下表面之间，且该蓄积区的第二导电型的载流子的迁移率比漂移区和基区的第二导电型的载流子的迁移率小；栅极沟槽部，其从半导体基板的上表面形成到半导体基板的内部，与基区接触；以及载流子通过区，其在半导体基板的内部设置在蓄积区与栅极沟槽部之间的至少一部分区域，且该载流子通过区的第二导电型的载流子的迁移率比蓄积区的第二导电型的载流子的迁移率大
半导体装置

[实用新型]一种用于离子迁移谱的气体净化管和尾气吸收处理装置-CN201821893091.6有效
发明人：王新;李海洋;渠团帅;王伟民 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： B01D53/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于离子迁移谱的气体净化管和尾气吸收处理装置，气体净化管为圆筒状的中空金属管；所述中空金属管内沿轴线的方向固定有实心金属棒；所述金属棒表面有环形凹槽；所述环形凹槽缠绕有气体传输管路；所述气体传输管路表面有通孔；所述中空金属管内填充有有机物吸附剂；尾气吸收处理装置外部由上、下两层结构密闭组成，上层结构包括气体净化管，下层结构包括立方体腔室和用于将气体排出处理装置的抽气泵组件。本尾气吸收处理装置可为离子迁移谱仪尾吹气源做净化处理，整个装置在多台离子迁移谱仪同时使用条件下密封且不会给离子迁移谱仪产生出气口阻力。
处理装置气体净化尾气吸收离子迁移谱仪中空金属管气体传输管路离子迁移谱环形凹槽本实用新型抽气泵组件实心金属棒净化处理立方体腔两层结构上层结构下层结构出气口金属棒尾吹气吸附剂下密封有机物圆筒状密闭排出通孔填充缠绕外部

[发明专利]互连中铜表面处理的方法-CN201210414645.0在审
发明人：平延磊;鲍宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种互连中铜表面处理的方法，循环的执行通过选择性铝沉积在铜互连线表面形成铝盖层和在还原性气体氛围下使用等离子束处理铝盖层两个步骤，将铝原子逐步溶入铜互连线表面以在铜互连线表面形成铜铝合金盖层，由于铜铝合金盖层的迁移率小于铝盖层，因此在防止铜原子扩散的同时也抑制了互连线电迁移导致的半导体器件失效问题。
互连表面处理方法

[发明专利]一种防止钢坯连铸水口堵塞的方法-CN201510110081.5有效
发明人：于景坤;戴文斌 -专利权人：东北大学
申请日： 2015-03-12 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： B22D41/52 文献下载
摘要：该方法包括利用导电材料将水口外表面与大地或电位为零的部位连接，使水口内表面的电位为零，减少或消除钢中夹杂物向水口内表面的迁移和粘附，防止水口堵塞。本发明从夹杂物向水口内表面迁移和粘附的机理出发，从根本上解决了连铸水口的堵塞问题，而且实施过程简单方便。
一种防止钢坯水口堵塞方法

[发明专利]表面处理的膜和/或层压片-CN201080033123.5无效
发明人： M·K·施;D·L·郝谷因;K·李;P·玛利亚;R·L·赛德特 -专利权人：艾利丹尼森公司
申请日： 2010-05-20 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： C08J7/06 文献下载
摘要：公开了保护性的塑料膜和/或层压片的表面处理。合适地，该表面处理包括用可固化涂层制剂涂布塑料膜或层压片的主表面，其中涂层成分的一种或多种至少部分地扩散或迁移入塑料膜或塑料层压片。涂层成分的迁移产生了从塑料膜至涂层的逐步过渡层并导致独特的性质。任选地，表面处理的塑料膜被层压至涂布有压敏粘合剂(PSA)的剥离衬垫，以形成上述层压片。
表面处理压片

[发明专利]氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202010493731.X有效
发明人：闫发旺;王庆宇;赵倍吉 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法，其中所述制备方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底表面设置有堆叠结构，所述堆叠结构包括沟道层和势垒层；在所述堆叠结构的上表面形成导流装置，所述导流装置用于扩展所述氮化镓基高电子迁移率场效应管的沟道电场区域；在所述堆叠结构的上表面形成所述栅极、源极和漏极，且所述栅极的侧壁与所述导流装置接触。
氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]正负离子快速切换离子迁移谱测定爆炸物和毒品的方法-CN201811387774.9在审
发明人：王卫国;渠团帅;李京华;李东明;李海洋 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：正负离子快速切换离子迁移谱测定爆炸物和毒品的方法，包括以下步骤：1)、分别配置已知爆炸物和毒品的标准样品溶液；2)、标准样品约化迁移率数据库的建立；实际样品的测试：利用采样片擦拭待测目标表面取样或者通过含待测目标溶液滴加在采样片上的方式采样，按照步骤2)的流程，单次进样分别获取正离子模式和负离子模式下的谱图或约化迁移率，并与步骤2)中获取的已知爆炸物和毒品的谱图或约化迁移率进行一一比对。
正负离子快速切换迁移测定爆炸物毒品方法

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