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[发明专利]离子迁移管气路接口自适应结构-CN202310584008.6在审
发明人：徐美良;薛斌;魏慧;王海;张丙和 -专利权人：北京方鸿智能科技有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： F16L41/03 文献下载
摘要：本发明提供离子迁移管气路接口自适应结构，其特征在于包括气路块、迁移管组件、移动板、密封件A、密封件B、迁移管减振垫、迁移管气路接口以及螺钉，所述迁移管组件底部设置多个迁移管气路接口，所述气路块表面分别设置安装槽A、安装槽B以及安装槽C，所述迁移管组件一端的迁移管气路接口通过迁移管减震垫以及螺钉与安装槽A固定连接，所述迁移管组件底部另一端的迁移管气路接口通过密封件A以及螺钉与安装槽A连接；本发明消除了因迁移管制造误差导致的各气路接口间距不同而带来的无法安装的问题
离子迁移管气路接口自适应结构

[发明专利]一种细胞迁移监测及抑制细胞迁移药物筛选的电化学分析方法-CN202310437008.3在审
发明人：张东东;张彦民;冉纤;陈嘉涛 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种细胞迁移监测及抑制细胞迁移药物筛选的电化学分析方法，通过细胞在金微叉指电极阵列表面孵育，然后分别采用不同电化学方法形成细胞伤痕并监测细胞迁移，最后根据细胞迁移监测曲线计算细胞迁移速率，评估细胞迁移能力该方法能评估细胞的迁移能力，考察药物对细胞迁移的影响，可作为潜在抗肿瘤转移药物筛选的工具；本发明的细胞迁移监测方法科学客观，便于操作、成本低、耗时短，易于实现自动化，因此，本发明的方法在快速监测细胞迁移以及筛选抑制细胞迁移相关药物领域具有较高的使用价值和推广价值
一种细胞迁移监测抑制药物筛选电化学分析方法

[发明专利]光盘装置-CN02140797.5无效
发明人：武田直人 -专利权人：提阿克株式会社
申请日： 2002-07-25 - 公布日： 2003-04-09 - 主分类号： G11B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种装置，能够抑制DVD－RAM在由纹间表面向纹道，或纹道向纹间表面迁移时的记录与播放品质下降。其手段为光盘装置的偏差控制部(30)，在纹间表面的记录与播放时设定纹间表面用焦点偏差，在纹道的记录与播放时设定纹道用焦点偏差。在由纹间表面向纹道迁移时，或由纹道向纹间表面迁移时，使RF信号处理部(22)的均衡器的升压量短时性的增大，或将照射激光的记录功率短时性的增大。由此，能够补偿迁移时焦点起动器的反应延迟，抑制品质下降。
光盘装置

[实用新型]一种坡地土壤淋溶模拟装置-CN201420071084.3有效
发明人：杜鹏;梁恒;刘宁;沈晓芳;赵友恒;祁振 -专利权人：山东省环科院环境工程有限公司
申请日： 2014-02-19 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： G01N13/00 文献下载
摘要：一种坡地土壤淋溶模拟装置，包括土壤填充槽、支架、布水管路和三个集水槽；土壤填充槽安装在支架上；整个土壤填充槽的上敞口面呈前高后低的倾斜状态，前侧立面高于后侧立面；土壤填充槽的槽底面设有垂向迁移出水孔，后侧立面上设有坡向迁移出水孔，土壤填充槽的槽底面和后侧立面均铺设有一层淋溶液滤膜；土壤填充槽的下部设有垂直迁移集水槽；土壤填充槽的后侧立面的上端设有表面迁移集水槽，下端设有坡向迁移集水槽；布水管路固定在前侧立面上并位于土壤填充槽的上部该装置可以同时采集土壤表面迁移、坡向迁移和垂直迁移的淋溶液，提高了研究的准确性和全面性。
一种坡地土壤模拟装置

[实用新型]一种食品接触材料测试装置-CN201820425832.1有效
发明人：秦协 -专利权人：佛山索泰检测技术服务有限公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： G01N5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种食品接触材料测试装置，包括底板，所述底板的上表面的左侧固定连接有支杆，所述支杆的上端固定连接有迁移筒，所述迁移筒的下端固定连接有漏斗，所述迁移筒的外侧固定连接有电热筒，所述迁移筒的内壁的底端固定连接有托网，所述外部电源分别电连接电热筒、电热板和电子秤，本实用新型通过在迁移筒的外侧固定连接有电热筒，电热筒电连接外部电源，实现了快速加热食品模拟溶液与食品接触材料，保证了加快迁移的功能，通过在迁移筒的内壁的底端固定连接有托网，托网的上表面贴合有过滤膜，实现了过滤掉食品模拟溶液中的杂质，保证了食品模拟溶液的纯度的功能。
迁移电热筒食品接触材料模拟溶液托网底板本实用新型测试装置外部电源电连接上表面底端内壁支杆快速加热上端固定电热板电子秤过滤膜贴合下端漏斗过滤保证

[发明专利]一种金属表面缺陷检测方法及装置-CN202180023654.4在审
发明人：熊长炜;舒雨锋;曹会元;虞晓琼;刘沅;吕伟涵;莫天旭 -专利权人：东莞职业技术学院
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种金属表面缺陷检测方法，包括：采集金属的表面缺陷图像得到金属表面缺陷数据集；利用所述金属表面缺陷数据集构建第一检测模型；利用ImageNet数据集训练Resnet网络；将训练后的Resnet网络迁移至所述第一检测模型中，得到第二检测模型，其中，所述第二检测模型为基于深度迁移学习的金属表面缺陷的检测模型；利用所述第二检测模型对金属表面进行检测。本申请还涉及一种金属表面缺陷检测装置。本申请将基于ImageNet下训练的ResNet网络迁移至本发明所构建的金属表面缺陷检测模型，通过迁移学习，该金属表面缺陷检测模型获得了更强大的特征表达能力。
一种金属表面缺陷检测方法装置

[发明专利]离子迁移谱仪-CN201610627663.5有效
发明人：吴振宇;赵泽博;李超;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-08-03 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本发明涉及离子迁移检测领域，特别涉及一种离子迁移谱仪。离子迁移谱仪，包括硅底板，所述硅底板上表面依次设有离子源、迁移管、检测电极和气流驱动器，硅底板上面设有盖体，将离子源、迁移管、检测电极和气流驱动器均封装在盖体内部，其中离子源的出口与迁移管入口相连，迁移管出口处依次设有检测电极和气流驱动器本发明所述离子迁移谱仪，利用电压控制介质阻挡放电电路的动作，进而控制迁移管内的气体流速，从而精确地获得离子的注入量，从而提高离子迁移谱仪的分辨率，利用本发明可以将离子迁移谱仪分别率提高至90左右。
离子迁移

[发明专利]具有带电材料输送腔室的离子迁移谱装置-CN202111240552.6在审
发明人： B·阿塔曼丘卡;V·邦达连科;V·瑟奇耶夫;H·扎列斯基;D·莱文;M·品尼尔斯基;I·库贝利克;Q·卞;S·费尔德贝格;D·J·格林;B·博索;A·J·帕特尔 -专利权人：蒙特利尔史密斯安检仪公司
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G01N27/622 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子检测组件，该离子检测组件包括迁移腔室、入口组件以及收集组件。所述迁移腔室由大致绝缘材料和/或半导体材料形成。图案化电阻轨迹设置在所述迁移腔室的内表面或外表面中的一者或者多者上。所述入口组件和所述收集组件与所述迁移腔室流体连通。所述入口组件包括用于接收样品的入口、用于使所述样品电离的反应区以及用于控制电离的样品进入所述迁移腔室的门。所述收集组件包括用于在电离的样品穿过所述迁移腔室后收集所述电离的样品。
具有带电材料输送离子迁移装置

[发明专利]具有带电材料输送腔室的离子迁移谱装置-CN201480028334.8在审
发明人： B·阿塔曼丘卡;V·邦达连科;V·瑟奇耶夫;H·扎列斯基;D·莱文;M·品尼尔斯基;I·库贝利克;Q·卞;S·费尔德贝格;D·J·格林;B·博索;A·J·帕特尔 -专利权人：蒙特利尔史密斯安检仪公司
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子检测组件，该离子检测组件包括迁移腔室、入口组件以及收集组件。所述迁移腔室由大致绝缘材料和/或半导体材料形成。图案化电阻轨迹设置在所述迁移腔室的内表面或外表面中的一者或者多者上。所述入口组件和所述收集组件与所述迁移腔室流体连通。所述入口组件包括用于接收样品的入口、用于使所述样品电离的反应区以及用于控制电离的样品进入所述迁移腔室的门。所述收集组件包括用于在电离的样品穿过所述迁移腔室后收集所述电离的样品。
具有带电材料输送离子迁移装置

[发明专利]一种基于迁移学习的注塑制品表面图像缺陷识别方法-CN201910199589.5有效
发明人：伊国栋;李琎 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于迁移学习的注塑制品表面图像缺陷识别方法。非注塑制品表面缺陷图像作为源域数据集，注塑制品表面缺陷图像作为目标域数据集，对源域数据集进行缺陷类别标注，对所有图像进行域信息标注，建立CNN模型，将两个数据集输入CNN模型中进行训练，CNN模型通过若干卷积层提取得到样本的第一特征图再通过全连接层输出预测缺陷分类结果；建立迁移学习模型，构造迁移损失函数，根据迁移损失函数将源域数据集作为知识迁移到CNN模型，优化迭代得到目标CNN模型；采集带有表面缺陷的注塑制品图像，将注塑制品图像输入到目标CNN模型中进行测试得到预测缺陷分类结果本发明识别的准确率高，解决了注塑制品表面缺陷识别的样本缺乏问题。
一种基于迁移学习注塑制品表面图像缺陷识别方法

[发明专利]一种光热定向操控液滴迁移聚合装置及其使用方法-CN201811167396.3有效
发明人：陈蓉;李浩楠;朱恂;廖强;叶丁丁;张彪;何雪丰;朱贤青 -专利权人：重庆大学
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种光热定向操控液滴迁移聚合装置及其使用方法，包括基板，所述基板的中部凹陷形成液池，所述液池内盛有驱动液体，所述液池上方设有光加热器，所述光加热器用于对驱动液体偏心加热并形成蒸气，在基板上环绕液池设置有至少两个迁移平台，所述基板内部设有与迁移平台一一对应的供蒸气流动的气流通道，用于将液池内产生的蒸气送至迁移平台，所述气流通道的直径大小能够供液滴在表面张力作用下停留在气流通道出口上，所述迁移平台以气流通道出口为中心由内至外依次设有超疏水表面和亲水表面采用本技术方案能够精准的操控小液滴的迁移，稳定性高，且结构紧凑，集成度高，反应迅速。
一种光热定向操控迁移聚合装置及其使用方法

[发明专利]印刷用层压体以及使用该层压体的印刷方法和印刷品-CN200710104910.4无效
发明人：汤川重男;田中雅宣 -专利权人：纪和化学工业株式会社
申请日： 2003-05-12 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： B41M5/42 文献下载
摘要：一种通过加热使升华性的染色剂渗透至树脂层内部而使该树脂层着色的印刷用层压体，该层压体从表面开始顺次含有表面树脂层A(1)和可防止染料迁移的着色性树脂层B(12)，该表面树脂层A(1)与前述升华性染色剂亲和性较弱、且允许前述染色剂从中通过，该可防止染料迁移的着色性树脂层B(12)与前述染色剂具有亲和性，且防止前述染色剂的迁移。由此，本发明提供一种在内层形成与升华性染色剂具有亲和性、且防止前述染色剂迁移的可防止染料迁移的着色性树脂层，能够防止所印刷的升华性染色剂迁移的印刷用层压体，以及使用该层压体的印刷方法和印刷品。
印刷层压以及使用方法印刷品

[发明专利]印刷用层压体以及使用该层压体的印刷方法和印刷品-CN03811024.5无效
发明人：汤川重男;田中雅宣 -专利权人：纪和化学工业株式会社
申请日： 2003-05-12 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： B41M5/00 文献下载
摘要：一种通过加热使升华性的染色剂渗透至树脂层内部而使该树脂层着色的印刷用层压体，该层压体从表面开始顺次含有表面树脂层A(1)和可防止染料迁移的着色性树脂层B(12)，该表面树脂层A(1)与前述升华性染色剂亲和性较弱、且允许前述染色剂从中通过，该可防止染料迁移的着色性树脂层B(12)与前述染色剂具有亲和性，且防止前述染色剂的迁移。由此，本发明提供一种在内层形成与升华性染色剂具有亲和性、且防止前述染色剂迁移的可防止染料迁移的着色性树脂层，能够防止所印刷的升华性染色剂迁移的印刷用层压体，以及使用该层压体的印刷方法和印刷品。
印刷层压以及使用方法印刷品

[发明专利]一种改善SiC MOSFET器件沟道迁移率的方法-CN201510221211.2有效
发明人：刘莉;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-05-05 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：一种改善SiC MOSFET器件沟道迁移率的方法，包括以下步骤：首先将SiC MOSFET器件基片表面清洗；之后进行离子注入；之后表面形成碳保护膜；之后进行去除表面碳膜处理；之后进行SiO₂栅介质层的生长；之后进行表面形成源漏欧姆接触；之后进行栅图形的形成；之后进行电极制作，即完成SiC MOSFET器件沟道迁移率的改善。该改善SiC MOSFET器件沟道迁移率的方法改善了SiC MOSFET器件界面特性并提高了MIS器件沟道迁移率，可用于大规模SiC MIS器件和电路的制作。
一种改善 sic mosfet 器件沟道迁移率方法

[发明专利]用于产生安全色粉基图像的系统和方法-CN200580036715.1无效
发明人：凯文·L·海尔曼;迈克尔·R·赖利 -专利权人：特洛伊集团公司
申请日： 2005-10-17 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： G03G9/00 文献下载
摘要：所述系统包括用于在文件表面上印刷图像的着色剂，用于在表面之下形成潜像形式图像的染料，衬底，和促进染料迁移通过至少一部分衬底的迁移剂。迁移剂可涂布到一部分衬底上或嵌入衬底内。油墨可起迁移剂作用，在这种情况下，油墨含有用于染料的溶质。
用于产生安全色粉图像系统方法