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[发明专利]含GPI锚定区的膜表面蛋白-CN202211430074.X在审
发明人：金华君;周莹;王超;黄晨 -专利权人：上海君赛生物科技有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C07K19/00 文献下载
摘要：本发明涉及含GPI锚定区的膜表面蛋白，具体提供包括功能结构域和GPI锚定区的融合蛋白及其用途。所述融合蛋白能有效地激活和增殖免疫细胞，提升免疫细胞的效应功能。
gpi 锚定表面蛋白

[发明专利]具有低表面能区的网纹辊-CN201580072189.8有效
发明人：丹尼尔·范·奥斯特兰德 -专利权人：柯达公司
申请日： 2015-02-02 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明涉及具有低表面能区的网纹辊，其包含具有弯曲接触表面的圆筒、在所述弯曲接触表面的第一部分上形成的油墨转移区和在所述弯曲接触表面的第二部分上形成的低表面能区。所述油墨转移区包含经配置以转移油墨的多个网格。所述低表面能区包含接触角为至少75度且表面粗糙度小于100微米的疏水表面。
具有表面网纹辊

[发明专利]具有防滑表面区的运动服-CN01817696.8无效
发明人： G·马扎罗洛 -专利权人：阿尔皮纳塔尔研究公司
申请日： 2001-08-21 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： A41D1/08 文献下载
摘要：运动服，特别是用于摩托车手，特征在于，在穿着条件下，与穿着者的身体部位相对应的部分与该摩托车的部分相接触或至少相擦磨，在其外表面上具有用防滑材料制作的区域(40、42、44、46、48)。
具有防滑表面运动服

[发明专利]用于保护低电压表面区免受高电压表面区影响的半导体结构和方法-CN202180021867.3在审
发明人： D·萨默兰德;R·莱特;L·奈特 -专利权人：瑟其福耐斯特有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于保护半导体表面处的高电压区免受所述半导体表面处的低电压区影响的结构和方法。所述结构包括在所述高电压区和所述低电压区之间的至少两个沟槽以将所述高电压区与所述低电压区隔离。为了防止跨所述沟槽的击穿，中间电压，即具有介于所述高低电压区和所述低电压区的电压之间的值，被施加到所述子区以便减小跨所述沟槽的电压降。优选地，这是通过提供集成分压器电路来实现，所述集成分压器电路连接在所述高低电压区和所述低电压区之间并具有连接到所述子区的输出，通过所述输出，所述中间电压被施加到所述子区。
用于保护电压表面免受影响半导体结构方法

[发明专利]出口区静止表面处和入口区静止表面处皆出现界面滑移的异形阶梯轴承-CN201810726942.6有效
发明人：汤志鹏;张永斌;王俊彦;袁虹娣 -专利权人：常州机电职业技术学院
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： F16C33/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种出口区静止表面处和入口区静止表面处皆出现界面滑移的异形阶梯轴承，包括一块静止板块和一块运动平板，静止板块工作表面为阶梯状表面，运动平板和静止板块的凸出工作表面相互平行，轴承入口区这两板块间隙小于出口区这两板块间隙，这两板块间隙中充满润滑油，运动平板运动方向为从轴承入口区指向出口区。润滑油在轴承出口区静止板块表面上和入口区静止板块表面上皆滑移，而在轴承其余表面上不滑移。润滑油与出口区静止板块表面间界面剪切强度大于润滑油与入口区静止板块表面间界面剪切强度。
出口静止表面入口出现界面滑移异形阶梯轴承

[发明专利]具有区折叠超表面的光学设备-CN202211661457.8在审
发明人：卡尔·K·斯腾斯瓦德;郭雪雪;克雷格·R·沙尔特;郝冰;安德烈娅·阿吕;米歇尔·科图福;亚当·奥弗维格 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：具有区折叠超表面的光学设备。本发明公开了一种光学组合器，该光学组合器包括第一层，该第一层具有结构的周期性二维布置，该结构被布置成对于目标波长的输入信号支持共振，其中该结构具有第一折射率。
具有折叠表面光学设备

[发明专利]切削刃区表面有微凹坑的刀具-CN201711201384.3有效
发明人：陈云;耿子瑜;曾莉;田良 -专利权人：成都工具研究所有限公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： B23B27/00 文献下载
摘要：本发明为切削刃区表面有微凹坑的刀具，解决已有刀具的使用寿命短的问题。在刀具切削刃区的前刀面1、后刀面2、强化带3上有光滑凹坑5和顶部6，光滑凹坑5和顶部6分别构成弧形的波谷和波峰，所述弧形的波谷和波峰半径为0.5—5um，深度为1—10um，宽度为5—30um，强化带3的弧形半径为0.02—0.06mm，前刀面1和后刀面2的夹角为70°—90°，凹坑5和顶部6分布区为刀具刃区表面的20%—50%。
切削表面有微凹坑刀具及其制造方法

[实用新型]水位变动区混凝土表面修复用隔水套筒-CN201220141960.6有效
发明人：郭保林;季辉;邵新鹏;于长河;尹利 -专利权人：山东高速青岛公路有限公司;青岛路桥建设集团有限公司;淄博海工建筑修补材料有限公司
申请日： 2012-04-06 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： E02D15/00 文献下载
摘要：水位变动区混凝土表面修复用隔水套筒,其包括上下两端开口的筒体，筒体底端低于待修复部位最低处；筒体顶部内壁、底部内壁分别与结构物外表面之间设有遇水膨胀止水胶条，且该两处的遇水膨胀止水胶条分别嵌装在筒体内壁的凹槽内；筒体内壁与结构物外表面之间设为用于注入修复砂浆的空腔；空腔位于上、下遇水膨胀止水胶条之间；筒体上设有注浆管；筒体顶部设通气管，底部设排水管，且均与空腔连通；且其上分别设置阀门；筒体由至少两个分体密封对接而成并在对接处耐腐蚀螺栓连接
水位变动混凝土表面修复用隔水套筒

[发明专利]具有多个带有多个区的表面的透镜-CN201280046351.5有效
发明人：布鲁诺·费米吉厄;埃里克·加库因 -专利权人：依视路国际集团(光学总公司)
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： B29D11/00 文献下载
摘要：透镜(1)包括多个光学表面(S₁，S₂)，其中每个表面由多个活跃区(ZA₁，ZA₂)与多个分离区(ZS_{1这些表面其中之一的活跃区位于另一表面的分离区旁边。然后将这些光学表面中的至少一个表面的形状适配进这些分离区内以便增大位于活跃区和分离区的会聚处的锐角。}
具有带有多个区表面透镜

[发明专利]可用于处理目标表面的多区基底-CN201280019213.8无效
发明人： M·J·斯坦哈特;N·J·波利奇基奥;W·M·坎能;A·H·内尔加德;刘广凯;P·R·索尔 -专利权人：宝洁公司
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： A47L1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于处理目标表面的装置，诸如当清洁窗户时出现的装置。该装置具有基底。该基底具有多个交替区。一个区可向目标表面施加液体，而紧随其后的区从目标表面除去液体。随后的多个区可用于重复该过程。
用于处理目标表面基底

[发明专利]一种温度调控服装-CN201810218675.1在审
发明人：苗苗;鲁虹;程梦琪;钱伯丹;李圆圆 -专利权人：东华大学
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： A41D13/005 文献下载
摘要：本发明涉及一种温度调控服装，包括服装本体，所述服装本体分为服装表面温度高区和服装表面温度低区、或主观热感觉数值高区和主观热感觉数值低区、或服装表面温度变化高区和服装表面温度变化低区、或主观热感觉数值变化高区和主观热感觉数值变化低区；所述服装表面温度低区、主观热感觉数值低区、服装表面温度变化低区、主观热感觉数值变化低区采用保温面料制成；所述服装表面温度高区、主观热感觉数值高区、服装表面温度变化高区、主观热感觉数值变化高区采用降温面料制成
服装表面低区高区主观数值变化服装本体温度调控保温面料人体运动自动调控服装面料

[发明专利]包括分离结构的半导体装置-CN202111013538.2在审
发明人：金成玟;河大元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：所述半导体装置包括在基底上的多个有源区。栅电极在有源区上，并且与有源区交叉。多个源区/漏区在有源区上，使得源区/漏区与栅电极的相对侧相邻，并且栅电极在源区/漏区之间。分离结构在相邻的源区/漏区之间。绝缘图案包括第一侧表面和第二侧表面，第一侧表面和第二侧表面是绝缘图案的相对侧表面并且与分离的相应的源区/漏区相邻。间隔层在第一侧表面和第二侧表面上。绝缘图案的最上端比与第一侧表面和第二侧表面相邻的间隔层的第一上表面远离基底的下表面。
包括分离结构半导体装置

[发明专利]一种大容量食物勺-CN202111384218.8有效
发明人：方移平 -专利权人：方移平
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： A47G21/04 文献下载
摘要：一种大容量食物勺，包括手柄和勺体，所述手柄固定连接在勺体尾部，所述勺体分为左侧区、右侧区、前侧区、后侧区和勺底平面区；所述左侧区、右侧区、后侧区和勺底平面区的下表面为水平面，所述前侧区下表面和上表面均为斜面，所述后侧区的上表面为斜面，左侧区和右侧区的上表面为曲率半径一致圆弧面，所述勺底平面区的上表面为水平面，所述左侧区和右侧区的圆弧面相切于勺底平面区的上表面，所述左侧区和右侧区的上表面分别与前侧区和后侧区的上表面平滑过渡
一种容量食物

[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法-CN201780052784.4在审
发明人：内田光亮;日吉透;酒井光彦 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：第一主表面设置有：栅极沟槽，所述栅极沟槽由第一侧表面和第一底表面限定；以及源极沟槽，所述源极沟槽由第二侧表面和第二底表面限定。碳化硅衬底包括漂移区、主体区、源极区、第一区和第二区。所述第一区与所述第二区接触。栅极绝缘膜在所述第一侧表面处与所述漂移区、所述主体区和所述源极区接触，并且在所述第一底表面处与所述漂移区接触。源极电极在所述第二侧表面和所述第二底表面处与所述第二区接触。
侧表面漂移区表面限定源极沟槽栅极沟槽表面处第一区主体区碳化硅半导体装置源极区接触栅极绝缘膜源极电极碳化硅源极区主表面衬底制造

[发明专利]测试扫描方法-CN201811438139.9在审
发明人：董健;刘命江 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种测试扫描方法，包括：提供测试机台，测试机台中有扫描探头；提供晶圆，晶圆包括边缘芯片区和若干主测试芯片区；选择与边缘芯片区邻近的若干主测试芯片区作为对比芯片区；将晶圆放置在测试机台中后，扫描探头发射测试入射光至边缘芯片区的表面和各对比芯片区的表面，并获取自边缘芯片区表面的第一测试反射光以及自各对比芯片区表面的第二测试反射光；设置参考预设芯片区，参考预设芯片区表面具有参考灰阶度，参考灰阶度根据各对比芯片区表面的第二测试反射光的灰阶度获取；通过对边缘芯片区表面的第一测试反射光的灰阶度与参考预设芯片区表面的参考灰阶度进行比较，判断边缘芯片区表面缺陷状态。所述方法能对边缘芯片区表面缺陷状态进行测试。
芯片区边缘芯片灰阶度测试反射光区表面参考测试机台晶圆预设缺陷状态扫描探头主测试扫描发射测试入射光邻近

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