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[实用新型]一种蚀刻装置及电路板加工系统-CN201920679901.6有效
发明人：王文剑;张培全;陈国忠 -专利权人：深圳市实锐泰科技有限公司
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种蚀刻装置及电路板加工系统，该蚀刻装置包括蚀刻箱体；储液箱体；用于存储蚀刻液；输液管路，分别与储液箱体及蚀刻箱体连通，以向蚀刻箱体输送蚀刻液；收集管路，分别与蚀刻箱体及储液箱体连通，以将蚀刻箱体内完成蚀刻后的蚀刻液输送至储液箱体；其中，出液箱体内设有过滤机构，过滤机构用于过滤完成蚀刻后的蚀刻液，以使得完成蚀刻后的蚀刻液中的杂质被过滤后才注入输液管路，提高蚀刻液的使用寿命及使用效率，提高待蚀刻件的蚀刻品质及蚀刻效率。
蚀刻蚀刻液储液箱体过滤机构蚀刻装置输液管路过滤电路板加工使用寿命使用效率收集管路箱体连通连通存储申请

[发明专利]蚀刻液供应装置、蚀刻装置及蚀刻方法-CN200710141809.6无效
发明人：崔浩根;郑培铉;金龙佑 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-08-13 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明提供可以均匀地蚀刻玻璃基板的蚀刻液供应装置、蚀刻装置以及蚀刻方法。本发明所提供的蚀刻液供应装置，用于向在蚀刻槽中蚀刻玻璃基板的蚀刻装置供应由包含水、氢氟酸以及无机酸的多种成分组成的蚀刻液，并具有：蚀刻液容器，用于回收蚀刻槽中使用过的蚀刻液；蚀刻液移送部，用于将蚀刻液容器的蚀刻液供应到蚀刻槽；浓度测定单元，用于测定蚀刻液容器中蚀刻液组成成分的至少一部分可控组成成分浓度；组成成分供应部，用于将可控组成成分分别供应到蚀刻液容器；控制部，用于根据浓度测定单元的测定结果控制组成成分供应部供应可控组成成分
蚀刻供应装置方法

[发明专利]蚀刻装置及其控制方法-CN202210793931.6在审
发明人：李昇勋;牟圣元;李羊浩;韩兴洙;裴祯贤 -专利权人：杰宜斯科技有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及蚀刻装置及其控制方法，该蚀刻装置包括：蚀刻腔室，通过蚀刻液来蚀刻对象体；蚀刻液供给部，回收所述蚀刻腔室内的蚀刻液，通过蚀刻液泵向所述蚀刻腔室供给蚀刻液；第一压力调节部，向所述蚀刻液泵注入气体以施加驱动压力；第二压力调节部，以指定的相同压力对所述蚀刻腔室和所述蚀刻液供给部进行加压；背压调节部，调节当所述蚀刻液泵驱动时排出的气体的压力；以及阀门，控制所述气体向所述蚀刻液泵注入或排出的顺序和方向。
蚀刻装置及其控制方法

[发明专利]蚀刻液管理装置-CN200710148574.3有效
发明人：中川俊元;佐藤寿邦 -专利权人：株式会社平间理化研究所
申请日： 2007-08-29 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：将蚀刻液自动控制在规定的硝酸浓度、醋酸浓度及磷酸浓度而且对蚀刻液处理槽的液体补给进行适当的管理、并且使蚀刻性能经常一定化的同时削减使用原液量、大幅度缩短停工时间从而使综合制造成本的减低成为可能。本发明提供一种蚀刻液管理装置，其是在具备贮存含有硝酸的蚀刻液的蚀刻液处理槽、使在所述蚀刻液处理槽中贮存的蚀刻液进行循环的蚀刻液循环机构、输送被利用所述蚀刻液循环机构循环的蚀刻液蚀刻的含铝膜的基板的蚀刻处理机构的蚀刻处理装置中使用的蚀刻液管理装置，其特征在于，具备：对蚀刻液进行取样的蚀刻液取样机构、用纯水稀释利用所述蚀刻液取样机构取样的蚀刻液的稀释机构、通过测定利用所述稀释机构稀释的蚀刻液的电导率而得到与所述蚀刻液的硝酸浓度相关的电导率值的电导率计、基于利用所述电导率计得到的电导率值向所述蚀刻液处理槽供给补充液的补充液供给机构。
蚀刻管理装置

[发明专利]蚀刻系统及蚀刻液再生方法-CN200910309526.7有效
发明人：郑建邦 -专利权人：富葵精密组件(深圳)有限公司;鸿胜科技股份有限公司
申请日： 2009-11-11 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：一种蚀刻系统，用于蚀刻电路板，所述蚀刻系统包括喷液装置、集液槽及设置于集液槽外的蚀刻液再生装置，所述喷液装置用于向电路板表面喷淋蚀刻液，所述集液槽用于收容蚀刻电路板后的蚀刻液，所述蚀刻液再生装置包括再生反应塔和再生液存储塔，所述再生反应塔用于对从集液槽定量注入的蚀刻电路板后的蚀刻液进行再生，所述再生液存储塔用于存储再生处理后的蚀刻液，并将该再生处理后的蚀刻液供应至喷液装置。本发明还提供一种蚀刻液再生的方法。
蚀刻系统再生方法

[实用新型]一种蚀刻液送液组件及蚀刻机-CN202123250816.4有效
发明人：关家彬;郑健成;潘然楷;谭健福 -专利权人：广东德同环保科技有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种蚀刻液送液组件，用于将蚀刻液输入蚀刻机中，包括安装在所述蚀刻机中的蚀刻液储存缸和用于将蚀刻液输入所述蚀刻液储存缸的输入装置，还包括进液结构，所述输入装置具有射出口，所述射出口与所述进液结构连通，并通过所述进液结构将蚀刻液输入所述蚀刻液储存缸中；所述进液结构包括主管和用于将蚀刻液形成多股细分流体喷出的喷头，所述主管的一端与所述射出口连通，所述主管的另一端与所述喷头连通，所述喷头位于所述蚀刻液储存缸中喷头将蚀刻液分成多股细分流体，起到缓冲和稳流的作用，避免了蚀刻液在蚀刻液储存缸中的产生较大的振荡与不均匀分布，保证了蚀刻液的氯气溶解度相对稳定，从而保证蚀刻液的蚀刻效果的稳定性。
一种蚀刻液送液组件

[实用新型]一种蚀刻装置-CN201520377737.5有效
发明人：王佐;朱拓;周海光;翟青霞;周文涛 -专利权人：深圳崇达多层线路板有限公司
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本实用新型公布了一种蚀刻装置，包括第一集液槽、第二集液槽，所述的第一集液槽分别与第一蚀刻槽、第二蚀刻槽连通；所述的第二集液槽分别与第一蚀刻槽、第二蚀刻槽连通；所述第一集液槽内设有可将第一集液槽内蚀刻液输送至其中一蚀刻槽的第一泵，所述第二集液槽内设有可将第二集液槽内蚀刻液输送至另一蚀刻槽的第二泵。本实用新型通过对集液槽和蚀刻槽连通方式的改造，形成各集液槽、蚀刻槽相互连通的蚀刻装置，使蚀刻液在各集液槽、蚀刻槽内相互流通，从而保证蚀刻装置整个蚀刻装置内蚀刻液浓度的稳定性，减少了因蚀刻液浓度不稳定造成的蚀刻过度或蚀刻不净等缺陷
一种蚀刻装置

[发明专利]一种避免蚀刻液输送管路结晶的方法-CN201510741988.1有效
发明人：徐飞;郭贵琦;金海涛;葛海鸣;巫轶骏;沈健;陈帅;王然 -专利权人：常州瑞择微电子科技有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-11-04 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： G03F1/80 文献下载
摘要：一种避免蚀刻液输送管路结晶的方法，涉及专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备，尤其涉及在光掩模的制造蚀刻工艺中避免在蚀刻液输送管路中产生结晶物的方法及其管路结构，包括以下步骤：向蚀刻液输送管路送入蚀刻液，替代蚀刻液输送管路中的蚀刻缓冲液和纯水；连续输送蚀刻液，完成被蚀刻工件的蚀刻工艺；向蚀刻液输送管路送入蚀刻缓冲液，替代蚀刻液输送管路中的蚀刻液；用纯水替代蚀刻液输送管路第二阀门C口之后至喷嘴段的蚀刻缓冲液能够有效地预防蚀刻液输送管路的结晶，避免结晶物影响后续蚀刻工艺和掩膜版成品质量，节省定期清洗浪费的时间，提高蚀刻工艺的稳定性和可靠性，保持生产过程的连贯性。
一种避免蚀刻输送管路结晶方法

[发明专利]蚀刻治具、蚀刻装置及蚀刻方法-CN202011585283.2在审
发明人：张续朋;杨彦伟;刘宏亮 -专利权人：芯思杰技术（深圳）股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明涉及半导体蚀刻技术领域，具体涉及一种蚀刻治具、蚀刻装置及蚀刻方法。蚀刻装置包括蚀刻治具以及蚀刻机，蚀刻机包括蚀刻液缸以及喷嘴，蚀刻治具位于蚀刻液缸内，并能够在蚀刻液缸内旋转，喷嘴位于蚀刻治具的上方，且喷嘴用于喷洒蚀刻液，蚀刻治具包括治具本体，治具本体上开设有凹槽，凹槽的内壁形成用于放置待蚀刻晶片的蚀刻区域，且治具本体的边缘还形成有排液口。蚀刻方法包括将待蚀刻晶片放置在蚀刻装置内，使蚀刻治具在蚀刻液缸内旋转，以及将喷嘴打开对待蚀刻晶片喷洒蚀刻液，多余的蚀刻液会从排液口流出。针对如InP/InGaAs非标准晶片碎片时，该蚀刻治具也同样适用，旋转时的离心力和凹槽的侧壁起到限位作用，满足非标准晶片的蚀刻工艺需求。
蚀刻装置方法

[发明专利]浸泡式蚀刻设备及浸泡式蚀刻方法-CN201710648971.0有效
发明人：尹易彪 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种浸泡式蚀刻设备及浸泡式蚀刻方法。本发明的浸泡式蚀刻设备包括承载台、感应器、以及蚀刻槽；所述蚀刻槽的下端和上端分别设有多个进液口和多个排液口；由进液口不断输送蚀刻液，并由排液口不断排除多余的蚀刻液，可以使得蚀刻槽内始终储有蚀刻液，并保证蚀刻槽内蚀刻液始终新鲜，从而可避免对于每一片基板都重新进行蓄液和排液，能够有效提高蚀刻效率，并且通过在蚀刻槽上端设置排液口以不断排除多余的蚀刻液，可以避免现有蚀刻设备排液时因Shutter快速打开而导致产品Mura的形成，另外，本发明通过设置用于判定蚀刻终点的感应器，相较于人眼观察，能够更加准确地判断蚀刻终点，得到最优的产品参数规格。
浸泡蚀刻设备方法

[发明专利]大尺寸线路板蚀刻方法及设备-CN201710760515.5有效
发明人：潘勇 -专利权人：深圳市博敏兴电子有限公司
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种大尺寸线路板蚀刻方法及设备，所述蚀刻方法包括以下步骤：对经由传送装置传送的待蚀刻线路板喷雾蚀刻液进行蚀刻加工；在蚀刻工位以负压吸取方式回收线路板上表面的蚀刻液。所述蚀刻设备包括对经由传送装置传送的待蚀刻线路板喷雾蚀刻液进行蚀刻加工的喷淋装置及设置于蚀刻工位以负压吸取方式促使线路板上表面的蚀刻液加速流动并回收蚀刻液的吸液装置，所述吸液装置通过管路连接至蚀刻液回收槽本发明实施例通过在蚀刻工位采取负压吸取方式回收线路板上表面的蚀刻液，可有效提高蚀刻液在线路板上表面的流动速度，加快新旧蚀刻液的交换，有效阻止“水池效应”产生，提高大尺寸精密细线PCB的蚀刻速率，使上下板面蚀刻均匀
尺寸线路板蚀刻方法设备

[发明专利]一种玻璃AG蚀刻工艺-CN202310175327.1在审
发明人：吴建勇;魏中凯;花浩楠 -专利权人：合肥金龙浩科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种玻璃AG蚀刻工艺，包括：将待蚀刻玻璃浸入AG蚀刻液中，待蚀刻玻璃在AG蚀刻液中旋转运动，使AG蚀刻液在待蚀刻玻璃表面形成转圈刷动，之后再置于AG蚀刻液中静置，待完成蚀刻后，将待蚀刻玻璃提离AG蚀刻液中。本发明提出的一种玻璃AG蚀刻工艺，通过将待蚀刻玻璃在AG蚀刻液中旋转运动，使AG蚀刻液在待蚀刻玻璃表面形成转圈刷动，不仅蚀刻后的玻璃不会出现流痕状异色，而且操作简单，便于生产。
一种玻璃 ag 蚀刻工艺

[发明专利]一种铜蚀刻液及其制备方法-CN202211669836.1在审
发明人：钟昌东;叶瑞;贺兆波;欧阳克银;张庭;张演哲;黄锣锣;黎鹏飞;王荣;彭俊杰 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-25 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜蚀刻液及其制备方法，该蚀刻液利用铜盐，无机酸，有机酸，表面活性剂，有机碱和去离子水构成的铜蚀刻液，对铜及其合金蚀刻的过程中，蚀刻液蚀刻速率稳定，蚀刻均匀，对ITO、不锈钢等材料的腐蚀较小蚀刻液中的无机酸、有机酸中的阴离子可以增加铜络合物在溶液中的溶解性与溶解度，可以增加蚀刻液的蚀刻寿命；蚀刻液中有机碱可以络合蚀刻液中多余的铜离子，稳定蚀刻速率，并调节蚀刻液pH，降低蚀刻液对其它金属的腐蚀
一种蚀刻及其制备方法

[发明专利]蚀刻装置及蚀刻方法-CN200910304837.4有效
发明人：白耀文;唐攀;李小平 -专利权人：富葵精密组件(深圳)有限公司;鸿胜科技股份有限公司
申请日： 2009-07-24 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种蚀刻装置及蚀刻方法。该蚀刻装置包括设有多个喷头的喷管和刮液装置。该多个喷头用于将蚀刻液喷射至电路基板待蚀刻面。该刮液装置滑动地将沉积于该待蚀刻面中央区域的蚀刻液刮出该待蚀刻面。该蚀刻方法包括：利用多个设于喷管的喷头向电路基板待蚀刻面喷射蚀刻液；利用刮液装置滑动地将沉积于待蚀刻面中央区域的蚀刻液刮出该待蚀刻面。该蚀刻方法可避免产生水坑效应。
蚀刻装置方法

[实用新型]提高酸性蚀刻液再生回用率的系统-CN201920540358.1有效
发明人：刘剑锋;高东瑞;李强 -专利权人：惠州市臻鼎环保科技有限公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： C23F1/46 文献下载
摘要：本实用新型揭示一种提高酸性蚀刻液再生回用率的系统，其包括蚀刻产线、电解装置、添加装置、再生液调配装置以及再生液ORP提升装置，蚀刻产线的富铜酸性蚀刻废液经电解装置电解后成氯气和贫铜电解清液，贫铜电解清液与蚀刻产线的低ORP酸性蚀刻液混合形成再生酸性蚀刻液，再生液ORP提升装置对酸性蚀刻液进行逆流喷射，并与氯气碰撞，获得高ORP酸性蚀刻再生液再返回蚀刻产线。本申请通过再生液ORP提升装置的设置，获得高ORP酸性蚀刻再生液再返回蚀刻产线，以提高蚀刻产线上酸性蚀刻液的ORP，替代了传统蚀刻产线添加氧化剂与盐酸的方式，提高了蚀刻废液的再生回用率，降低了化学剂的使用和废水的排放
蚀刻产线酸性蚀刻液再生液提升装置电解酸性蚀刻再生液氯气电解装置再生贫铜清液化学剂酸性蚀刻废液氧化剂本实用新型调配装置逆流喷射蚀刻废液添加装置返回盐酸废水排放替代申请