|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 5068812个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]硅片器件的低温掺杂方法-CN200780023661.4无效
-
西瓦·西沃思撒曼;迈赫迪·法鲁克-巴鲁吉
-
阿里斯技术公司
-
2007-05-15
-
2009-09-30
-
C30B25/20
- 本发明公开了一种用于在所选级别的硅衬底上沉积掺杂硅层的低温方法和系统的结构。硅衬底用作光吸收体，而掺杂硅层用作发射体。该方法包括以下操作：将硅衬底定位到适于在该硅衬底上化学气相沉积掺杂硅层的沉积室中，该硅衬底的外表面适用于促进晶体膜生长；使用多个工艺参数调节所述掺杂硅层的生长，该多个工艺参数包括，第一工艺参数，用于抑制掺杂物原子扩散进入该硅衬底外表面的工艺温度，和第二工艺参数，用于提供影响掺杂硅层原子结构的层结晶度的过量氢原子的氢稀释度；把沉积室中的硅衬底的所述外表面暴露于合适环境的化学气相沉积条件下的蒸气，该蒸气包括硅原子、掺杂物原子和过量氢原子，该原子用于生长掺杂硅层；在外表面上开始掺杂硅层的生长以形成掺杂硅层和硅衬底之间的一个界面，以使掺杂硅层包括第一原子结构区域与相邻的第二原子结构区域，该第一原子结构区域具有仅次于界面的高的层结晶度质量，该第二原子结构区域具有低的层结晶度质量，伴随晶体缺陷的密集度的增加，界面上的掺杂硅层的厚度增加。
- 硅片器件低温掺杂方法
- [发明专利]电子照相感光构件和电子照相设备-CN201080058684.0无效
-
植田重教;古岛聪
-
佳能株式会社
-
2010-12-16
-
2012-09-19
-
G03G5/08
- 本发明提供一种具有a-SiC上部电荷注入阻止层和a-SiC表面层的电子照相感光构件，其粘附性优异、抑制表面劣化，感光度特性和带电特性优异，并可长期保持足够的图像形成能力。相对于上部电荷注入阻止层中的硅原子，上部电荷注入阻止层包含10原子ppm以上至30,000原子ppm以下的周期表第13族原子或第15族原子，和上部电荷注入阻止层中的碳原子数(C)与上部电荷注入阻止层中的硅原子数和碳原子数之和的比(C/(Si+C))为0.10以上至0.60以下；和表面层中硅原子的原子密度与碳原子的原子密度之和为6.60×1022原子/cm3以上，和表面层中的碳原子数(C)相对于硅原子数(Si)和碳原子数(C)之和的比
- 电子照相感光构件设备
- [发明专利]电路板-CN202080046790.0在审
-
金勇锡;李东华
-
LG伊诺特有限公司
-
2020-06-19
-
2022-02-11
-
H05K3/38
- 根据实施例的一种电路板包括：绝缘层；置放在绝缘层的上表面上或者下表面下的电路图案；以及置放在绝缘层和电路图案之间的缓冲层，缓冲层包括碳原子、氮原子、氧原子、硅原子、硫原子和金属原子，其中：碳原子与金属原子的比率((碳原子/铜原子)*100)为5‑7；氮原子与金属原子的比率((氮原子/铜原子)*100)为1.5‑7；氧原子与金属原子的比率((氧原子/铜原子)*100)为1.1‑1.9；以及硅原子与金属原子的比率((硅原子/铜原子)*100)为0.5‑0.9；以及硫原子与金属原子的比率((硫原子/铜原子)*100)为0.5‑1.5。
- 电路板
|
