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[发明专利]成膜设备以及成膜方法-CN200880114150.8有效
发明人：吉冈润一郎;堀江邦明;南部信政 -专利权人：荏原优吉莱特株式会社
申请日： 2008-10-30 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：在真空槽(3)内的第1成膜工作台(8)上配置有构成溅射装置的溅射装置(10)，在第2成膜工作台(9)上配置有蒸镀装置(11)。一边使转盘(4)旋转一边使溅射装置(10)工作来进行形成薄膜的溅射工序。
设备以及方法

[发明专利]成膜装置以及成膜方法-CN201480043229.1有效
发明人：尾崎悟;徳嵩佑 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置以及成膜方法。此成膜装置具备包含电极部21及靶材料22的溅镀电极23。作为直流电源41，使用能够以相对于靶材料22的表面积成为每平方厘米25瓦特以上的施加电力的方式对溅镀电极23施加直流电压。腔室10经由开闭阀39而与涡轮分子泵37连接。
装置以及方法

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN200880110929.2有效
发明人：本田和义;神山游马;别所邦彦;柳智文;篠川泰治;佐藤俊忠 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-09-09 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供能够以低成本进行成膜的成膜方法和成膜装置。本发明的成膜方法包括：(i)将薄膜的固体原料(51)熔融，形成熔融液，使该熔融液(51a)凝固，形成棒状体(51b)，将该棒状体(51b)拉出的工序；(ii)使棒状体(51b)的一部分熔融，向熔融液(蒸发源
装置方法

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN200880110410.4有效
发明人：今北健一;森田正;山本弘辉;森本直树;锅谷章生;中村真也 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2008-09-29 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种改善膜厚均匀性的成膜装置和成膜方法。旋转机构(24，26，27，29，31，MT)将带溅射面的靶(32)保持在与基板(S)表面倾斜的状态。对由旋转机构支撑的所述靶(32)溅射以在基板(S)表面形成薄膜。在成膜时，旋转机构保持靶(32)的旋转角度。
装置方法

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN200980104472.9有效
发明人：山本治彦;国分健二郎 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-04-08 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：一种成膜装置(10)，能提高形成于氧化物膜上的疏水膜机械阻力。所述成膜装置(10)包括：氧化物膜形成单元(14、15、16)，其通过向在真空槽(11)中旋转的基板放出粒子，从而在所述基板上形成被氧化膜，通过向所述被氧化膜照射氧等离子体在所述基板上形成氧化物膜。气相沉积单元(17)将具有水解性的缩聚基与疏水基的硅烷偶联剂气相沉积于所述氧化物膜上。缩聚单元(20)，通过向所述旋转基板上的所述氧化物膜供给水，使所述硅烷偶联剂缩聚。所述缩聚单元在所述气相沉积单元于氧化物膜上气相沉积硅烷偶联剂之前，给氧化物膜供水。
装置方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN200880023545.7有效
发明人：高桥庆一;美浓辰治;吉田雅宪 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-07-22 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： C23C24/04 文献下载
摘要：本发明的成膜方法包括下述工序：通过向保持了原料粉体(7)的第1室(8)间歇地导入输送气体(5)，将原料粉体(7)和输送气体(5)混合从而生成第1气溶胶；通过向第2室(9)导入第1气溶胶从而生成第2气溶胶；以及通过向第3室(13)喷射第2气溶胶从而形成原料粉体(7)的膜。
方法装置

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN200880022669.3有效
发明人：高木俊夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-09-03 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种成膜装置，边加热载置台的载置面，边在真空气氛下从与上述载置台相对的处理气体供给部向基板供给处理气体，从而进行成膜处理，其特征在于，具有：用于使上述载置台升降到对基板进行成膜处理的处理位置的升降机构；
装置方法

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN200880122797.5有效
发明人：林信博;小林洋介;齐藤隆雄;饭岛正行;多田勋 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2008-12-12 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种成膜装置及成膜方法，以实现缩短在冷凝负荷较大时的排气系统的排气时间，从而提高生产性。为达到上述目的，本发明的对多个基材同时进行成膜处理的成膜装置包括：支承单元(50)，其具有支承部(55)，该支承部(55)对多个基材(2)进行支承，使其位于旋转轴的周围且可自由旋转；真空腔(10)，其具有处理室(14)，该处理室收装上述支承单元，且该支承单元可在该处理室中自由旋转；成膜源(57、60)，其配置在上述真空腔(10)的内部；低温排气部(21)，其具有低温冷凝源，该低温冷凝源配置在上述真空腔(10)的上表面且与上部支承部件(52)相对；以及辅泵(22)。
装置方法

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN200780047845.4有效
发明人：森崎英介;小林洋克;吉川润;泽田郁夫;木本恒畅;川本典明;明田正俊 -专利权人：东京毅力科创株式会社;罗姆股份有限公司
申请日： 2007-11-29 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置和成膜方法，该成膜装置包括：内部被保持为减压空间的处理容器；由以碳为主要成分的材料构成、用于在处理容器内保持基板的基板保持部；配置在处理容器的外侧、用于感应加热基板保持部的线圈；和以覆盖基板保持部上述的减压空间被分离为用于供给成膜气体的成膜气体供给空间，和在基板保持部与处理容器之间被划分形成的绝热空间，绝热空间被供给冷却介质。
装置方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN200880000148.8有效
发明人：五味淳;水泽宁;波多野达夫;原正道;横山敦;多贺敏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-02-19 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： C23C16/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种成膜方法，其通过向被处理基板的表面上供给羰基金属原料的气相分子，在所述被处理基板表面附近使其分解，而在所述被处理基板的表面上堆积金属膜，设置有在所述被处理基板表面堆积金属层时，使与所述被处理基板外周部分邻接的区域中的所述羰基金属原料优先分解的工序，使得在所述被处理基板外周部附近的气氛中CO浓度局部增大，抑制金属膜在所述外周部的堆积。
方法装置

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN200880006245.8有效
发明人：中村肇;有马央恭;今村俊一;齐藤一也 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2008-02-25 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种成膜装置，用反应性溅射法在保持在溅射成膜室内的基板的表面形成化合物薄膜，所述溅射成膜室包括将对成膜在所述基板的表面的化合物薄膜的膜质进行调整的膜质调整用气体导入到所述基板的背面的第一膜质调整用气体导入设备
装置方法

[发明专利]成膜装置以及成膜方法-CN200780025842.0有效
发明人：森崎英介;小林洋克;原岛正幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-11-29 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置和成膜方法，包括：内部维持在减压空间并且处理气体被供给在其中的处理容器；设置在处理容器的内部、用于保持基板的基板保持部；以及由含高熔点金属和碳化合物构成、设置在处理容器的内部、用于对基板进行加热的加热器
装置以及方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN200880018745.3有效
发明人：松本贤治;伊藤仁;根石浩司;小池淳一 -专利权人：东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2008-06-02 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置。使用含Mn原料气体(或含Mn原料气体和含Cu原料气体)和含氧气体(例如水蒸气)作为处理气体，通过热处理(CVD或ALD)在被处理体的表面形成含Mn薄膜或含CuMn合金膜薄膜。由此，能够在形成于被处理体表面的微细凹部内以高阶梯覆盖形成含Mn薄膜或含CuMn合金膜薄膜。
方法装置

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN201280015418.9有效
发明人：山本昌裕 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的成膜装置包括：真空腔(100)；基板保持件(5)，该基板保持件(5)在真空腔(100)中保持基板(6)；靶材(2)，该靶材(2)包含成膜材料，且具有相对于基板(6)的主面倾斜的主面；以及角度修正板(12)，该角度修正板(12)在由将靶材(2)的主面的外周与基板的主面的外周相连的线段(31、32)包围的空间区域(30)之外，并设置成覆盖基板的主面的上部空间，从真空腔(100)的正面观察，将基板的主面上的任意点设作B，将靶材(2)的主面上的至少中央处的点设作c时，从各个点B开始的相对于将各个点B与点c相连的各线成45度的各线上，存在有角度修正板(12)的主面上的至少一部分，角度修正板(12)的主面上的其它部分在与靶材
装置方法

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201180052234.5有效
发明人：竹之内崇;芹泽秀树 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2011-10-26 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： B29C51/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种不论被层合制品的尺寸、形状和数量如何均能以优异的均匀性和良好的贴合性层合膜的成膜装置(100)和方法。所提供的成膜装置(100)具有第一腔室(10、11)、第二腔室(20、21)、框式膜保持构件(30、31)和辅助压膜工具(40、41、42)，所述第一腔室(10、11)设有加热装置(50、51)并能保持真空或加压状态，所述第二腔室(20、21)被设置成能与第一腔室(10、11)接合和分离、设有在其上支承制品(300、310、320)的可移动支承台(60、61)并能保持真空或加压状态，所述框式膜保持构件(30、31)设置在第一腔室(10、11)和第二腔室(20、21)之间用于保持膜(200、210)，所述辅助压膜工具(40、41、42)具有当膜(200、210)在制品(300、310、320)的表面上层合时抑制所述膜的隆起的压膜部分
装置方法